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公开(公告)号：KR101374364B1
公开(公告)日：2014-03-17
申请号：KR1020100136069
申请日：2010-12-27
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J9/00 , C09J163/00 , C09J11/02 , C09J7/02
Abstract: 본 발명은 반도체용 접착 조성물은 125℃에서 60분 경화후 압축강도가 100~1500 g이고, 150℃에서 10분 및 150℃에서 30분 경화후 및 175 ℃에서 60초간 몰드후 보이드가 10 % 미만인 것을 특징으로 한다. 상기 반도체용 접착 조성물은 동종 칩 접착 후 반드시 거쳐야 하는 경화(semi-cure)공정을 단축 및 생략할 수 있는 특성을 지닌다. 상기 반도체용 접착 조성물은 다이 접착 후 와이어 본딩시 최소한의 모듈러스를 확보함으로서, 발포성 보이드를 최소화하고, 다이 접착 후 실시하는 다양한 경화공정 후에도 잔존 경화율을 부여하여 EMC 몰딩시 원활한 보이드 제거를 달성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101340544B1
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：KR1020100131856
申请日：2010-12-21
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J133/04 , C09J163/00 , C09J7/02 , C09J9/00
Abstract: 본 발명은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 방향족 아민계 경화제, 실란 커플링제 및 충진제를 특정 함량으로 포함시켜, 경화 속도를 늦춤으로써 경화 후에도 낮은 용융 점도와 높은 잔존 경화율을 유지하여 EMC 몰딩 과정에서도 보이드를 제거함으로써 높은 신뢰성을 확보하도록 하는 반도체 접착 필름용 조성물에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR101332437B1
公开(公告)日：2013-11-25
申请号：KR1020100128658
申请日：2010-12-15
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J11/06 , C09J7/02 , C09J163/00 , H01L21/58
CPC classification number: H01L24/83 , C08K5/09 , C09J7/10 , C09J9/02 , C09J11/06 , C09J163/00 , C09J2203/326 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16146 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29386 , H01L2224/32145 , H01L2224/73104 , H01L2224/81011 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81447 , H01L2224/8181 , H01L2224/81815 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/8385 , H01L2224/9211 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01072 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 특정 구조를 갖는 플럭스 활성 경화제를 포함하며, 범프 Chip간 전기적 접속 신뢰성을 만족하고 범프 Chip간 접착층으로써 Cu Bump와 Solder의 산화막을 제거하는 Flux공정이 가능하며, 가열 압착에 따른 Chip Bonding시 Bump와 Solder가 충분히 서로 접속하게 하는 고유동의 반도체용 접착 조성물, 이를 포함하는 접착 필름 및 이를 이용한 반도체 패키지를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020130017614A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：KR1020110080169
申请日：2011-08-11
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J163/00 , C09J201/00 , C09J7/02 , H01L21/52
CPC classification number: C09J9/00 , C08G59/50 , C08G59/621 , C08G59/688 , C08L33/00 , C09J163/00 , H01L23/293 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L25/0657 , H01L2224/2929 , H01L2224/29298 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29386 , H01L2224/29387 , H01L2224/29388 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/83191 , H01L2224/92247 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/0665 , H01L2924/00014 , H01L2924/05432 , H01L2924/0532 , H01L2924/05032 , H01L2924/05042 , H01L2924/0503 , C09J7/35 , C09J201/00 , C09J2201/61 , C09J2201/622 , C09J2205/10 , C09J2205/102
Abstract: PURPOSE: An adhesive composition for semiconductors is provided to reduce and omit a semi-cure process and post mold cure process and to minimize voids after 1 cycle. CONSTITUTION: An adhesive composition for semiconductors has two exothermic peaks at 65-350 °C. The first exothermic peak is lower than the second exothermic peak. The curing rate in the first exothermic peak section of the adhesive composition is 70-100% and the curing rate in the second exothermic peak section is 0-20% which are calculated by formula 1: (an exothermic amount at 0 cycle - an exothermic amount at 1 cycle) / the exothermic amount at 0 cycle is 70-100%. The curing rate at the second exothermic peak section is 0-20%. The first exothermic peak occurs 65-185°C and the second exothermic peak occurs 155-350 °C.
Abstract translation: 目的：提供用于半导体的粘合剂组合物，以减少和省略半固化过程和后模固化过程，并在1个循环后最小化空隙。 构成：用于半导体的粘合剂组合物在65-350℃具有两个放热峰。 第一个放热峰低于第二个放热峰。 粘合剂组合物的第一放热峰部分的固化速率为70-100％，第二放热峰部分的固化速率为0-20％，其通过式1计算：（0周期的放热量 - 放热 量为1个周期）/ 0周期的放热量为70-100％。 第二个放热峰段的固化速率为0-20％。 第一个放热峰发生在65-185℃，第二个放热峰发生在155-350℃。
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公开(公告)号：KR1020120068453A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：KR1020100130084
申请日：2010-12-17
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J7/02 , C09J9/00 , C09J133/04 , H01L21/58
CPC classification number: C09J7/0217 , C08K5/0025 , C08K5/54 , C08L2312/08 , C09J7/20 , C09J133/04 , C09J133/14 , C09J143/04 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01L21/6836 , H01L23/49513 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2221/68386 , H01L2224/27003 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2224/94 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01077 , H01L2924/0665 , Y10T428/264 , Y10T428/2848 , Y10T428/2852 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/27 , H01L2924/00012 , H01L2924/0635 , C09J7/38 , C09J7/35 , C09J7/385 , C09J9/00 , C09J2201/622
Abstract: PURPOSE: A pressure-sensitive dicing die bonding film is provide to comprise adhesive layers having different adhesion each other to an adhesive layer and a ring frame, thereby having frame stability, and high pick-up success rate. CONSTITUTION: A pressure-sensitive dicing die bonding film comprises a base film(4), a tackifying layer(5) formed on the base film, and an adhesive layer formed on the top of the adhesive layer. The adhesive force between the tackifying layer and the ring frame(B) is B/A>=1.1. The slid distance of the tackifying layer is 0-0.1 mm, when applying force to the tackifying layer by 10 gf per unit area 1mm^2. The tackifying layer is a monolayer, the thickness of the tackifying layer is 3-40 micron, and the tackifying layer comprises silane coupling agent.
Abstract translation: 目的：提供一种压敏切片模接合薄膜，其包括对粘合剂层和环形框架具有不同粘附性的粘合剂层，从而具有框架稳定性和高的拾取成功率。 构成：压敏切割芯片接合膜包括基膜（4），形成在基膜上的增粘层（5）和形成在粘合剂层顶部上的粘合剂层。 增粘层与环框架（B）之间的粘合力为B / A> = 1.1。 增粘层的滑动距离为0-0.1mm，当对单位面积1mm ^ 2施加力至增粘层10gf时。 增粘层为单层，增粘层的厚度为3-40微米，增粘层为硅烷偶联剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120067195A
公开(公告)日：2012-06-25
申请号：KR1020100128658
申请日：2010-12-15
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J11/06 , C09J7/02 , C09J163/00 , H01L21/58
CPC classification number: H01L24/83 , C08K5/09 , C09J7/10 , C09J9/02 , C09J11/06 , C09J163/00 , C09J2203/326 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16146 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29386 , H01L2224/32145 , H01L2224/73104 , H01L2224/81011 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81447 , H01L2224/8181 , H01L2224/81815 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/8385 , H01L2224/9211 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01072 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J7/35 , C09J2205/102 , H01L21/6836 , H01L2221/68327
Abstract: PURPOSE: An adhesive composition is provided to satisfy connection reliability between bump chips, and to conduct a flux process removing oxide film of Cu bump and solder as an adhesive layer between the bump chips. CONSTITUTION: An adhesive composition comprises at least one kind of a flux active hardener in chemical formula 1-3. The comprised amount of the flux active hardener is 0.1-10 weight%. The melting point of the flux active hardener is 100-300 °C. The melt viscosity at 260 °C is 2 ×10^4 - 15 ×10^4 poise. The contact angle between solder and metal bump after bonding is 10-80°. The composition comprises 0.1-5 weight% of an imidazole hardening agent.
Abstract translation: 目的：提供一种粘合剂组合物以满足凸块之间的连接可靠性，并且在凸点芯片之间进行作为粘合剂层的Cu凸块和焊料的焊剂处理去除氧化膜。 构成：粘合剂组合物包含化学式1-3中的至少一种助焊剂活性固化剂。 助焊剂活性固化剂的含量为0.1-10重量％。 助焊剂活性固化剂的熔点为100-300℃。 260℃下的熔体粘度为2×10 ^ 4 - 15×10 ^ 4泊。 接合后焊料与金属凸块之间的接触角为10-80°。 组合物包含0.1-5重量％的咪唑硬化剂。
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公开(公告)号：KR1020120062517A
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：KR1020100123810
申请日：2010-12-06
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C08J5/18 , C09J7/02 , C09J133/08 , C09J163/00
CPC classification number: C09J7/0217 , B32B7/06 , B32B27/08 , B32B2255/10 , B32B2255/26 , B32B2255/28 , B32B2307/30 , B32B2405/00 , C08G18/6254 , C08G59/08 , C08G2170/40 , C08L2312/08 , C09J7/22 , C09J7/385 , C09J163/00 , C09J175/04 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L21/6836 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2224/29084 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29388 , H01L2224/32145 , H01L2224/83191 , H01L2224/94 , H01L2924/00013 , H01L2924/061 , H01L2924/0615 , H01L2924/0635 , H01L2924/0665 , H01L2924/0675 , H01L2924/068 , H01L2924/07025 , H01L2924/0705 , Y10T428/28 , Y10T428/31515 , H01L2224/27 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , C08J5/18 , C09J7/29 , C09J7/38 , C09J133/08 , C09J2201/622
Abstract: PURPOSE: A base material film and an adhesive film for semiconductor using thereof are provided to prevent a collapse phenomenon and defects in post semiconductor packing process. CONSTITUTION: An adhesive film for semiconductor(110) includes a base film and a tackifier layer(114) which is coated in one side of the base material film. A coefficient of linear expansion at 0-5 deg. Celsius of the base material film is 50-150 microns/m*deg. Celsius, and a thermal shrinkage ratio at 5 deg. Celsius after 120 hours is greater than 0 and less than 0.1%. The tackifier layer is a UV-curable adhesive layer. The adhesion layer comprises a binder, a thermosetting material, and a photo initiator. The adhesive film additionally includes an adhesive layer(116) and a protection film(118) which are successively laminated in one side of the adhesion layer.
Abstract translation: 目的：提供基材薄膜和使用其的半导体用粘合膜，以防止后半导体封装工艺中的塌陷现象和缺陷。 构成：半导体用粘合膜（110）包括基材膜和涂布在基材膜一侧的增粘层（114）。 线性膨胀系数为0-5度 基材膜的摄氏度为50-150微米/ m *度。 摄氏度和5度的热收缩率。 120小时后的摄氏度大于0且小于0.1％。 增粘剂层是可UV固化的粘合剂层。 粘合层包括粘合剂，热固性材料和光引发剂。 粘合膜另外包括粘附层（116）和保护膜（118），它们被连续层压在粘合层的一侧。
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公开(公告)号：KR101138793B1
公开(公告)日：2012-04-26
申请号：KR1020080126166
申请日：2008-12-11
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J133/08
Abstract: 본 발명은 광경화성 점착 조성물 및 이를 포함하는 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것으로, 자외선 경화 후 충분한 점착력의 감소를 위하여, 비닐기를 포함하는 아크릴계 점착 바인더 100 중량부 대비, 하이드록실기 및 비닐기를 포함하는 UV 경화형 아크릴레이트 3 내지 50 중량부, 열경화제 0.5 내지 5 중량부 및 광중합 개시제 0.1 내지 3 중량부를 포함하는 광경화성 점착 조성물을 이용하여 다이싱 필름 또는 다이싱 다이본딩 필름을 형성함으로써, 픽업 특성을 향상시킬 수 있도록 하는 발명에 관한 것이다.
반도체, 점착 테이프, 광경화성 점착 조성물, 하이드록실기, 비닐기, 에폭시기, 아크릴레이트, 열경화제, 광개시제, 다이싱, 다이싱 다이본딩-
公开(公告)号：KR101033045B1
公开(公告)日：2011-05-09
申请号：KR1020090134713
申请日：2009-12-30
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J163/00 , C09J7/02 , H01L21/58
CPC classification number: C09J163/00 , C08L33/04 , C08L61/06 , C08L2205/03 , Y10T428/31515 , C09J7/00 , C09J2203/326
Abstract: PURPOSE: A bonding film composition for a semiconductor assembly is provided to improve void removal ability and to enable stable wire bonding by controlling a curing reaction heat generation start temperature and the viscosity after curing. CONSTITUTION: A bonding film composition for a semiconductor assembly includes a polymer binder resin, epoxy-based resin, phenol type epoxy hardener, curing catalyst, silane coupling agent and inorganic filler. The curing reaction heat generation start temperature is 300 °C or greater. The melting point at 175 °C after curing at 150 °C for 1 hour and the melting point at 175 °C after curing at °C for 2 hours is 1.0×10^5 - 5.0×10^6 poise.
Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体组件的接合膜组合物，以通过控制固化反应发热开始温度和固化后的粘度来提高空隙去除能力并实现稳定的引线接合。 构成：用于半导体组合物的接合膜组合物包括聚合物粘合剂树脂，环氧基树脂，酚型环氧固化剂，固化催化剂，硅烷偶联剂和无机填料。 固化反应发热开始温度为300℃以上。 在150℃下固化1小时后，175℃下的熔点为175℃，在2℃下固化2小时后的熔点为1.0×10 ^ 5〜5.0×10 ^ 6泊。
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公开(公告)号：KR101033043B1
公开(公告)日：2011-05-09
申请号：KR1020080135837
申请日：2008-12-29
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 반도체용 다이싱 필름 및 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것으로, 자외선 경화형 웨이퍼 가공용 다이싱 필름 또는 다이 접착용 접착필름층을 갖는 다이싱 다이본딩 필름에 있어서, 종래에는 UV조사기의 오작동에 의해서 자외선 노광 유무를 작업자가 일일이 수작업으로 웨이퍼 한장 한장을 확인해야 했는데, 이와 같은 불편함을 해결하기 위하여 UV조사기의 오작동에 의해 자외선 노광 유무를 자외선의 광량에 따라 변색되는 광변색성 염료(photochromic dye)를 다이싱 필름 또는 다이싱 다이본딩 필름에 적용함으로써, 자외선 노광 유무를 육안으로 용이하게 확인할 수 있도록 하는 발명에 관한 것이다.
다이싱 필름, 점착, 접착필름, 반도체용 접착제, 조성물
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