公开(公告)号：KR101419522B1

公开(公告)日：2014-07-14

申请号：KR1020120150465

申请日：2012-12-21

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 최영수 ,  박경호

IPC: G01J1/02 ,  G01J1/08

Abstract: 본 발명은 반도체 발광 소자의 광특성을 측정하기 위한 장치에 관한 것으로서, 반도체 발광 소자의 광특성을 측정하는 장치에 있어서, 내부가 빈 원통형으로 형성되어 회전하는 본체와, 상기 본체 내부에 장착되어 반도체 발광 소자의 광특성을 측정하는 광특성측정부와, 상기 본체의 중심부로 상기 광특성측정부 위치까지 상기 반도체 발광 소자를 인입 및 인출시키는 측정스테이지 및 상기 본체 하부에 결합되어 상기 본체를 지지하는 지지대를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 광특성 측정 장치를 기술적 요지로 한다. 360° 회전가능한 광특성측정부를 이용하여 웨이퍼의 크기에 상관없이 반도체 발광 소자의 단속적 또는 연속적인 광특성 측정이 용이하며, 다양한 종류의 발광다이오드의 광특성 측정이 가능한 효과가 있다.

公开(公告)号：KR101335604B1

公开(公告)日：2013-12-02

申请号：KR1020120032317

申请日：2012-03-29

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 최영수 ,  박경호 ,  박덕수

IPC: G01R31/26 ,  G01J1/02 ,  G01M11/02

Abstract: 본 발명은 발광다이오드(Light Emitting Diode, LED)의 신뢰성 평가 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광다이오드를 가열 또는 냉각하는 구역과 발광다이오드의 전기적 또는 광학적 특성을 측정하는 구역을 분리하여, 발광다이오드의 가열 또는 냉각 전·후 특성 측정 조건을 동일하게 유지하여, 발광다이오드의 특성을 정확하게 측정하는 발광다이오드 특성 신뢰성 장치에 관한 것으로, 발광다이오드(Light Emitting Diode, LED)의 온도특성을 측정하기 위해 발광다이오드를 가열 또는 냉각하는 챔버, 챔버 외부에 구비되고, 발광다이오드의 전기적 또는 광학적 특성을 측정하는 측정부, 발광다이오드를 측정부에서 챔버로 또는 챔버에서 측정부로 이동시키는 스테이지, 스테이지에 구비된 발광다이오드에 전원을 공급하는 전원 공급부, 측정부에서 측정된 전기적, 광학적 특성 데이터를 저장하는 데이터 저장부, 챔버, 측정부, 스테이지 또는 전원 공급부를 제어하고, 측정부에서 측정된 전기적, 광학적 특성 데이터를 데이터 저장부에 저장하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020130079714A

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：KR1020120000362

申请日：2012-01-03

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박경호 ,  안재성

IPC: G01J3/02

Abstract: PURPOSE: A focusing mirror for simultaneously measuring cathodoluminescence and photoluminescence is provided to minimize analysis result errors due to external measurement variable and to shorten process time required for measurement. CONSTITUTION: A focusing mirror (100) for simultaneously measuring cathodoluminescence and photoluminescence includes a first focusing mirror (103) and a second focusing mirror. The first focusing mirror has a space inside. A first electronic beam guide line (104) is formed at one upper side of the first focusing mirror so that an electronic beam infiltrates inside the first focusing mirror. First optical fiber guide lines (105) are formed at both sides of the first electronic beam guide line so that a light from a light source infiltrates inside the first focusing mirror. The second focusing mirror is coupled with the first focusing mirror, and has a second electronic beam guide line and second optical fiber guide lines respectively corresponding to the first electronic beam guide line and the first optical fiber guide lines.

Abstract translation: 目的：提供用于同时测量阴极发光和光致发光的聚焦镜，以最小化由于外部测量变量导致的分析结果误差，并缩短测量所需的工艺时间。 构成：用于同时测量阴极发光和光致发光的聚焦镜（100）包括第一聚焦镜（103）和第二聚焦镜。 第一个聚焦镜内有一个空间。 第一电子束引导线（104）形成在第一聚焦镜的一个上侧，使得电子束浸入第一聚焦镜内。 第一光纤引导线（105）形成在第一电子束引导线的两侧，使得来自光源的光渗入第一聚焦镜内。 第二聚焦镜与第一聚焦镜耦合，并且具有分别对应于第一电子束引导线和第一光纤引导线的第二电子束引导线和第二光纤引导线。

公开(公告)号：KR102161445B1

公开(公告)日：2020-10-06

申请号：KR1020180171762

申请日：2018-12-28

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 조주영 ,  박경호 ,  박형호 ,  정해용

IPC: G01N27/414 ,  H01L29/66 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02

公开(公告)号：KR102150898B1

公开(公告)日：2020-09-03

申请号：KR1020180170150

申请日：2018-12-27

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  신찬수 ,  장현철 ,  박광욱 ,  정상현 ,  이병오 ,  윤홍민 ,  정해용 ,  박경호

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

公开(公告)号：KR101983565B1

公开(公告)日：2019-05-30

申请号：KR1020160133591

申请日：2016-10-14

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 고유민 ,  박경호 ,  박형호 ,  조주영

IPC: H01L41/113 ,  H01L41/083 ,  H01L41/187 ,  H01L41/047 ,  H01L41/22

公开(公告)号：KR101886056B1

公开(公告)日：2018-08-08

申请号：KR1020160095039

申请日：2016-07-26

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  황선용 ,  이근우 ,  임웅선 ,  윤홍민 ,  고유민 ,  최재원 ,  정상현 ,  강성민 ,  성호근 ,  박경호 ,  박원규

IPC: B82B3/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/04 ,  C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24 ,  C23C14/58 ,  C23C14/34

Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재를준비하는제1단계와, 상기기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제2단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제3단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체를성장시키는제4단계및 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에나노구조체를형성하여상기기재상부에나노구조체패턴을형성하는제5단계;를포함하여이루어지되, 상기제1단계의기재의표면을소수성표면처리후 상기제2단계의마스크패턴층을형성하거나, 상기제2단계의마스크패턴층을형성한후에, 상기기재상부의노출된일부영역을소수성표면처리하는것을특징으로하는진공증착에의한나노구조체패턴형성방법및 이를이용한센서소자를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에나노구조체패턴을형성함으로써, 공정이간단하면서균일한나노구조체분포를가지는나노구조체패턴의형성이용이하며, 열처리공정이필요하지않아고온에취약한고분자기판과같은유연기판상에서의나노구조체패턴을형성할수 있고, 나노구조체의형태및 두께변형등을최소화함으로써고품질의소자를제공할수 있는이점이있다.

公开(公告)号：KR1020180005308A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：KR1020160084879

申请日：2016-07-05

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박경호 ,  조주영 ,  박형호 ,  고유민 ,  성호근 ,  박원규

IPC: G01N27/12 ,  G01N25/32 ,  H01L29/778 ,  H01L29/66

CPC classification number: G01N27/129 ,  G01N25/32 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/778

Abstract: 마이크로히터를구비하는센서를제조하는방법이개시된다. 마이크로히터를구비한고전자이동도트랜지스터구조센서의제조방법은, 제1 기판, 상기제1 기판상에형성된 GaN 계열의버퍼층, 상기버퍼층상에형성된 GaN층, 상기 GaN층상에형성된것으로 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층, 상기 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층 상에형성된소스전극및 드레인전극, 그리고상기소스전극및 드레인전극사이의일부영역에형성된검지물질층을구비하는고전자이동도트랜지스터구조물을준비하는단계와; 상기소스전극, 상기드레인전극및 상기검지물질층상부에일시적으로본딩가능한물질을형성한후 제2 기판을본딩하는단계와; 제3 기판, 및상기제3 기판상에공동구조나마이크로구멍구조를형성하고, 제 3 기판의접합을준비하는단계와; 상기버퍼층으로부터상기제1 기판을분리하는단계와; 상기제1 기판을분리한후, 제1기판이분리된에피층에마이크로히터를형성하는단계와; 상기마이크로히터구조를형성한후, 상기제3 기판의공동구조나구멍에마이크로히터가위치할수 있도록상기제3 기판을상기버퍼층에본딩하는단계와; 상기제3 기판을본딩한후 상기고전자이동도트랜지스터구조물에서상기제2 기판을분리하는단계를포함한다.

Abstract translation: 公开了一种制造具有微型加热器的传感器的方法。 在第一衬底上形成的GaN基缓冲层，在缓冲层上形成的GaN层，在GaN层上形成的AlGaN层，InAlN 一种层的选自由层和InAlGaN层组成的组中，AlGaN层，所述的InAlN层，以及源电极和漏电极形成在一种从由InAlGaN层的组中选择层和所述源电极和漏电极 该方法包括：提供具有在高电子迁移率晶体管结构之间的区域中形成的感测材料层的高电子迁移率晶体管结构; 在源电极，漏电极和感测材料层上形成临时接合材料，并接合第二基板; 在第三基板和第三基板上形成腔体结构或微孔结构，并准备第三基板的结合; 将第一衬底与缓冲层分离; 分离第一衬底并在分离的e层上形成微型加热器; 将第三衬底键合到缓冲层，使得微型加热器在形成微型加热器结构之后定位在第三衬底的空腔结构或孔中; 并且在键合第三衬底之后将第二衬底与高电子迁移率晶体管结构分离。

公开(公告)号：KR101762907B1

公开(公告)日：2017-07-31

申请号：KR1020160036136

申请日：2016-03-25

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박경호 ,  조주영 ,  박형호 ,  고유민 ,  신찬수 ,  박원규 ,  이근우

IPC: G01N27/414 ,  H01L29/778 ,  H01L29/66

CPC classification number: G01N27/4143 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/778

Abstract: 제1 기판, 상기제1 기판상에형성된 GaN 계열의버퍼층, 상기버퍼층상에형성된 GaN층, 상기 GaN층상에형성된것으로 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층, 상기 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층 상에형성된소스전극및 드레인전극, 그리고상기소스전극및 드레인전극사이의일부영역에형성된검지물질층을구비하는고전자이동도트랜지스터구조물을준비하는단계; 상기소스전극, 상기드레인전극및 상기검지물질층상부에일시적으로본딩가능한물질을형성한후 제2 기판을본딩하는단계; 상기버퍼층으로부터상기제1 기판을분리하는단계; 상기제1 기판을분리한후 제3 기판을상기버퍼층에본딩하는단계; 및상기제3 기판을본딩한후 상기고전자이동도트랜지스터구조물에서상기제2 기판을분리하는단계를포함하는, 고전자이동도트랜지스터구조센서의제조방법이제공된다. 본발명에따르면, 고가의기판을재활용함으로써 HEMT 구조의센서제작비용절감이가능하고, 구부러짐이가능한유연한 HEMT 구조의센서제작이가능하다.

Abstract translation: 所述第一基板，其特征在于，其中一个层被从包含第一基板的构成的缓冲层的组中选出的GaN基形成形成缓冲层，AlGaN层上，GaN层上在GaN层，的InAlN层和InAlGaN层，其中，将要形成 AlGaN层，的InAlN层，以及源电极和形成在一种层的从由InAlGaN层和高电子迁移率，其包括形成在所述源电极和所述漏电极之间的部分的检测材料层组成的组中的漏电极也 准备晶体管结构; 在源电极，漏电极和感测材料层上形成临时接合材料，并接合第二基板; 将第一衬底与缓冲层分离; 在分离第一衬底之后将第三衬底键合到缓冲层; 接合第三衬底，然后将第二衬底从高电子迁移率晶体管结构分离。 根据本发明，通过循环昂贵衬底可以是HEMT结构的制造成本传感器，它能够制造柔性的弯曲HEMT结构的传感器是可能的。

公开(公告)号：KR1020170075899A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：KR1020150185323

申请日：2015-12-23

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  황선용 ,  정상현 ,  박경호 ,  박원규

IPC: B05D7/24 ,  B05D7/04 ,  B05D1/26 ,  B05D3/00 ,  B05C5/02

Abstract: 본발명은양면패턴의제조방법및 그에의해제조된양면패턴에관한것으로서, 고분자기판상에미세구조체패턴이형성된제1스탬프를위치시켜열간성형하여상기고분자기판에상기제1스탬프의미세구조체패턴과역상인제1패턴을각인시키는제1단계와, 상기제1패턴이각인된고분자기판에서상기제1스탬프를분리하여, 상기고분자기판상에제1패턴을성형하는제2단계와, 상기제1패턴이형성된고분자기판상에유동성재료를도포하여, 상기제1패턴과역상인하측패턴을상기유동성재료하측면에형성하는제3단계와, 상기도포된유동성재료상에미세구조체패턴이형성된제2스탬프를위치시켜가압하고, 경화공정을수행하여상기유동성재료상측면에상기제2스탬프의미세구조체패턴과역상인상측패턴을각인시키는제4단계및 상기타측패턴이각인된유동성재료에서상기제2스탬프를분리하여, 상기고분자기판상에유동성재료로이루어진양면패턴을성형하는제5단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는양면패턴의제조방법및 이에의해제조된양면패턴을그 기술적요지로한다. 이에의해본 발명은간단한공정에의해양면패턴을동시에성형할수 있으며, 이후이종의기판또는박막에용이하게전사할수 있어다양한분야에의활용이가능한효과가있다.

Abstract translation: 本发明涉及的制造方法，因此通过将第一压模通过热形成具有微结构图案到所述第一压模与聚合物基体的聚合物基体的微结构图案由双面图案制造的双面模式，和 通过将第一印模与其上印有第一图案的聚合物基材分离而在聚合物基材上形成第一图案的第二步骤和在聚合物基材上形成第一图案的第二步骤， 在释放聚合物基底上施加流体材料以在流体材料的下侧上形成反相降低图案的第三步骤，在施加的流体材料上形成微结构图案的第二步骤， 第四步骤，通过在第二印模的侧面上进行固化处理，在流体材料的相对侧上用第二印模的微结构图案浸渍第二印模， 第五步，在聚合物基片上分离并形成由流体材料制成的双面图案。本发明还提供了一种制造双面图案的方法和由此制造的双面图案。 本发明可以通过简单的工艺同时形成双面图案，并且可以容易地转移到不同类型的衬底或薄膜上，从而可以应用于各种领域。