公开(公告)号：KR101888000B1

公开(公告)日：2018-08-13

申请号：KR1020187008876

申请日：2013-04-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미아츠시 ,  미야시타데츠야 ,  후루카와신지 ,  마에다고지 ,  하라마사미치 ,  스즈키나오유키 ,  미키히로시 ,  히라타도시하루

IPC: H01L43/12 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01J37/32733 ,  C23C14/568 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67745 ,  H01L43/12

Abstract: 처리모듈이사용할수 없게되었을때, 장치의가동을정지하지않고기판의처리를속행함으로써, 웨이퍼(W)의폐기수를저감한다. 반송실내에서웨이퍼(W)의전달이가능한웨이퍼반송기구(3)의열과, 이열의좌우양측에서당해열을따라배치되고, 웨이퍼(W)에대하여처리를행하는처리모듈(PM)의열을구비하고, 상기처리모듈(PM)의열은, 상기일련의처리의각 처리가적어도 2 개의처리모듈(PM) 모두에서행할수 있도록구성되어있다. 이때문에, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때는, 당해처리와동일한처리를행할수 있는다른처리모듈(PM)로웨이퍼(W)를신속하게반송할수 있다. 따라서, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때에도, 장치의가동을정지하지않고웨이퍼(W)의처리를속행할수 있어, 웨이퍼(W)의폐기수가저감된다

公开(公告)号：KR101434033B1

公开(公告)日：2014-08-25

申请号：KR1020120107787

申请日：2012-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈노시게루 ,  도시마히로유키 ,  고미아츠시 ,  미야시타데츠야 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/32688 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/3455

Abstract: 본 발명의 과제는 성막속도의 면내 균일성을 확보하면서, 성막 효율을 향상시키고, 타겟의 사용 효율을 향상시키는 것이다. 본 발명의 마그네트론 스퍼터 장치는 진공용기(2)내에 탑재된 웨이퍼(10)에 대향하도록 타겟(31)을 배치하고, 이 타겟(31)의 배면측에 마그네트 배열체(5)를 마련한다. 이 마그네트 배열체(5)는 마그네트(61, 62)가 매트릭스형상으로 배열된 내측 마그네트군(54)과, 이 내측 마그네트군(54)의 주위에 마련되고, 전자의 튀어나감을 저지하는 리턴용의 마그네트(53)를 구비하고 있다. 이에 따라 타겟(31)의 바로 아래에 커스프 자계에 의한 전자의 드리프트에 의거하여 고밀도의 플라즈마가 발생하고, 또 이로전의 면내 균일성이 높아진다. 이 때문에 타겟(31)과 웨이퍼(10)를 접근시켜 스퍼터를 실행할 수 있고, 성막속도의 면내 균일성을 확보하면서, 성막 효율을 향상시킬 수 있는 동시에, 타겟의 사용 효율이 높아진다.

公开(公告)号：KR1020120006950A

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：KR1020110069572

申请日：2011-07-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야시타데츠야 ,  하라마사미치 ,  미즈사와야스시 ,  히라타도시하루

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67173 ,  H01L21/67736

Abstract: PURPOSE: A vacuum processing apparatus is provided to control time which is required for transferring and loading a substrate by controlling the footprint of a whole device. CONSTITUTION: A preparatory vacuum chamber(2a) for carrying-in carries a substrate from an atmospheric pressure mode. The preparatory vacuum chamber(2b) for carrying-out takes out the substrate, which is processed at a process station, to the atmospheric pressure mode. A transfer module(12) takes out the substrate, in which processing is completed, to the preparatory vacuum chamber. A controller(20) controls the driving of a vacuum processing device. A loader(23) includes a heater for heating the substrate and an electrostatic chuck for electrostatically absorbing the substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种真空处理设备，通过控制整个设备的占地面积来控制传送和加载基板所需的时间。 构成：用于携带的预备真空室（2a）从大气压模式运载基板。 用于进行的预备真空室（2b）将在处理站处理的基板取出到大气压模式。 转移模块（12）将完成了处理的基板取出到预备真空室。 控制器（20）控制真空处理装置的驱动。 装载机（23）包括用于加热基板的加热器和用于静电吸收基板的静电卡盘。

公开(公告)号：KR1020060019536A

公开(公告)日：2006-03-03

申请号：KR1020057021540

申请日：2004-05-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카마사유키 ,  가이고우조 ,  무라카미세이시 ,  미야시타데츠야

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/4412 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562

Abstract: A treating device for applying film- formation treatment to a body to be treated (for example, semiconductor wafer) by using raw material gas and reactive gas, comprising a treatment container (22) storing the body to be treated (W) therein, a raw material gas supply system (50) and a reactive gas supply system (52) selectively supplying the raw material gas and the reactive gas into the treatment container, and an evacuating system (36) having vacuum pumps (44) and (46) for evacuating atmosphere in the treatment container. The device further comprises a raw material gas bypassing system (62) and a reactive gas bypassing system (66) selectively flowing the raw material gas and the reactive gas from the gas supply systems to the evacuating system while bypassing the treatment container. A raw material gas outflow prevention valve (X1) and a reactive gas outflow prevention valve (Y1) for preventing, in closed states, the raw material gas and the reactive gas from flowing out to the evacuation system are installed in the bypass systems (62) and (66).

Abstract translation: 一种处理装置，其通过使用原料气体和反应性气体，将待处理体（例如半导体晶片）进行成膜处理，包括：将待处理体（W）存储在其中的处理容器（22） 原料气体供给系统（50）和选择性地将原料气体和反应性气体供给到处理容器中的反应气体供给系统（52）以及具有真空泵（44）和（46）的排气系统（36），用于 在处理容器中抽真空。 该装置还包括原料气旁通系统（62）和反应气体旁通系统（66），其选择性地将原料气体和反应性气体从气体供应系统流动到排气系统，同时绕过处理容器。 旁路系统（62）中安装有原料气体流出防止阀（X1）和反应气体流出防止阀（Y1），用于防止原料气体和反应气体在关闭状态下流出到排气系统 ）和（66）。