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21.发明公开
公开(公告)号：KR1020100119428A
公开(公告)日：2010-11-09
申请号：KR1020090038534
申请日：2009-04-30
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/792 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/42332 , H01L29/42348 , H01L29/7881 , H01L29/517
Abstract: PURPOSE: A charge storage layer, a forming method thereof, a nonvolatile memory device thereof, and a manufacturing method thereof are provided to easily control the density and size of the charge storage layer of a nonvolatile memory device. CONSTITUTION: A tunneling oxide film(11) is formed on the semiconductor substrate. The charge storage layer is discontinuously formed on the tunneling oxide film and includes at least two dissimilar metal nano crystals. A control oxide film(13) is formed on the metal nano crystal of the charge storage layer and the tunneling oxide film. A control gate(14) is formed on the control oxide film.
Abstract translation: 目的：提供一种电荷存储层，其形成方法，其非易失性存储器件及其制造方法，以容易地控制非易失性存储器件的电荷存储层的密度和尺寸。 构成：在半导体衬底上形成隧道氧化膜（11）。 电荷存储层不连续地形成在隧道氧化膜上，并且包括至少两种不同的金属纳米晶体。 在电荷存储层的金属纳米晶体和隧道氧化膜上形成控制氧化膜（13）。 控制栅极（14）形成在控制氧化膜上。
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公开(公告)号：KR100900569B1
公开(公告)日：2009-06-02
申请号：KR1020070030850
申请日：2007-03-29
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/42324 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L29/513
Abstract: 본 발명은 밀도 및 크기를 용이하게 조절할 수 있는 나노 크기의 나노 크리스탈을 고온의 열처리 공정 없이 마이셀을 이용하여 합성하여, 비휘발성 메모리 장치의 플로팅 게이트로 사용할 수 있도록 하는 플로팅 게이트 형성 방법, 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방에 관한 것이다.
이러한, 본 발명은 반도체 기판 상에 플로팅 게이트를 형성하는 방법은, 반도체 기판 상에 터널링 산화막을 형성하는 단계와, 상기 터널링 산화막 상에 자기 조립 방식으로 형성되는 나노 구조에 금속염을 합성할 수 있는 선구 물질이 도입된 마이셀 템플릿을 포함하는 게이트 형성 용액을 코팅하는 단계와, 상기 반도체 기판 상의 상기 마이셀 템플릿을 제거하여 상기 터널링 산화막 상에 상기 금속염을 배열시켜 상기 플로팅 게이트를 형성하는 단계를 포함한다.
비휘발성 메모리, 플로팅 게이트, 마이셀 중합체, 나노 크리스탈, 자기 조립-
23.发明公开다층의 전하저장층을 가지는 플로팅 게이트, 플로팅게이트의 제조방법, 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및그 제조방법 有权具有多个充电储存层的浮动闸门，用于制造浮动闸门的方法，非易失性存储器装置和使用其制造非易失性存储器件的方法
公开(公告)号：KR1020090032352A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：KR1020070097519
申请日：2007-09-27
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/42332 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/42348 , H01L29/513 , H01L21/0223
Abstract: A floating gate having multiple charge storing layers, a method for fabricating the floating gate, a non-volatile memory device and a method for fabricating the non-volatile memory device using the same are provided to improve the charge storage capacity of the non-volatile memory device by laminating polyelectrolyte and metal nano crystal in multilayer. A gate structure is formed on the upper side of a silicon substrate(10). The gate structure comprises a tunneling oxide film(11), a floating gate(20) having charge storage layers(12a,13a-12n,13n) of multilayer, a control oxide film(14), and a control gate(15). A source region and a drain region doped with the impurity are formed in the silicon substrate. A channel region is formed between the source region and the drain region. The floating gate is formed on the top of the tunneling oxide film through the self-assembly method. The floating gate is made of the charge storage layer of multilayer.
Abstract translation: 提供具有多个电荷存储层的浮动栅极，用于制造浮置栅极的方法，非易失性存储器件和使用其的非易失性存储器件的制造方法，以提高非易失性存储器件的电荷存储容量 存储器件通过在多层膜中层压聚电解质和金属纳米晶体。 栅极结构形成在硅衬底（10）的上侧。 栅极结构包括隧道氧化膜（11），具有多层电荷存储层（12a，13a-12n，13n）的浮栅（20），控制氧化膜（14）和控制栅极（15）。 在硅衬底中形成掺杂有杂质的源区和漏区。 在源极区域和漏极区域之间形成沟道区域。 浮动栅极通过自组装方法形成在隧道氧化膜的顶部。 浮栅由多层电荷存储层制成。
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公开(公告)号：KR1020080048195A
公开(公告)日：2008-06-02
申请号：KR1020060118233
申请日：2006-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사 , 국민대학교산학협력단
CPC classification number: H01L51/0021 , G03F7/0755 , G03F7/165 , H01L51/0023
Abstract: A method for forming a conductive polymer pattern is provided to improve the adhesive strength to an oxide layer and to enhance the precision of patterning. A method for forming a conductive polymer pattern comprises the steps of forming a self-assembly monolayer(30) on a substrate(10); patterning the self-assembly monolayer; forming a catalyst layer(60) on the self-assembly monolayer; and forming a conductive polymer layer on the self-assembly monolayer. Preferably an insulation layer(20) is formed between the substrate and the self-assembly monolayer. Preferably the conductive polymer layer is made of a polythiophene-based material or a polyaniline-based material.
Abstract translation: 提供形成导电聚合物图案的方法以改善对氧化物层的粘合强度并提高图案化的精度。 形成导电聚合物图案的方法包括以下步骤：在基底（10）上形成自组装单层（30）; 图案化自组装单层; 在所述自组装单层上形成催化剂层（60）; 并在自组装单层上形成导电聚合物层。 优选地，在衬底和自组装单层之间形成绝缘层（20）。 优选地，导电聚合物层由基于聚噻吩的材料或基于聚苯胺的材料制成。
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公开(公告)号：KR102156473B1
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：KR1020180041516
申请日：2018-04-10
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: B29C64/188 , B29C64/268 , B29C64/393 , B29C64/371 , B33Y50/02 , B33Y40/00 , B33Y30/00 , B33Y10/00
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101724549B1
公开(公告)日：2017-04-07
申请号：KR1020130114257
申请日：2013-09-26
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: G01L1/14 , H01L41/193 , H01L41/45 , G01G7/06
Abstract: 대전된기재상에형성된제 1 전극; 상기제 1 전극에대향배치되는제 2 전극; 상기제 1 전극및 상기제 2 전극사이에복수층으로형성된유기물층; 및, 상기유기물층상에형성된, 전도성물질및 고분자물질을함유하는혼합물층을포함하는압력센서, 및상기압력센서의제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR101644856B1
公开(公告)日：2016-08-02
申请号：KR1020150080974
申请日：2015-06-09
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: G02F1/1335
Abstract: 편광백라이트유닛및 상기편광백라이트유닛을포함하는디스플레이장치에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种偏振光背光单元和包括偏光背光单元的显示装置。 偏光背光单元包括：导光板，包括导光单元和光提取单元; 形成在所述导光单元和所述光提取单元之间的偏振单元; 以及形成为在导光单元的一个侧表面上面对光源的半波片。 因此，可以制造具有最大光学效率的显示装置。
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28.发明公开
公开(公告)号：KR1020160063264A
公开(公告)日：2016-06-03
申请号：KR1020150165195
申请日：2015-11-25
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L21/02 , H01L21/768 , C08K3/00 , C08L101/00
Abstract: 본발명은실리콘기판관통홀형성방법, 실리콘기판관통전기연결요소형성방법및 이를이용하여제조되는반도체소자에관한것으로서, 보다상세하게는측벽에덴트를구비하고있는관통홀을양전하및 음전하폴리머를교차적층하여다공성탄성층을형성함으로써관통홀의측벽거칠기를감소시키고저유전율을나타낼수 있는실리콘기판관통홀형성방법, 실리콘기판관통전기연결요소형성방법및 이를이용하여제조되는반도체소자에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种形成硅衬底通孔的方法，一种用于形成硅衬底穿透电连接元件的方法，以及使用该方法制造的半导体器件，其将正电荷和负电荷聚合物交替堆叠在通孔 在其侧壁上具有凹陷以形成多孔弹性层，从而减小通孔的侧壁的粗糙度并且表现出低介电常数。 形成硅衬底通孔的方法包括以下步骤：在衬底上形成通孔; 预处理通孔的侧壁进行通电; 通过用具有与基底相反的电荷的聚合物涂覆预处理的侧壁来形成第一聚合物层; 以及通过用具有与基底相同的电荷的聚合物涂覆第一聚合物层来形成第二聚合物层。
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公开(公告)号：KR1020150139813A
公开(公告)日：2015-12-14
申请号：KR1020150168262
申请日：2015-11-30
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: G02F1/1335
Abstract: 본원은, 광추출도광판을포함하는백라이트유닛, 및상기백라이트유닛을포함하는디스플레이장치에관한것이다.
Abstract translation: 背光单元技术领域本发明涉及一种背光单元，其包括：光引导板和包括该背光单元的显示装置。 所述背光单元包括：所述导光板包括在其一侧上形成的微透镜或微棱镜; 微棱镜片，微棱镜布置在其上; 以及由导光板和通过交叉方法耦合的微棱镜片形成的光学轨迹。
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公开(公告)号：KR1020140108809A
公开(公告)日：2014-09-15
申请号：KR1020130022267
申请日：2013-02-28
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L21/28 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/76831 , H01L21/76822 , H01L21/76832
Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a metal line using an expansive absorbing film formed by multi-layered thin films, comprising a step for preparing a base material where a pattern is formed; a step for arranging one or more layers of an organic matter layer on the base material where the pattern is formed; and a step for filling inside the pattern of the base material by absorbing metal on the organic matter layer.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用由多层薄膜形成的膨胀吸收膜制造金属线的方法，包括制备形成图案的基材的步骤; 在形成图案的基材上排列一层或多层有机物层的工序; 以及通过在有机物层上吸收金属填充基材的图案内的步骤。
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