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公开(公告)号：KR1019960011561A
公开(公告)日：1996-04-20
申请号：KR1019940025181
申请日：1994-09-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G03F7/20
Abstract: 본 발명은 리소그래피(lithography)에 의한 레지스트 패턴을 형성방법에 관한 것으로서, 특히 이층 레지스트(bilayer resist) 구조를 이용하여 미세 레지스트 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 반도체 기판 위에 하층 레지스트를 형성하는 공정과, 상기 하층 레지스트를 갖는 반도체 기판을 전면 노광하는 공정과, 상기 전면 노광된 하층 레지스트 상부에 상층 레지스트를 형성하는 공정과, 소정 패턴을 갖는 마스크를 사용하여 상기 상층 레지스트를 노광하는 공정과, 상기 전면 노광된 하층 레지스트와 상기 마스크 패턴에 상응하여 부분적으로 노광된 상층 레지스트를 현상하여 높은 종횡비를 갖는 미세 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 미세 레지스트 패턴의 형성방법.-
公开(公告)号：KR1019950021022A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930026310
申请日：1993-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 제조를 위한 피소그래피 장비에서 웨이퍼의 수평 상태를 자동으로 측정하는 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 장치는 광원으로 반도체 레이저(1)를 사용하고, 선형편광자(11)를 사용하며, 광량 조절수단인 광감쇠기(12)에 의해 반도체 레이저(1)로부터의 레이저 빔이 웨이퍼 표면으로 전달되기 전에 레이저 빔을 받아들여 평행광으로 변환하는 광변환수단인 시준렌즈(2)로 부터의 지름 100mm
;의 평행광을 웨이퍼면(4)에 입사각76도로 입사시키고, 2차원 면에서의 광점의 변위를 측정할 수 있도록 2차원형 위치 검출소자(10)를 사용하며, 웨이퍼 표면(4)에서 반사된 광을 소정의 촛점거리(f)에 모아 광점을 형성하는 집광수단인 집광렌즈(6)에 의한 광점(7a)의 위치를 증폭하여 위치 검출 소자(9)에 증폭된 광점의 변위를 전달하고, 이렇게 증폭된 광점이 2-차원 위치검출소자(9)로 입사되면 위치 검출소자(9)에서는 4개의 출력단자들을 통하여 빔의 조사위치에 4개의 신호들이 각각 출력되고, 이들 신호들을 다시 크기, 방향 위치 검출 소자 감지 면 상의
-측과 ｙ-축의 좌표를 나타내는 아날로그 전압 신호로 변환되어 처리하는 자동 수평 측정계(1~12, 20)에 의해 척(10)위에 위치하는 웨이퍼의 기울어짐을 측정하여 이를 보상해 준다.
따라서, 반도체 위치 검출 소자와 간단한 광학장치 만에 의해서도 높은 징밀도와 넓은 감지영역을 갖는 웨이퍼 자동 수평 측정 장치를 전체 노광 영역에 걸쳐 초점심도를 확보할 수 있게 된다.-
公开(公告)号：KR1019910007807B1
公开(公告)日：1991-10-02
申请号：KR1019880017978
申请日：1988-12-30
Abstract: The lens used for producing the semiconductor element, enables it to change the lens factors such as clearance, thickness, radius of the electrode, and to improve the focusing characteristics of lens without rebuilding of the whole electrode structure. The equipotential electrostatic lens composed of three electrodes, has the first electrode (100) with insert electrode (110), second electrode (200) with the insert electrode (210), and third electrode (300) with the insert electrode (310). An insert electrode is composed of the plate type electrode (7) laminated with two more plies. The lens suppresses increasing of the excessive voltage according to increasing of ion-beam energy, reduces the danger from electric discharge, and stabilizes the lenses.
Abstract translation: 用于制造半导体元件的透镜使得能够改变诸如间隙，厚度，电极的半径的透镜因子，并且可以改善透镜的聚焦特性，而不会重建整个电极结构。 由三个电极构成的等电位静电透镜具有带有插入电极（110）的第一电极（100），具有插入电极（210）的第二电极（200）和具有插入电极（310）的第三电极（300）。 插入电极由层叠有两层的板状电极（7）组成。 透镜根据离子束能量的增加抑制过大电压的增加，减少放电的危险，并稳定透镜。
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公开(公告)号：KR1020110085701A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：KR1020100005619
申请日：2010-01-21
CPC classification number: G04F10/005 , H03K5/133 , H03L7/0816
Abstract: PURPOSE: A time to digital converter is provided to perform micro detection after a course is detected, thereby obtaining high time resolution, short latency, and low complexity. CONSTITUTION: A course detector(110) detects a course by a chain delay line. The course detector comprises an inverter(1121) and a plurality of flip-flops which latches the output of each inverter. A decoder and a selector(120) find a section where '1' is converted into '0' from output bits of the source detector. The decoder and the selector output a clock. A micro detector(130) performs micro detection by differential delay devices which are connected each other in parallel.
Abstract translation: 目的：提供时间数字转换器，以便在检测到课程后执行微观检测，从而获得高时间分辨率，短延迟和低复杂度。 构成：航向检测器（110）通过链延迟线检测航线。 路线检测器包括逆变器（1121）和锁存每个逆变器的输出的多个触发器。 解码器和选择器（120）找到从源检测器的输出位将'1'转换为'0'的部分。 解码器和选择器输出时钟。 微型检测器（130）通过并联连接的差分延迟器件进行微型检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100261266B1
公开(公告)日：2000-07-01
申请号：KR1019970054787
申请日：1997-10-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/27
Abstract: PURPOSE: A polarization optical splitter using an amorphous fluoric resin adhesive and a method of fabricating the same are provided by which the polarization optical splitter that places an image zone and an object zone at different locations is formed using an adhesive that is transparent at 193nm and has endurance for light irradiated on the adhesive for a long period of time. CONSTITUTION: Multi-level dielectric thin films(16,17) formed of transparent materials are coated on the sloped face of one of a pair of prisms(4,8). The thin films includes a material having a high refractive index and a material having a low refractive index. The multi-level dielectric thin films and the sloped face of the other prism are attached to each other using an amorphous fluoric resin adhesive(21), to fabricate a polarization optical splitter. The adhesive having a refractive index of 1.1 to 2.0, and transmissivity of 90% per 1cm.
Abstract translation: 目的：提供使用非晶态氟树脂粘合剂的偏振光分路器及其制造方法，通过该偏光分光器，使用193nm透明的粘合剂形成在不同位置放置图像区域和对象区域的偏振光分路器， 具有长时间照射在粘合剂上的光的耐久性。 构成：由透明材料形成的多层电介质薄膜（16,17）涂覆在一对棱镜（4,8）之一的倾斜面上。 薄膜包括具有高折射率的材料和具有低折射率的材料。 使用非晶态氟树脂粘合剂（21）将多层电介质薄膜和另一棱镜的倾斜面彼此附接，以制造偏振分光器。 折射率为1.1〜2.0，透光率为1％的透光率为90％。
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公开(公告)号：KR100246545B1
公开(公告)日：2000-06-01
申请号：KR1019970054427
申请日：1997-10-23
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 GaAs의 햄트(HEMTs) 소자 개발에 필요한 티형 및 감마형 게이트와 같은 특수 게이트(special gate) 제작에 사용되는 X-선 마스크 및 그 제조방법에 관한 것이다. 종래에는 X-선 마스크를 사용하여 티형 게이트를 제작할 때, 티형 게이트의 풋프린터(footprint)를 X-선 리소그래피를 통해 먼저 형성시킨 후, 다시 광 리소그래피로 헤드(Head)부분을 형성하는 방법으로 리소그래피를 다시 수행하는 등 공정상의 절차가 쉽지 않은 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 풋프린터 부분에 해당되는 X-선 흡수체와 헤드 부분에 해당되는 X-선 흡수체의 두께를 달리하여 X-선 투과도를 조절하고, 이들 X-선 흡수체가 마스크 기판에 동시에 존재하도록 X-선 마스크를 제작하므로써, 한번의 X-선 리소그래피로 티형 및 감마형 게이트와 같은 특수 게이트를 웨이퍼상에 창출할 수 있도록 한다.
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公开(公告)号：KR100237000B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019960041474
申请日：1996-09-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 집적회로 제작 공정을 기반으로 한 표면 마이크로 머시닝 기술.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
희생층을 사용한 미소구조체를 제조할시, 희생산화막 제거로 인해 나타나는 미소구조체의 고착 현상을 방지하고자 함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
희생층을 폴리실리콘막 상에 형성하고 희생층을 증기상 식각 방법으로 제거하여, 잔류물의 발생을 방지하는 동시에 희생층 제거로 인한 공간에 상부 구조체가 침몰하여 발생되는 고착현상을 방지한다.
4. 발명의 중요한 용도
MEMS(micro electro mechanical system) 제작-
公开(公告)号：KR100233848B1
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：KR1019960069404
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/84
Abstract: 본 발명은 반도체 장치 제조 방법에 관한 것으로, 각속도 측정 장치의 제조에 있어서 종래의 방법인 기판 가공 기술은 식각시 정확한 수직구조를 구현할 수 없는 문제점을 해결하기 위해 희생층을 형성하고 친수성 처리한 후 결정면이 ＜110＞ 방향인 실리콘 웨이퍼를 기판 접합 기술에 의해 하부 전극이 제조된 실리콘 웨이퍼 위에 부착하고, 표면 가공 기술인 기상 식각 공정으로 상기 희생층을 제거하므로써 고착 현상없이 구조체를 띄울 수 있고, 가로세로비가 크고 정확한 구조의 구현에 의해 안정된 미세 구조체의 제조를 통하여 고감도, 저전압 구동형 마이크로 자이로스코프의 구현이 가능하며, 저응력 미세 구조체의 제조와 주변 회로와의 접속을 위한 금속 전극의 제조가 용이한 마이크로 자이로스코프 제조 방법이 제시된다.
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公开(公告)号：KR100227787B1
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：KR1019960043787
申请日：1996-10-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/84
Abstract: 큰 종횡비와 작은 저항 및 변형이 없는 실리콘 구조체를 표면 미세 가공 기술로 제작할 수 없었던 종래 기술의 문제점을 가운데의 두꺼운 실리콘층과 농도 조절을 위한 상하의 얇은 실리콘층으로 실리콘 다층 구조를 형성하여 박막의 상하 방향으로 불순물을 대칭으로 분포시켜 응력 구배를 제거하고, 가운데의 실리콘 박막에 잔류 응력이 존재하는 경우 상하에 주입되는 불순물의 양을 조절함으로써 기존의 응력 구배를 상쇄시켜 미소 구조체의 휨 변형을 최소화시킬 수 있는 실리콘 미소 구조체 제조 방법이 개시된다.
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