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公开(公告)号：KR1020130124766A
公开(公告)日：2013-11-15
申请号：KR1020120048148
申请日：2012-05-07
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/20
Abstract: The present invention relates to a manufacturing method of a substrate for a high-quality semiconductor device capable of manufacturing a high-quality semiconductor device with improved inner quantum efficiency and light extraction efficiency by reforming the surface to be have pores and using a template layer to regrow a nitride semiconductor layer having low defect density on the surface in a dry-etching method at HVPE, MOCVD, or CVD device which forms the nitride semiconductor layer on a substrate such as sapphire, injects HCL gas, and makes the same react at high temperatures. [Reference numerals] (S10) Forming template layer;(S20) Porous etching;(S30) Regrowth
Abstract translation: 本发明涉及一种高质量半导体器件用基板的制造方法，其能够通过将具有孔隙的表面重整并使用模板层来制造具有提高的内量子效率和光提取效率的高质量半导体器件 在HVPE，MOCVD或CVD装置上，在形成氮化物半导体层的诸如蓝宝石的衬底上，以干蚀刻方法在表面上重新生长具有低缺陷密度的氮化物半导体层，注入HCL气体，并使其在高温下反应 温度。 [数据]（S10）形成模板层;（S20）多孔蚀刻;（S30）再生长
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公开(公告)号：KR1020130076957A
公开(公告)日：2013-07-09
申请号：KR1020110145408
申请日：2011-12-29
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L21/20
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a high quality semiconductor device on a BSFS-free nitride semiconductor is provided to improve the recombination of electrons and holes by using a template layer for restraining a piezoelectric effect. CONSTITUTION: A substrate (110) is prepared. A mask pattern composed of an insulating layer is formed on the substrate. A nitride semiconductor layer is formed. The height of the nitride semiconductor layer is same as the height of the mask pattern. A template layer (120) is formed. A semiconductor device structure is formed on the template layer. [Reference numerals] (110) Substrate; (120) Template layer; (130) LED layer
Abstract translation: 目的：提供一种在无BSFS的氮化物半导体上制造高质量半导体器件的方法，通过使用用于抑制压电效应的模板层来改善电子和空穴的复合。 构成：准备衬底（110）。 在基板上形成由绝缘层构成的掩模图案。 形成氮化物半导体层。 氮化物半导体层的高度与掩模图案的高度相同。 形成模板层（120）。 在模板层上形成半导体器件结构。 （附图标记）（110）基板; （120）模板层; （130）LED层
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公开(公告)号：KR1020130017112A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：KR1020110079338
申请日：2011-08-10
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/0008 , H01L33/06 , H01L33/16
Abstract: PURPOSE: A high efficiency semiconductor photo device structure having an electron tunneling barrier layer and a manufacturing method thereof are provided to improve optical extraction efficiency by inserting an electron tunneling barrier between a N-type GaN layer and a multi quantum well. CONSTITUTION: An electron tunneling barrier layer(232) is formed on an N-type nitride semiconductor layer(AlxInyGa1-x-yNs (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)). A multiple quantum well(233) is formed on the ETB layer as an active layer. A P-type nitride semiconductor layer(235) is formed on the multiple quantum well. The electron tunneling barrier layer improves the recombination of holes which are injected from a P-type nitride semiconductor layer into the multiple quantum well. [Reference numerals] (210) Substrate; (220) Template layer; (230) LED layer; (234) Removable
Abstract translation: 目的：提供具有电子隧道势垒层的高效半导体光电子器件结构及其制造方法，以通过在N型GaN层与多量子阱之间插入电子隧道势垒来提高光学提取效率。 构成：在N型氮化物半导体层（Al x In y Ga 1-x-y N s（0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1））上形成电子隧道势垒层（232）。 在ETB层上形成多量子阱（233）作为活性层。 在多量子阱上形成P型氮化物半导体层（235）。 电子隧道势垒层改善了从P型氮化物半导体层注入到多量子阱中的空穴的复合。 （附图标记）（210）基板; （220）模板层; （230）LED层; （234）可拆卸
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公开(公告)号：KR101174331B1
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：KR1020100002818
申请日：2010-01-12
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/06
Abstract: 본발명은활성층의다중양자우물(MQW: Multi-Quantum Well) 구조에 P형또는 N형의도펀트를선택적으로도핑한배리어층을갖는구조와각 배리어층의상하에도펀트의확산을방지하기위한확산방지층(DBL: Diffusion Blocking Layer)을삽입한구조를반도체광소자에적용하여양자효율을향상시킬수 있는반도체광소자및 그제조방법에관한것이다. 본발명의일면에따른반도체소자의제조방법은, N형화합물반도체층과 P형화합물반도체층 사이에활성층과전자차단층(EBL)을갖는광소자구조를형성하는반도체소자의제조방법으로서, 상기활성층은다중양자우물(MQW)층구조를포함하고, 상기 MQW층을형성하는과정은, 배리어층을형성하는제1과정, 상기배리어층상부에우물층을형성하는제2과정, 및상기우물층상부의배리어층을형성하는제3과정을포함하며, 상기우물층하부의배리어층또는상기우물층상부의배리어층이소정도펀트로도핑된것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR101173072B1
公开(公告)日：2012-08-13
申请号：KR1020090080057
申请日：2009-08-27
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 본 발명은 비극성/반극성 질화물 반도체층 성장이 가능한 사파이어 결정면 위에 질화물 반도체 결정을 형성하여 극성 질화물 반도체의 활성층에서 발생하는 압전현상(piezoelectric effect)을 제거하고, 일정 방향으로 경사면을 이루는 사파이어 결정면의 해당 오프-축(off-axis) 상에 템플레이트(template) 층을 형성하여 반도체 소자의 결함 밀도를 줄이고 내부양자효율과 광추출 효율을 향상시킨 고품질 비극성/반극성 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 비극성 또는 반극성 질화물 반도체층의 성장을 위한 결정면을 갖는 사파이어 기판 상에 템플레이트층과 반도체 소자 구조를 형성하는 반도체 소자의 제조 방법에서, 상기 사파이어 기판은 결정면이 일정 방향으로 틸트(tilt)된 기판이며, 상기 틸트된 기판 위에 질화물 반도체층과 GaN층을 포함하는 상기 템플레이트층을 형성하는 방법이다.
반도체 광소자, 비극성, 반극성, 사파이어 기판, 경사각, LED-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101082784B1
公开(公告)日：2011-11-14
申请号：KR1020090080056
申请日：2009-08-27
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/12
Abstract: 본발명은비극성/반극성질화물반도체층성장이가능한사파이어결정면위에질화물반도체결정을형성하여극성질화물반도체의활성층에서발생하는압전현상(piezoelectric effect)을제거하고, 템플레이트(template) 층을이중버퍼층으로형성하여반도체소자의결함밀도를줄이고내부양자효율과광추출효율을향상시킨고품질비극성/반극성반도체소자및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따라비극성또는반극성질화물반도체층의성장을위한결정면을갖는사파이어기판상에템플레이트층과반도체소자구조를형성하는반도체소자의제조방법에서, 상기템플레이트층을형성하는과정은, 제1 온도에서제1 질화물반도체버퍼층을형성하는과정, 상기제1 질화물반도체버퍼층위에상기제1 온도보다높은제2 온도에서제2 질화물반도체버퍼층을형성하는과정, 및상기제2 질화물반도체버퍼층위에 GaN층을형성하는과정을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020110041611A
公开(公告)日：2011-04-22
申请号：KR1020090098521
申请日：2009-10-16
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/16
CPC classification number: H01L33/16 , H01L29/2003 , H01L31/0304 , H01L31/1856 , H01L33/0062 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01S5/0213 , H01S5/3202 , H01S5/32341 , H01S2304/12 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: PURPOSE: A high quality non-polar/semi-polar semiconductor device on a porous nitride semiconductor and a manufacturing method thereof are provided to improve crystal quality by reducing the defects of a GaN layer. CONSTITUTION: A sapphire substrate is prepared(S10). A buffer layer and a GaN layer are formed on the sapphire substrate(S20). The surface of the GaN layer is modified to have porosity(S30). The GaN layer is re-grown(S40). The re-grown GaN layer is formed to have the preset thickness to cover small porous holes(S50).
Abstract translation: 目的：提供多孔氮化物半导体上的高品质非极性/半极性半导体器件及其制造方法，以通过减少GaN层的缺陷来提高晶体质量。 构成：制备蓝宝石衬底（S10）。 在蓝宝石基板上形成缓冲层和GaN层（S20）。 改变GaN层的表面以具有孔隙度（S30）。 再次生长GaN层（S40）。 再生长的GaN层形成为具有预定厚度以覆盖小的多孔孔（S50）。
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公开(公告)号：KR1020110022452A
公开(公告)日：2011-03-07
申请号：KR1020090080057
申请日：2009-08-27
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: PURPOSE: A high quality non-polar/semi-polar semiconductor device on tilted substrate and a manufacturing method thereof are provided to reduce the defect of the template layer by improving the surface shape by forming the template layer on the off-axis of the sapphire crystal side forming the inclination in the specified direction. CONSTITUTION: The sapphire substrate comprises the crystal plane for the growth of the non-polar or the antipolarity nitride semiconductor layer. The crystal plane of the sapphire substrate comprises the A-side, the M-side, and the R-side. A template layer(120) is formed on the sapphire substrate. The template layer comprises the nitride semiconductor layer and the GaN layer. A light emission diode layer(130) is formed on the template layer.
Abstract translation: 目的：提供倾斜衬底上的高品质非极性/半极性半导体器件及其制造方法，其制造方法通过在蓝宝石的离轴上形成模板层来改善表面形状来减少模板层的缺陷 晶体侧在指定方向上形成倾斜。 构成：蓝宝石衬底包括用于生长非极性或反极性氮化物半导体层的晶面。 蓝宝石衬底的晶面包括A侧，M侧和R侧。 在蓝宝石衬底上形成模板层（120）。 模板层包括氮化物半导体层和GaN层。 在模板层上形成发光二极管层（130）。
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公开(公告)号：KR1020170105326A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：KR1020160028411
申请日：2016-03-09
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L29/06 , H01L33/22 , H01L33/12 , H01L31/0392 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은질화물반도체나노막대발광장치및 그제조방법에관한것이다. 또한, 본발명에따르면, 기판; 상기기판에형성된지지층; 상기지지층에형성된버퍼층; 상기버퍼층에형성된나노막대층; 및상기나도막대층에형성된발광층을포함하는질화물반도체나노막대발광장치및 그제조방법을제공하여사파이어기판전체에나노막대가제작될수 있어소자제작이용이하여종래기술에서제기된국소부위에만나노구조가제작되어소자로제작하기에어려운문제점을해결하였다.
Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物半导体纳米棒发光器件及其制造方法。 此外，根据本发明， 形成在基板上的支撑层; 形成在支撑层上的缓冲层; 形成在缓冲层上的纳米棒层; 和所述我提供一种氮化物半导体纳米棒发光器件及其制造方法，包括形成它的纳米棒在整个蓝宝石衬底通过使用小区域在现有技术中只有纳米结构升高产生的装置产生的棒层上的发光层 并且很难将其制作成设备。
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公开(公告)号：KR1020170034027A
公开(公告)日：2017-03-28
申请号：KR1020150132182
申请日：2015-09-18
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본발명은무촉매방식으로경사각을갖는나노구조물성장방법에관한것으로서, 보다구체적으로는금속촉매를사용하지않고패터닝및 식각공정을통하여사파이어기판또는화합물박막상부에위치선택적으로수평또는경사구조로나노구조물을성장시키는방법에관한것이다. 본발명에따른무촉매방식으로경사각을갖는나노구조물을성장방법은, M-면사파이어기판상부에나노마스크층을형성하는단계; 패터닝공정을통해상기나노마스크층을식각하여상기 M-면사파이어기판을선택적으로노출시키는단계; 상기 M-면사파이어기판의노출된부분에다중면구조의화합물핵을형성하는단계; 상기화합물핵으로부터상기 M-면사파이어기판표면으로부터수직방향으로소정의각도를이루는나노구조물을형성하는단계를포함할수 있다. 나아가, 상기나노마스크층을형성하기전에상기 M-면사파이어기판표면을 NH가스로질화처리하여상기 M-면사파이어기판표면에 R-면요철구조를형성하는단계를더 포함하는무촉매방식나노구조물성장방법을개시하고있다.
Abstract translation: 本发明涉及以非催化方式生长具有倾角的纳米结构的方法，更具体地，涉及通过图案化和蚀刻工艺生长纳米结构而不使用金属催化剂来生长纳米结构的方法， 一种生长相同的方法。 根据本发明的生长具有倾角的纳米结构的方法包括：在M-平面蓝宝石衬底上形成纳米掩模层; 通过构图工艺蚀刻纳米掩模层选择性蚀刻M面蓝宝石衬底; 在M-型蓝宝石衬底的暴露部分上形成复合核的多面结构; 并且从复合核形成从M面蓝宝石基板的表面在垂直方向上具有预定角度的纳米结构。 进一步地，在形成纳米掩模层之前，用NH 3气体对M面蓝宝石衬底的表面进行氮化，以在M面蓝宝石衬底的表面上形成R面凹凸结构， 等等。
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