公开(公告)号：KR100834820B1

公开(公告)日：2008-06-03

申请号：KR1020070005620

申请日：2007-01-18

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  박형준 ,  김현민 ,  장경수 ,  정동근 ,  남은경

IPC: H05B33/20 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L51/5024 ,  H01L51/5008 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/56

Abstract: An organic light emitting device having an aluminum oxynitride interface layer and a method for manufacturing the same are provided to improve light emitting efficiency and to reduce driving voltage in comparison with an organic light emitting device without the interface layer. An organic light emitting device includes an anode(2), a hole transport layer(4), an interface layer(3), a light emitting layer(5), a buffer layer(6), and a cathode(7). The anode is formed on an upper part of a substrate(1). The hole transport layer is formed on an upper part of the anode. The interface layer is formed between the anode and the hole transport layer to facilitate hole injection from the anode to the hole transport layer and made of aluminum oxynitride. The light emitting layer is formed on an upper part of the hole transport layer. The buffer layer is formed on an upper part of the light emitting layer. The cathode is formed on an upper part of the buffer layer.

Abstract translation: 提供具有氮氧化铝界面层的有机发光器件及其制造方法，以提供与没有界面层的有机发光器件相比的发光效率和降低驱动电压。 有机发光器件包括阳极（2），空穴传输层（4），界面层（3），发光层（5），缓冲层（6）和阴极（7）。 阳极形成在基板（1）的上部。 空穴传输层形成在阳极的上部。 界面层形成在阳极和空穴传输层之间，以便于从阳极到空穴传输层的空穴注入并由氮氧化铝制成。 发光层形成在空穴传输层的上部。 缓冲层形成在发光层的上部。 阴极形成在缓冲层的上部。

公开(公告)号：KR1020070115206A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：KR1020060049286

申请日：2006-06-01

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  정성욱 ,  황성현

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/8247 ,  B82Y40/00

Abstract: A silicon surface forming method of a nano structure using a silicon dry etching and a manufacturing method of a non volatile memory using the nano structure thereof, are provided to form a silicon substrate surface having a nano structure, wherein a polystyrene(PS)-b-polymethylmetacrylate(PMMA) is deposited as a nano mask. A source(37) and a drain(38) are formed. A channel is formed by adding a power to a gate(36). Transferring electrons are stored at a quantum dot(33) which is formed along a contact area widen by a nano structure of a silicon substrate(31) surface, penetrating a tunnel oxide layer(32) through a channel. A silicon nitride layer(34) is formed on the tunnel oxide layer. A control insulation layer(35) on the silicon nitride layer. A control gate(36) is formed on the control insulation layer.

Abstract translation: 提供使用硅干蚀刻的纳米结构的硅表面形成方法和使用其纳米结构的非易失性存储器的制造方法，以形成具有纳米结构的硅衬底表面，其中聚苯乙烯（PS）-b - 聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）作为纳米掩模沉积。 形成源极（37）和漏极（38）。 通过向门（36）添加电力形成通道。 转移电子存储在沿着通过硅衬底（31）表面的纳米结构加宽的接触区域形成的量子点（33），穿过通道的隧道氧化物层（32）。 在隧道氧化物层上形成氮化硅层（34）。 在氮化硅层上的控制绝缘层（35）。 控制栅极（36）形成在控制绝缘层上。

公开(公告)号：KR1020170115717A

公开(公告)日：2017-10-18

申请号：KR1020160043253

申请日：2016-04-08

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  박형식 ,  이영석 ,  정준희 ,  조재현

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/09

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본발명은유기물배면반사체를포함하는태양전지에관한것이고, 또한양면식각표면구조를포함한태양전지에관한것이다. 본발명에따른유기물배면반사체는 Phenyl-C61-Butyric acid methyl ester(PCBM)의사용을포함하며, 가시광영역인 600 nm 이상에서 80%가넘는투과율을가지며, 무기물인비정질실리콘과의접촉에따른저항발생율을감소시키는역할을하는특징이있다. 또한, 본발명에따른양면식각표면구조를이용한태양전지는, 양면의식각표면구조를통한단파장영역에서의투과도개선효과, 및제작된기판기반으로규칙적구조패턴제작혹은 TCO 증착에따른 Haze 제어를통해중간파장및 장파장제어를특징으로한다.

Abstract translation: 太阳能电池技术领域本发明涉及包括有机底部反射器和包括双面蚀刻表面结构的太阳能电池的太阳能电池。 根据本发明苯基-C61-丁酸甲酯（PCBM）的有机后反射器包括用于所述医生，具有大于80％的透射率在至少一个600nm的可见光区域中，无机材料之间的接触的阻力为无定形硅 有一个功能可以减少发病率。 此外，使用中间太阳能电池中的双面根据通过蚀刻两面的表面结构，以提高渗透性效果eseoui短波长区域根据本发明蚀刻的表面结构，通过雾度控制，并从而使常规结构模式产生的或TCO沉积作为基于基底的 波长和长波长控制。

公开(公告)号：KR1020170073902A

公开(公告)日：2017-06-29

申请号：KR1020150182659

申请日：2015-12-21

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  이영석 ,  김상호 ,  오동현 ,  김현성

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0224

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 미세결정실리콘산화물을이용한이종접합태양전지가개시된다. 미세결정실리콘산화물을이용한이종접합태양전지는하부전극; 하부전극상에배치되고미세결정실리콘산화물로이루어진하부도핑층; 상기하부도핑층상에배치된광전변환부; 상기광전변환부상에배치된상부도핑층; 상기상부도핑층상에배치된투명전도막을포함한다.

Abstract translation: 公开了一种使用微晶氧化硅的异质结太阳能电池。 使用微晶氧化硅的异质结太阳能电池具有下电极; 设置在下电极上并由微晶氧化硅制成的下掺杂层; 设置在下掺杂层上的光电转换单元; 设置在光电转换部分上的上掺杂层; 以及设置在上掺杂层上的透明导电膜。

公开(公告)号：KR101539907B1

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：KR1020150010717

申请日：2015-01-22

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  박형식 ,  안시현 ,  김선보

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/02366 ,  Y02E10/50 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 본발명은패턴화된태양전지용유리기판식각방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른패턴화된태양전지용유리기판식각방법은불산을포함하는식각용액으로유리기판을식각하는식각단계; 및상기식각단계에서생성된부산물을염산을포함하는세척액으로세척하는세척단계를포함할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于太阳能电池的图案化玻璃基板的蚀刻方法。 根据本发明实施例的用于太阳能电池的图案化玻璃基板的蚀刻方法包括：蚀刻步骤，通过包含氢氟酸的蚀刻溶液蚀刻玻璃基板; 以及通过使用包含盐酸的清洗溶液清洗在蚀刻步骤中产生的副产物的清洁步骤。

公开(公告)号：KR101535000B1

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：KR1020140001888

申请日：2014-01-07

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  한국과학기술연구원

Inventor： 이준신 ,  박진주 ,  신종훈 ,  정준희 ,  봉성재 ,  한승희 ,  김봉수 ,  김태희 ,  김진영 ,  손해정 ,  이도권

IPC: H01L31/04 ,  H01L51/42

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L31/076 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1824 ,  H01L51/4213 ,  H01L2031/0344

Abstract: 유무기하이브리드적층형태양전지가개시된다. 유무기하이브리드적층형태양전지는제1 무기태양전지유닛, 제2 무기태양전지유닛, 중간전극층및 유기태양전지유닛을구비한다. 제1 무기태양전지유닛의제1 p-형반도체층은 p-형불순물이도핑된비정질수소화실리콘으로이루어진제1 박막및 p-형불순물이도핑된비정질수소화실리콘산화물로이루어진제2 박막을구비한다. 이러한유무기하이브리드적층형태양전지는개방전압(Voc)을향상시킬수 있다.

Abstract translation: 公开了一种有机和无机混合串联太阳能电池。 有机和无机混合串联太阳能电池包括第一无机太阳能电池单元，第二无机太阳能电池单元，中间电极层和有机太阳能电池单元。 第一无机太阳能电池单元的第一p型半导体层包括由掺杂有p型杂质的非晶氢化硅制成的第一薄膜和由掺杂有p型杂质的非晶氢化氧化物制成的第二薄膜， 型杂质。 有机和无机混合串联太阳能电池提高开路电压（Voc）。

公开(公告)号：KR1020150004456A

公开(公告)日：2015-01-13

申请号：KR1020130076812

申请日：2013-07-02

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  박형식 ,  안시현 ,  김선보 ,  신종훈 ,  정준희

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

Abstract: 멀티 스케일의 요철이 형성된 태양 전지 기판의 제조방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 멀티 스케일의 요철이 형성된 태양 전지 기판의 제조방법은 유리 기판을 준비하는 단계; 상기 유리 기판 상에 제1마스크층를 증착하는 단계; 상기 제1마스크층 상에 포토레지스트를 코팅하는 단계; 상기 포토레지스트 상에 일정 패턴이 형성된 제2마스크를 위치시키고, 상기 패턴에 맞게 상기 포토레지스트를 광식각하는 단계; 상기 제2마스크를 제거하고, 상기 포토레지스트에서 광식각된 부분과 접촉되는 상기 제1마스크층의 부분을 젝하는 단계; 상기 포토레지스트를 제거하고, 상기 식각된 제1마스크층의 부분과 접촉되는 상기 유리 기판의 표면 부분을 습식 식각하여 상기 유리 기판의 표면에 제1요철을 형성하는 단계; 상기 제1요철이 형성된 부분을 연무화 식각하여 상기 유리 기판의 표면에 제2요철을 형성하는 단계; 및 상기 제1마스크층를 제거하는 단계를 포함한다.

Abstract translation: 公开了一种具有多尺度不平坦区域的太阳能电池基板的制造方法。 制造具有多尺度不平坦区域的太阳能电池基板的方法包括以下步骤：制备玻璃基板; 在玻璃基板上沉积第一掩模层; 在第一掩模层上涂覆光致抗蚀剂; 在光致抗蚀剂上定位具有预定图案的第二掩模，并根据图案对光刻胶进行光刻; 去除第二掩模并去除与光致抗蚀剂的光刻区域接触的第一掩模层的区域; 通过湿法蚀刻与第一掩模层的蚀刻区域接触的玻璃基板的表面积，去除光致抗蚀剂并在玻璃基板的表面上形成第一不平坦区域; 通过蒸镀蚀刻所述第一凹凸部而形成第二凹凸区域; 并移除第一掩模层。

公开(公告)号：KR101465317B1

公开(公告)日：2014-12-01

申请号：KR1020130021746

申请日：2013-02-28

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  박진주 ,  정준희 ,  신종훈 ,  봉성재

IPC: H01L31/076 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18 ,  H01L51/42

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 유무기하이브리드적층형태양전지가개시된다. 유무기하이브리드적층형태양전지는제1 무기태양전지유닛, 제2 무기태양전지유닛, 중간전극층및 유기태양전지유닛을구비한다. 제1 무기태양전지유닛의제1 p-형반도체층은 p-형불순물이도핑된아몰포스수소화실리콘으로이루어진제1 박막및 p-형불순물이도핑된아몰포스수소화실리콘산화물로이루어진제2 박막을구비한다. 이러한유무기하이브리드적층형태양전지는개방전압(Voc)을향상시킬수 있다.

公开(公告)号：KR1020140109534A

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：KR1020130021746

申请日：2013-02-28

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  박진주 ,  정준희 ,  신종훈 ,  봉성재

IPC: H01L31/076 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18 ,  H01L51/42

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/076 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18 ,  H01L51/42

Abstract: Disclosed is an organic-inorganic hybrid stack type solar cell. The organic-inorganic hybrid stack type solar cell comprises a first inorganic solar cell unit, a second inorganic solar cell unit, a middle electrode layer, and an organic solar cell unit. The first p-type semiconductor layer of the first inorganic solar cell unit comprises a first thin film made of amorphous hydrogenated silicon doped with p-type impurity, and a second thin film made of amorphous hydrogenated silicon doped with p-type impurity. The organic-inorganic hybrid stack type solar cell can improve an open-circuit voltage (Voc).

Abstract translation: 公开了一种有机 - 无机混合堆叠型太阳能电池。 有机 - 无机混合叠层型太阳能电池包括第一无机太阳能电池单元，第二无机太阳能电池单元，中间电极层和有机太阳能电池单元。 第一无机太阳能电池单元的第一p型半导体层包括由掺杂有p型杂质的无定形氢化硅制成的第一薄膜和由掺杂有p型杂质的无定形氢化硅制成的第二薄膜。 有机 - 无机混合堆叠型太阳能电池可以提高开路电压（Voc）。

公开(公告)号：KR101304036B1

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：KR1020110092782

申请日：2011-09-15

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  백경현 ,  장경수 ,  최우진 ,  안시현 ,  조재현 ,  유경열

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L29/786 ,  G06F3/041

Abstract: 전극 구조는 기판, 투명 전극층 및 보강 패턴을 포함한다. 투명 전극층은 기판 상에 배치되며, 투명한 도전 물질을 포함한다. 보강 패턴은 투명 전극층 내부에 배치되며, 투명 전극층을 보강한다. 따라서, 전극 구조에 반복적인 압력이 가해지더라도 보강 패턴이 투명 전극층을 보강하므로 투명 전극층이 깨져 전극 구조의 전기적 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.