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公开(公告)号:KR101679721B1
公开(公告)日:2016-11-28
申请号:KR1020100126890
申请日:2010-12-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F1/76 , H01L21/027
CPC classification number: B82Y10/00 , G03F1/46 , G03F1/48 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/68 , G03F1/80
Abstract: 투명기판상에순차적으로적층된차광막패턴과반사방지막패턴을형성한다. 차광막패턴의측벽을산화(oxidation) 및질화(nitridation)시킴으로써보호막패턴을형성한다. 보호막패턴을형성함으로써포토마스크제조공정에서사용되는산성용액에의해포토마스크패턴의선폭이감소되는것을방지할수 있다.
Abstract translation: 在制造光掩模图案的方法中,在透明基板上依次形成遮光层图案和抗反射层图案。 在遮光层图案的侧壁上进行氧化和氮化处理,以在遮光层图案的横向部分上形成保护层图案。
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公开(公告)号:KR101639635B1
公开(公告)日:2016-07-25
申请号:KR1020100052109
申请日:2010-06-03
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B08B3/12 , G03F1/82 , H01L21/02057 , H01L21/67057
Abstract: 메가소닉세정하는방법으로, 세정대상체와구분되는공간에서, 메가소닉에의해세정액을기전시켜마이크로공동들을생성시킨다. 생성된마이크로공동들중에서, 안정적인진동의마이크로공동들만을세정대상체가로딩된공간으로이동시킨다. 또한, 상기안정적인진동의마이크로공동들을이용하여상기세정대상체의표면을세정한다. 상기방법에의하면, 세정대상체내의패턴의손상을방지하면서세정대상체표면의파티클을효과적으로제거할수 있다.
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公开(公告)号:KR1020160009982A
公开(公告)日:2016-01-27
申请号:KR1020140090620
申请日:2014-07-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: A61B5/053
CPC classification number: A61B5/053 , A61B5/6804 , A61B5/7225
Abstract: 생체임피던스측정방법및 장치가개시된다. 생체임피던스측정장치는생체임피던스를측정하기위한제1 전기신호를생성할수 있다. 생체임피던스측정장치는제1 전기신호와사용자신체의생체임피던스에기초하여발생한생체신호를보상하기위한보상신호를생성할수 있다. 생체임피던스측정장치는보상신호에의해보상된생체신호를증폭할수 있다. 생체임피던스측정장치는증폭된생체신호를분석하여측정대상의생체임피던스를추정할수 있다.
Abstract translation: 公开了用于测量生物阻抗的方法和装置。 用于测量生物阻抗的装置可以产生第一电信号以测量生物阻抗。 用于测量生物阻抗的装置可以产生补偿信号,以补偿基于用户的生物阻抗和第一电信号产生的生物信号。 用于测量生物阻抗的装置可以放大由补偿信号补偿的生物信号。 用于测量生物阻抗的装置可以通过分析放大的生物信号来估计测量目标的生物阻抗。
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公开(公告)号:KR1020150087020A
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:KR1020140007377
申请日:2014-01-21
Applicant: 삼성전자주식회사 , 충남대학교산학협력단
IPC: A61B5/053
CPC classification number: A61B5/0531 , A61B5/026 , A61B5/053 , A61B5/0537 , A61B5/0809 , A61B5/7228
Abstract: 생체임피던스측정기술이개시된다. 실시예에따른생체임피던스측정장치는제1 주파수의전류가생체를통해흐름으로써발생되는전압을제2 주파수를이용하여변조하는중간변조부, 변조된전압을증폭하는증폭부, 및증폭된전압을제3 주파수를이용하여복조하는복조부를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种用于测量生物阻抗的装置和方法。 根据本发明的实施例的用于测量生物阻抗的装置包括:调制单元,其通过使用第二频率来调制由流过身体的第一频率的电流产生的电压; 放大单元,其放大调制电压; 以及解调单元,其通过使用第三频率来解调放大的电压。
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公开(公告)号:KR1020090101671A
公开(公告)日:2009-09-29
申请号:KR1020080026958
申请日:2008-03-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/32 , H01L21/304
Abstract: PURPOSE: A method for maintaining and repairing a semiconductor process mask is provided to detach a pellicle structure from a reticle without increasing a cleaning solution and a cleaning time. CONSTITUTION: A first structure and a second structure bonded with a thermal curable material are provided. The adhesive including the thermal curable material is provided between the first structure and the second structure. The first and second structures are bonded using the adhesive. The first structure and the second structure are detached. An ashing process is performed for the first structure. The first structure is a reticle(110). The second structure is a pellicle structure(150).
Abstract translation: 目的:提供一种用于维持和修复半导体处理掩模的方法,以在不增加清洁溶液和清洁时间的情况下将防护薄膜组件与掩模版分离。 构成:提供了与热固性材料结合的第一结构和第二结构。 包括热可固化材料的粘合剂设置在第一结构和第二结构之间。 第一和第二结构使用粘合剂粘结。 第一结构和第二结构被分离。 对第一结构进行灰化处理。 第一结构是掩模版(110)。 第二结构是防护薄膜结构(150)。
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公开(公告)号:KR100652364B1
公开(公告)日:2006-11-30
申请号:KR1020000061026
申请日:2000-10-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 일정농도이상의 금속이온이 포함된 전해이온수의 공급을 차단하는 전해이온수 생성장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 세정방법에 대해 개시되어 있다. 이 장치는, 전해이온수에 포함된 금속이온을 검출하는 검출기와 금속이온 검출시 전해이온수의 생성을 중단시키는 제어기를 구비한다. 특히, 반도체 소자를 제조하는 세정공정시 일정농도이상의 금속이온이 함유된 전해이온수의 투입을 차단하는 데 매우 효과적이다.
전해이온수, 금속이온, 검출기, 제어기, 차단기-
公开(公告)号:KR100554517B1
公开(公告)日:2006-03-03
申请号:KR1020040025651
申请日:2004-04-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02052 , C11D1/66 , C11D1/72 , C11D3/044 , C11D11/0047 , H01L21/3081 , Y10S134/902
Abstract: 실리콘 게르마늄층을 포함하는 반도체 소자의 세정 공정시 상기 실리콘 게르마늄층의 손상을 방지할 수 있는 세정액 및 이를 이용한 세정 방법이 개시되어 있다. 비이온성 계면활성제 0.01 내지 2.5중량%와 염기성 화합물 0.05 내지 5.0 중량%와 여분의 순수를 포함하는 세정액은 실리콘 게르마늄층이 적층된 실리콘 기판에 소자 분리 패턴을 형성하기 위한 트랜치 형성시 트랜치에 노출된 실리콘 게르마늄층의 손상을 방지하면서 그 표면에 존재하는 불순물을 효과적으로 제거할 수 있는 효과를 갖는다.
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公开(公告)号:KR1020050100731A
公开(公告)日:2005-10-20
申请号:KR1020040025651
申请日:2004-04-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02052 , C11D1/66 , C11D1/72 , C11D3/044 , C11D11/0047 , H01L21/3081 , Y10S134/902
Abstract: 실리콘 게르마늄층을 포함하는 반도체 소자의 세정 공정시 상기 실리콘 게르마늄층의 손상을 방지할 수 있는 세정액 및 이를 이용한 세정 방법이 개시되어 있다. 비이온성 계면활성제 0.01 내지 2.5중량%와 염기성 화합물 0.05 내지 5.0 중량%와 여분의 순수를 포함하는 세정액은 실리콘 게르마늄층이 적층된 실리콘 기판에 소자 분리 패턴을 형성하기 위한 트랜치 형성시 트랜치에 노출된 실리콘 게르마늄층의 손상을 방지하면서 그 표면에 존재하는 불순물을 효과적으로 제거할 수 있는 효과를 갖는다.
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公开(公告)号:KR1020050095261A
公开(公告)日:2005-09-29
申请号:KR1020040020521
申请日:2004-03-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02052
Abstract: 희석 에이.피.엠 수용액(An Aqueous Solution Diluted Ammonia And Peroxide Mixture)을 이용한 반도체 장치의 제조방법들을 제공한다. 이 제조방법들은 실리콘-게르마늄의 합금막을 갖는 단결정 실리콘 기저판에 희석 에이.피.엠 수용액을 사용해서 개별 소자들의 특성을 향상시킬 수 있는 방안을 제시한다. 이를 위해서, 기저판의 주 표면 상에 적어도 일 회의 성장 공정을 통해서 합금막을 형성하고, 상기 성장 공정 후 합금막의 상면에 세정 공정을 실시한다. 이때에, 상기 세정 공정은 희석 APM(Ammonia and Peroxide Mixture) 수용액을 사용해서 실시하는데, 상기 희석 APM 수용액은 수산화 암모늄(NH
4 OH), 과수(H
2 O
2 ) 및 탈 이온수(DI-Water)의 체적 비율을 1: 0.5 ~ 20 : 300 ~ 2000 중의 선택된 비율을 사용해서 형성한다. 이를 통해서, 상기 희석 에이.피.엠 수용액을 이용한 반도체 장치는 실리콘-게르마늄의 합금막에 과도한 식각을 하지 않아서 단결정 실리콘 기저판 상부의 개별 소자들의 특성을 향상시킨다.
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