公开(公告)号：KR1020060009232A

公开(公告)日：2006-01-31

申请号：KR1020057012922

申请日：2004-12-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  이이노다다시 ,  사이토유스케 ,  나카모리미츠노리 ,  유치다노리타카 ,  오리이다케히코

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/304

CPC classification number: G03F7/427 ,  H01L21/31138

Abstract: Disclosed is a processing method for removing an ArF resist film from a wafer having such an ArF resist film. The ArF resist film is irradiated with an ultraviolet light, and then treated with an ozone gas and water vapor supplied thereto, so that the ArF resist film is modified into a water-soluble one. By supplying a purified water to the thus-modified water-soluble ArF resist film, the ArF resist film is removed from the substrate.

Abstract translation: 公开了从具有这种ArF抗蚀剂膜的晶片去除ArF抗蚀剂膜的处理方法。 用紫外线照射ArF抗蚀剂膜，然后用供给其的臭氧气体和水蒸气进行处理，使得ArF抗蚀剂膜被改性为水溶性膜。 通过向经过改性的水溶性ArF抗蚀剂膜提供净化水，从基板除去ArF抗蚀剂膜。

公开(公告)号：KR101937727B1

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：KR1020160035300

申请日：2016-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토유스케 ,  이치카와히로노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32

公开(公告)号：KR101835683B1

公开(公告)日：2018-03-07

申请号：KR1020150106596

申请日：2015-07-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토유스케 ,  이시타류우

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 다층막의에칭에있어서, 마스크의개구의폐색을억제하고, 또한다층막에형성되는스페이스의수직성을향상시킨다. 다층막은, 교호로적층된제 1 막및 제 2 막을포함하고, 제 1 막및 제 2 막은서로상이한유전율을가진다. 다층막을에칭하는방법은, (a) 플라즈마처리장치의처리용기내에, 다층막및 이다층막상에마련된마스크를가지는피처리체를준비하는공정과, (b) 다층막을에칭하는공정으로, 수소가스, 플루오르하이드로카본가스, 불소함유가스, 탄화수소가스, 삼염화붕소가스및 질소가스를포함하는처리가스를상기처리용기내에서여기시키는상기공정을포함한다.

Abstract translation: 在多层膜的蚀刻中，掩模的开口的堵塞被抑制，多层膜中形成的空间的垂直性提高。 多层膜包括交替堆叠的第一膜和第二膜，并且第一膜和第二膜具有彼此不同的介电常数。 蚀刻多层膜的方法包括以下步骤：（a）在等离子体处理装置的处理容器中制备具有设置在多层膜上的多层膜和掩模的待处理物体;以及（b） 以及在处理容器内激发含有烃气体，含氟气体，烃气体，三氯化硼气体和氮气的处理气体的步骤。

公开(公告)号：KR101639633B1

公开(公告)日：2016-07-14

申请号：KR1020137019573

申请日：2012-01-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타나까타카시 ,  사이토유스케 ,  이와시타미츠아키 ,  토시마타카유키

IPC: C23C18/31

CPC classification number: B05C5/001 ,  B05D1/02 ,  C23C18/1614 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1676 ,  C23C18/168 ,  C25D17/001 ,  G03F7/162 ,  H01L21/288 ,  H01L21/67017

Abstract: 도금액을효율적으로가열하는도금처리방법을제공한다. 도금처리장치(20)는, 기판(2)을회전보지하는기판회전보지기구(110)와, 기판(2)으로도금액(35)을공급하는도금액공급기구(30)를구비하고있다. 이중 도금액공급기구(30)는, 기판(2)으로공급되는도금액(35)을저류하는공급탱크(31)와, 도금액(35)을기판(2)에토출하는토출노즐(32)과, 공급탱크(31)의도금액(35)을토출노즐(32)로공급하는도금액공급관(33)을가지고있다. 또한, 도금액공급기구(30)의공급탱크(31) 또는도금액공급관(33) 중적어도어느일방에, 도금액(35)을제 1 온도로가열하는제 1 가열기구(50)가장착되어있다. 또한, 제 1 가열기구(50)보다토출노즐(32)측에서, 도금액공급관(33)에, 도금액(35)을제 1 온도보다고온인제 2 온도로가열하는제 2 가열기구(60)가장착되어있다.

公开(公告)号：KR1020160026701A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：KR1020150115371

申请日：2015-08-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토유스케 ,  나가토모유 ,  히시누마하야토 ,  다카야마와타루 ,  도미나가쇼 ,  가네코유키

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/31144

Abstract: 본발명은, 실리콘산화막및 실리콘질화막이교대로마련됨으로써구성된다층막을갖는제1 영역과, 단층의실리콘산화막을갖는제2 영역을에칭하는방법을제공한다. 일실시형태의에칭방법은, 피처리체를수용한처리용기내에서하이드로플루오로카본가스를포함하는제1 처리가스의플라즈마를생성하는공정과, 상기처리용기내에서플루오로카본가스를포함하는제2 처리가스의플라즈마를생성하는공정을포함한다. 이방법에서는, 제1 처리가스의플라즈마를생성하는공정과제2 처리가스의플라즈마를생성하는공정이교대로반복된다.

Abstract translation: 提供了一种用于蚀刻具有由交替设置的氧化硅膜和硅氮化腈膜构成的多层膜的第一区域的方法和具有单层氧化硅膜的第二区域。 根据本发明的一个实施例，蚀刻方法包括以下处理：在包含待处理物体的处理容器中产生含有氢氟烃气体的第一工艺气体的等离子体; 并且在处理容器中产生含有碳氟化合物气体的第二工艺气体的等离子体。 在该方法中，替代地重复第一和第二处理气体的产生等离子体的方法。

公开(公告)号：KR1020150059117A

公开(公告)日：2015-05-29

申请号：KR1020140162645

申请日：2014-11-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타나까타카시 ,  미즈타니노부타카 ,  사이토유스케 ,  이와시타미츠아키

IPC: H01L21/288

CPC classification number: H01L21/76874 ,  B05D3/002 ,  B05D3/02 ,  B05D3/10 ,  C23C18/1893 ,  C23C18/40 ,  C23C18/48 ,  H01L21/76898

Abstract: 촉매금속나노입자를하지막상에양호하게정착시킨다. 도금의전처리방법은, 물을포함하는용제에촉매금속나노입자및 분산제를분산시켜이루어지는촉매입자용액을기판에공급하여, 기판의표면에촉매입자함유막을형성하는촉매입자함유막형성공정과, 상기기판을제 1 온도로가열하여, 적어도상기촉매입자함유막에포함되는수분을제거하는제 1 가열공정과, 상기제 1 가열공정후에, 상기기판을상기제 1 온도보다높은제 2 온도로가열함으로써상기분산제를중합시켜시트화하여, 이에의해, 이시트화된분산제에의해상기촉매금속나노입자를덮고, 또한하지층에고착하는제 2 가열공정을구비한다.

Abstract translation: 根据本发明的电镀预处理方法令人满意地将催化金属纳米颗粒固定在底层上。 电镀预处理方法包括：催化剂颗粒含有层形成方法，将由分散催化剂金属纳米颗粒和分散剂形成的催化剂颗粒溶液供入到含有溶剂的水中，形成含有催化剂颗粒的层， 基材; 第一加热过程，在第一温度下加热基底以除去含有催化颗粒的层中的水分; 以及在完成第一加热处理之后，在高于第一温度的第二温度下加热基材以使分散剂聚合以形成片材的第二加热方法，通过该片材形成片状分散剂，通过该片材覆盖催化金属纳米颗粒并固定催化金属 纳米颗粒在底层上。

公开(公告)号：KR101178868B1

公开(公告)日：2012-08-31

申请号：KR1020090022644

申请日：2009-03-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타나까타카시 ,  사이토유스케 ,  이와시타미츠아키

IPC: C25D17/00

CPC classification number: C25D17/001 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76849

Abstract: 기판면 내에서 균일한 막 두께 형성을 실현하는 것이다. 이 처리액 공급 장치는, 대략 수평으로 유지한 기판의 처리면에 도금액을 토출하는 공급홀을 갖는 노즐과, 소정의 매수의 기판 처리에 필요한 양의 도금액을 수용하고, 수용한 도금액을 소정의 온도로 조절하는 온도 조절부와, 노즐 및 온도 조절부의 사이에 배설되고, 온도 조절부에 의하여 온도 조절된 도금액을 소정의 온도로 유지하는 보온부와, 온도 조절부에 의하여 소정의 온도로 조절된 도금액을, 보온부를 거쳐 노즐의 공급홀을 향하여 송출하는 송출 기구를 구비한다.

公开(公告)号：KR101123703B1

公开(公告)日：2012-03-16

申请号：KR1020090022548

申请日：2009-03-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  이와시타미츠아키 ,  타나까타카시 ,  사이토유스케

IPC: H01L21/288 ,  C23C18/31

CPC classification number: H01L21/288 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/1669 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/76849

Abstract: 기판면 내에서 균일한 막 두께 형성을 실현하는 것이다. 이 캡 메탈 형성 방법은, 기판의 피처리면에 형성된 구리 배선 상에 캡 메탈을 형성하는 방법으로서, 기판을 회전 가능하게 유지하는 단계와, 유지된 기판을 기판의 피처리면에 따르는 방향으로 회전시키는 단계와, 기판의 주연부의 피처리면 상에 일정 간격으로 대향하여 교반(攪拌) 부재의 단부(端部)를 배치하는 단계와, 피처리면에 도금 처리액을 공급하는 단계와, 도금 처리액의 공급을 정지시키고, 또한, 교반 부재를 이동하여 해당 교반 부재의 단부를 기판의 피처리면으로부터 이간시키는 단계를 갖는다.

公开(公告)号：KR101123704B1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：KR1020090022787

申请日：2009-03-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타나까타카시 ,  사이토유스케 ,  이와시타미츠아키

IPC: H01L21/288 ,  C23C18/38

CPC classification number: C23C18/1628 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/1682 ,  C23C18/31 ,  C23C18/38

Abstract: 기판면 내에서 균일한 막 두께 형성을 실현하는 것이다. 이 캡 메탈 형성 방법은, 2 개 이상의 발수성이 다른 영역을 갖는 기판의 피처리면에 캡 메탈을 형성하는 방법으로서, 기판을 내부 챔버 내에 배설된 회전 가능한 유지 기구에 수평 유지하는 유지 단계와, 내부 챔버를 감싸는 외부 챔버의 상면에 배설된 가스 공급 홀을 거쳐, 내부 챔버와 외부 챔버 사이에 가스를 공급하는 가스 공급 단계와, 내부 챔버와 외부 챔버 사이에 압력 구배를 형성하는 압력 구배 형성 단계와, 가스 공급 단계에 의해 내부 챔버 내의 가스 압력이 소정의 값이 된 후에, 기판의 피처리면의 소정 위치에 도금액을 공급하여, 영역의 적어도 하나에 캡 메탈을 형성하는 도금액 공급 단계를 가지고 있다.

Abstract translation: 从而在衬底表面实现均匀的膜厚度形成。 和盖金属成形方法中，两个或更多个疏水性的保持步骤水平保持在衬底上的特征前形成盖金属和背面上具有设置在所述腔室中的可旋转的保持机构的不同区域的基板的表面的方法，该腔室 通过设置在外部腔室的上表面上的气体供给孔的包装，所述内室和所述外室之间供给气体的气体供给步骤，并且步骤压力梯度用于形成内室和外室，所述气体之间的压力梯度形成 由供应步骤中的内部腔室的预定值内的气体压力后，通过供给电镀液的对象前面和衬底的后表面的预定位置，并且具有一个电镀液供给形成在所述至少一个区域的盖的金属的步骤。

公开(公告)号：KR1020100033915A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：KR1020090022548

申请日：2009-03-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  이와시타미츠아키 ,  타나까타카시 ,  사이토유스케

IPC: H01L21/288 ,  C23C18/31

CPC classification number: H01L21/288 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/1669 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/76849

Abstract: PURPOSE: A cap metal forming method is provided to improve adhesion of plating and wring by removing organic materials contained in the plating and supplying an electroless plating solution by rotating a substrate. CONSTITUTION: A cap metal forming method comprises the following steps: maintaining a substrate; rotating the substrate on a direction followed into the processed surface; arranging an end part of an agitating member(155) by arranging a peripheral part of the substrate on the surface to be processed; supplying plating processing liquid; stopping supply of the plating processing liquid; and separating one end of the agitating member from the surface to be processed.

Abstract translation: 目的：提供一种金属帽形成方法，通过去除电镀中包含的有机材料并通过旋转基底来提供化学镀溶液来提高电镀和拧紧的附着力。 构成：帽金属成形方法包括以下步骤：保持基材; 在沿着加工表面的方向旋转基板; 通过将所述基板的周边部分布置在待处理的表面上来布置搅拌构件（155）的端部; 电镀处理液供应; 停止电镀处理液的供应; 并且将搅拌构件的一端与要处理的表面分离。