公开(公告)号：KR100732260B1

公开(公告)日：2007-06-25

申请号：KR1020057005449

申请日：2003-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시모토신야 ,  미쓰하시고지 ,  사이구사히데히토 ,  다카세다이라 ,  나카야마히로유키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L51/00 ,  H01J37/00

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32972

Abstract: 본 발명은 플러그와 플랜지를 구비한 광학창 용착실드에 관한 것이다. 상기 플러그는 용착실드에 형성된 열린구멍을 통해서 뻗어 있다. 상기 플랜지는 상기 플러그에 연결되어 있으며, 용착실드에 광학창 용착실드을 부착할 수 있도록 구성되어 있다. 상기 플러그는 전방면과 주변면으로 구성된다. 상기 플랜지는 제1면, 제2면, 모서리면으로 구성되어 있고, 상기 제1면은 접촉면을 더 포함하고 있다.

公开(公告)号：KR100625099B1

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：KR1020040066689

申请日：2004-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  나가이케히로시 ,  나카야마히로유키

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/67028 ,  B08B3/12 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/6831

Abstract: 감압 처리 동안 부재에 부착된 미립자를 비산시켜 부재를 청정화하기 위해서, 부재에 전압을 인가하여 맥스웰(Maxwell)의 응력을 이용하여 미립자를 비산시키는 수단, 미립자를 대전시켜 쿨롱력을 이용하여 비산시키는 수단, 감압 처리실에 가스를 도입하고, 미립자가 부착된 부재에 가스 충격파를 도달시켜, 미립자를 비산시키는 수단, 부재의 온도를 상승시키고, 열응력(熱應力) 및 열영동력(熱泳動力)에 의해 미립자를 비산시키는 수단, 또는 부재에 기계적 진동을 부여하여 미립자를 비산시키는 수단을 사용한다. 또한, 비산시킨 미립자를 비교적 고압 분위기에서 가스류에 동반시켜서 제거한다.

公开(公告)号：KR1020050067406A

公开(公告)日：2005-07-01

申请号：KR1020057005449

申请日：2003-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시모토신야 ,  미쓰하시고지 ,  사이구사히데히토 ,  다카세다이라 ,  나카야마히로유키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L51/00 ,  H01J37/00

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32972

Abstract: The present invention presents an improved optical window deposition shield an improved optical window deposition shield for optical access to a process space in a plasma processing system through a deposition shield, wherein the design and fabrication of the optical window deposition shield advantageously provides an optically clean access to the processing plasma in the process space while sustaining substantially minimal erosion of the optical window deposition shield.

Abstract translation: 本发明提出了一种改进的光学窗口沉积屏蔽，用于通过沉积屏蔽对光学访问等离子体处理系统中的处理空间的改进的光学窗口沉积屏蔽，其中光学窗口沉积屏蔽的设计和制造有利地提供光学干净的访问 涉及在处理空间中处理等离子体，同时维持基本上最小的光学窗口沉积屏蔽的侵蚀。

公开(公告)号：KR1020050053712A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：KR1020057005450

申请日：2003-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이구사히데히토 ,  다카세다이라 ,  미쓰하시고지 ,  나카야마히로유키

IPC: H01J37/00 ,  H01J37/02

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32477

Abstract: The present invention presents an improved bellows shield(54) for a plasma processing system(1), wherein the design and fabrication of the bellows shield coupled to a substrate holder electrode(30) advantageously provides protection of a bellows(52) with substantially minimal erosion of the bellows shield.

Abstract translation: 本发明提出了一种用于等离子体处理系统（1）的改进的波纹管屏蔽（54），其中耦合到衬底保持器电极（30）的波纹管屏蔽的设计和制造有利地提供对波纹管（52）的保护，其基本上最小 波纹管屏蔽侵蚀。

公开(公告)号：KR1020040007543A

公开(公告)日：2004-01-24

申请号：KR1020037014519

申请日：2002-04-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가야마노부유키 ,  미츠하시코지 ,  나카야마히로유키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4404

Abstract: 피복막을 형성하는 피복제(51)를 고리화 고무-비스아지드 등의 주성분과 감광제로 이루어지는 레지스트로 하고, 챔버내 부품(50)에 형성된 피복제(51)의 피복막에 퇴적한 디포지트(52)를 챔버(22)내로부터 분리한 챔버내 부품(50)과 함께 아세톤 등의 박리액에 침지함으로써, 피복막에 부착한 채로 피복막의 박리와 함께 챔버내 부품(50)으로부터 분리할 수 있다.

公开(公告)号：KR101124795B1

公开(公告)日：2012-03-23

申请号：KR1020090016236

申请日：2009-02-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카야마히로유키 ,  모리야츠요시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/66

Abstract: 본 발명은 챔버내 부품의 수명을 정확하게 검지하고, 수명에 도달하지 않은 부품을 교환하는 것에 의한 낭비 및 수명이 경과한 부품을 계속 사용함에 의한 트러블의 발생을 방지할 수 있는 챔버내 부품을 제공한다. 본 발명에 의하면, 플라즈마 처리장치에 적용되는 포커스링(26) 등의 챔버내 부품이고, 구성 재료와는 다른 원소, 예를 들면 스칸듐(Sc)으로 이루어지는 수명 검출용 원소층(51, 52)이 매설되어 있는 것을 설치한 기판 처리장치(10)를 이용하여 웨이퍼(W)에 대하여 RIE처리를 실행하고, 처리 가스중의 발광 스펙트럼을 플라즈마 발광 분광기(46)에 의해 감시하고, 수명 검출용 원소층(51, 52)에 기인하는 스펙트럼을 검출함으로써 포커스링(26)등의 챔버내 부품의 수명을 검지한다.

公开(公告)号：KR101061673B1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：KR1020090013008

申请日：2009-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와타마나부 ,  나카야마히로유키 ,  마스자와겐지 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165

Abstract: 본 발명은 플라즈마 처리의 균일성 제어 범위가 넓고 또한 데포(deposit)에 의한 CD(critical dimension) 불균일과 같은 부작용이 잘 생기지 않는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 챔버(10)에 서로 대향하도록 배치되고, 외측 전극(34a) 및 내측 전극(34b)으로 이루어지는 상부 전극(34) 및 웨이퍼 지지용의 하부 전극(16)을 갖고, 하부 전극(16)에 40㎒의 제 1 고주파 전력을 인가하는 제 1 고주파 전원(89) 및 3.2㎒의 제 2 고주파 전력을 인가하는 제 2 고주파 전원(90)을 접속하고, 외측 전극(34a) 및 내측 전극(34b)에 각각 직류 전압을 인가하는 제 1 직류 전압 인가 회로(47a) 및 제 2 직류 전압 인가 회로(47b)를 접속하고, 플라즈마 생성 공간측에서 상부 전극(34)을 보았을 때의 외측 전극(34a)에 있어서의 주파수-임피던스 특성이, 외측 전극(34a)에 인가되는 직류 전압이 증가함에 따라, 40㎒에 있어서 임피던스가 감소하고, 3.2㎒에 있어서 임피던스가 증가하는 특성으로 된다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是，以控制等离子体的均匀性，加工范围广还提供了一种等离子体处理装置不引起副作用，如细微的凹凸（临界尺寸）CD由车厂（存款）。 用于支撑晶片的上电极34和下电极16布置成在腔室10中彼此面对并且包括外电极34a和内电极34b。 的第一连接到第二高频电源90用于施加第二射频发生器（89）和3.2㎒的第一射频功率施加高频电力，在各外部电极（34A）和内部电极（34b）的 连接所施加的第一直流电压的直流电压的等离子体生成空间侧观察在上部电极34时被施加到电路（47A）和第二直流电压施加电路（47B），在所述外电极（34A） 当施加到外部电极34a的DC电压增加时，频率阻抗特性在40MHz处的阻抗减小并且在3.2MHz处的阻抗增加。

公开(公告)号：KR1020090103805A

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：KR1020090026118

申请日：2009-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  마스자와겐지 ,  나카야마히로유키 ,  이와타마나부 ,  사토마나부 ,  나리시게가즈키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32541 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and plasma etching method are provided to improve the uniformity of the etching property in the etching processes. CONSTITUTION: The plasma processing apparatus includes the treatment basin(10), the bottom electrode, the top of inside electrode(60), the outer side upper electrode(62), the processing gas supply part(76), the first radio frequency feeding unit, the first direct current feeding unit, and the second direct current feeding unit. The bottom electrode mounts the processed substrate within the process chamber. The inner side upper electrode is arranged to the front side of the bottom electrode within the process chamber. The processing gas supply part supplies the process gas to the process space of the gap of the inner side and outer side upper electrode and bottom electrode. The first direct current feeding unit applies the first direct current voltage to the top of inside electrode. The second direct current feeding unit applies the second direct current voltages of a variable to the outer side upper electrode.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法，以提高蚀刻工艺中的蚀刻性能的均匀性。 构成：等离子体处理装置包括处理池（10），底部电极，内部电极（60）的顶部，外侧上部电极（62），处理气体供给部（76），第一射频供给 单元，第一直流供电单元和第二直流供电单元。 底部电极将处理过的衬底安装在处理室内。 内侧上部电极配置在处理室内的底部电极的前侧。 处理气体供给部将处理气体供给到内侧和外侧上部电极和底部电极的间隙的处理空间。 第一直流馈电单元将第一直流电压施加到内部电极的顶部。 第二直流供电单元将外部上部电极的第二直流电压施加到外侧上部电极。

公开(公告)号：KR1020090103711A

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：KR1020090016236

申请日：2009-02-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카야마히로유키 ,  모리야츠요시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01J37/32972 ,  H01L21/67069

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to prevent waste due to replacement of a part which is not old. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus includes a plurality of parts inside a chamber. A chemical element layer(51,52,53) for detecting lifetime made of element different from the parts inside the chamber is formed in the parts inside the chamber. The chemical element layer for detecting lifetime is formed in a position corresponding to a worn surface of the parts inside the chamber, and is formed in a depth corresponding to a maximum value of allowable worn thickness of the parts inside the chamber.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，以防止由于更换不老的部件而造成的浪费。 构成：等离子体处理装置包括室内的多个部分。 在室内的部分中形成用于检测由与室内部不同的元件制成的寿命的化学元素层（51,52,53）。 用于检测寿命的化学元素层形成在与腔室内的部件的磨损表面相对应的位置，并且形成为与腔室内的部件的允许磨损厚度的最大值相对应的深度。

公开(公告)号：KR1020090089265A

公开(公告)日：2009-08-21

申请号：KR1020090013008

申请日：2009-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와타마나부 ,  나카야마히로유키 ,  마스자와겐지 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165

Abstract: A plasma processing apparatus, a plasma processing method, and a storage medium are provided to find a proper plasma process condition by controlling a voltage value applied to an electrode to obtain the wanted uniformity of the plasma density. A process container to perform a vacuum-exhaust receives a substrate to be processed. A first electrode is divided to an outer electrode(34a) comprising an outer part and an inner electrode(34b) classifying a center area. A second electrode supports the substrate to be processed. A first high frequency power applying unit applies the first high frequency power with the high frequency to a second electrode. A second high frequency power applying unit applies the second high frequency power with relatively low frequency to the second electrode. A first direct current voltage applying circuit(47a) applies the DC voltage to the outer electrode. A second direct voltage applying circuit(47b) applies the DC voltage to the inner electrode.

Abstract translation: 提供等离子体处理装置，等离子体处理方法和存储介质以通过控制施加到电极的电压值来获得等离子体密度的所需均匀性来找到适当的等离子体处理条件。 执行真空排气的处理容器接收待处理的基板。 第一电极被分成包括对中心区域进行分类的外部部分和内部电极（34b）的外部电极（34a）。 第二电极支撑待处理的基板。 第一高频功率施加单元将高频率的第一高频功率施加到第二电极。 第二高频功率施加单元将具有较低频率的第二高频功率施加到第二电极。 第一直流电压施加电路（47a）将直流电压施加到外部电极。 第二直流施加电路（47b）将直流电压施加到内部电极。