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公开(公告)号：KR1019940010515B1
公开(公告)日：1994-10-24
申请号：KR1019910018986
申请日：1991-10-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/324
Abstract: The removal of remnants formed at RIE (reactive ion etching) process and the restriction of damage on the silicon substrates by the collision of gas atoms are essential for the improvement of reliability of the device. To solve the problem, RTA process is treated during 1 to 5 minutes at 700 to 1100 deg.C under vacuum, O2, N2, inert gas, or their mixed ambience in order to repair the impurity penetration layers damaged by reactive ion etching and to remove the remnants (3) that compose of C-F or Cl polymer as shown in the figure, after RIE process. The property of silicon substrate is restored considerably by this method.
Abstract translation: 在RIE（反应离子蚀刻）工艺中形成的残余物的去除以及气体原子碰撞对硅衬底的损伤的限制对于提高器件的可靠性至关重要。 为了解决这个问题，在真空，O2，N2，惰性气体或其混合环境下，在700〜1100℃，1〜5分钟内对RTA工艺进行处理，以修复由反应离子蚀刻损坏的杂质穿透层， 在RIE过程后，如图所示，移除由CF或Cl聚合物构成的残留物（3）。 通过这种方法，大大地恢复了硅衬底的性能。
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公开(公告)号：KR100159199B1
公开(公告)日：1999-05-01
申请号：KR1019950042594
申请日：1995-11-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N1/28
Abstract: 본 발명은 X-선 회절분석용 밀폐형 시료지지대에 관한 것이다.
좀 더 구체적으로, 본 발명은 X-선 회절분석용 시료를 대기로부터 밀폐하여 고정밀도로 X-선 회절분석을 수행할 수 있는 X-선 회절분석용 밀폐형 시료지지대에 관한 것이다.
본 발명의 X-선 회절분석용 밀폐형 시료지지대는 일면은 개방되고 타면에는 시료지지부(22)가 형성된 시료창(21)이 상부 중앙에 형성되어 시료를 지지하기 위한 시료지지판(20); 반원통체의 외주면 중앙부에 차단막 지지대(33)의 좌우로 띠 형태의 전면 창(31)이 절개형성되고 전기한 전면창(31)은 차단막(32)으로 차단되며, 전기한 반원통체의 평면 중앙부에는 관통구가(34)가 형성되어 전기한 시료지지판(20)상의 시료를 외부 대기로부터 밀폐하기 위한 시료지지판 덮개(30); 및, 전기한 시료지지판(20)에 덮개(30)를 고정하기 위한 고정수단(40)으로 구성된다.-
公开(公告)号：KR100139726B1
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019940033481
申请日：1994-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 시료의 표면분석 장비에 관한 것으로 구체적으로는 건식 세정된 시료를 오염없이 표면 분석 장비내로 이송하기 위한 시료 이송장치에 관한 것이다. 종래의 세정 방법중 습식세정 방법은 화학약품의 사용으로 인해 위험도 및 금속오염의 증가를 유발한다는 문제점이 있었다. 이를 대체하기 위한 건식 세정 방법은 세정후 공기노출에 의한 웨이퍼의 오염을 방지하는 것이 관건이었다.
본 발명은 상술한 문제점들을 극복하기 위한 것으로 건식세정후 웨이퍼의 공기노출에 의한 오염 가능성을 배제하는 (시료 장입수단과, 기밀유지수단, 진공수단을 구비한 시료이송장치를 형성하여) 세정분위기(cleaning gas atmosphere) 또는 불활성 가스 분위기(inert gas atmosphere) 하에서 YPS나 AES등의 고진공 분석장비로 시료를 이송할 수 있도록 하여 건식 세정 공정의 진성기구(intrinsic mechanism)연구가 가능할 수 있도록 한 것이다.-
公开(公告)号：KR1019970010662B1
公开(公告)日：1997-06-30
申请号：KR1019930026304
申请日：1993-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: A method for manufacturing a transmission electronic microscope plane sample of a semiconductor material capable of preventing dregs produced from being deposited on a sample plane during plating an ion of a sample is disclosed. In the method, a circle sample having a diameter of 3 mm is attached to a cylindrical glass and is sequentially plated until a thickness of the sample becomes 100um and until a thickness of the sample becomes 15um by a dimple plating machine. A portion of the circle sample to be observed is cut. A sample support plate 110 is separated from a sample support member 100. A metal thin plate 120 seals a hole 111 of the sample support plate 110. The sample support plate 110 is fixed to the sample support member 100. The plated sample is transferred to a lower portion of a sample thin film and attached on the sample support plate 110. The sample is plated by using an argon or iodine ion until a thickness thereof becomes less than 100nm.
Abstract translation: 公开了一种用于制造半导体材料的透射电子显微镜平面样品的方法，其能够防止在镀覆样品的离子期间在样品平面上沉积所产生的渣。 在该方法中，将直径为3mm的圆形样品附着到圆柱形玻璃上，并且顺序地电镀，直到样品的厚度变为100um，直到样品的厚度通过凹版电镀机为15um。 切割要观察的圆形样品的一部分。 样品支撑板110与样品支撑构件100分离。金属薄板120密封样品支撑板110的孔111.样品支撑板110固定到样品支撑构件100上。将镀覆的样品转移到 样品薄膜的下部并附着在样品支撑板110上。使用氩或碘离子对样品进行电镀，直到其厚度变得小于100nm。
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