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公开(公告)号：KR1020150048259A
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：KR1020130126765
申请日：2013-10-23
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/448 , C23C16/06
CPC classification number: C23C16/40 , C23C16/45525
Abstract: 본발명은단원자증착(atomic layer deposition, ALD)법을이용하여, 도핑영역층과비도핑영역층을구비하여두께방향으로성분상에있어서복합및 비대칭적인복합박막및 이를제조하는방법에관한것이다. 본발명에따른복합박막은박막일부에도판트원자층을포함하는도핑영역층을구비함으로써, 박막두께방향으로성분상에있어서복합및 비대칭적특성을갖게되고, 이는도핑영역층과비도핑영역층간의밴드구조가달라지게됨으로써박막의층 영역별로전자기적특성이달라지게되고, 기능성이향상되어디스플레이, 메모리, 반도체영역전반에걸쳐서사용될수 있다. 나아가복합박막내 도핑영역층의위치및 이의도판트농도에따라다양한전자기적특성에영향을미치며, 따라서도핑영역층의위치및 농도를조절함으로써박막의전자기적특성을목적에따라손쉽게조절할수 있다. 본발명에따른복합박막은단원자증착법으로제조됨으로써, 간단한공정을통하여박막의광학적및 전자기적특성을제어할수 있으며, 별도의추가공정이나복수의막을따로따로제조할필요가없기때문에생산단가측면에서도유리하다.
Abstract translation: 本发明涉及通过使用原子层沉积（ALD）方法具有掺杂部分层和不掺杂部分层而在垂直分量中复杂且不对称的复合薄膜。 根据本发明的复合薄膜通过在薄膜的一部分中具有包括掺杂剂原子层的掺杂部分层，在薄膜的垂直分量中具有复杂和不对称的特性。 它使得掺杂部分层和非掺杂部分层之间的带结构不同以通过截面来改变电磁特性并改善功能; 从而在整个显示器，存储器和半导体领域中被使用。 此外，它根据复合薄膜中的掺杂部分层的位置和掺杂剂浓度影响各种电磁特性。 因此，通过控制掺杂部分层的位置和浓度，可以根据目的容易地控制薄膜的电磁特性。 根据本发明的复合薄膜可以通过通过原子层沉积方法制造的简单工艺来控制薄膜的光学和电磁特性，并且可以具有生产成本的优点，因为它不需要额外的工艺或 独立制造多个膜。
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公开(公告)号：KR1020150043039A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：KR1020130121986
申请日：2013-10-14
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1의루테늄화합물및 이의제조방법, 박막을형성하는방법에관한것으로, 하기화학식 1의루테늄화합물은열적안정성이우수하여양질의루테늄박막을형성할수 있다. [화학식 1]
Abstract translation: 本发明涉及化学式1的钌化合物及其制造方法和薄膜的制造方法，其中化学式1的钌化合物具有优异的热稳定性，从而生产出优质的钌薄膜 。 [化学式1]
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101503031B1
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020130046343
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/06 , C23C16/448
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 납 전구체에 관한 것으로, 상기 납 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점을 가지기 때문에 이를 이용하여 쉽게 양질의 황화납 박막을 제조할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 , R
2 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R
3 , R
4 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)-
公开(公告)号：KR101458878B1
公开(公告)日：2014-11-07
申请号：KR1020130020560
申请日：2013-02-26
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: Y02P20/544
Abstract: 본 발명은 고순도의 Ⅲ족 질화물 결정체 분말을 연속으로 제조하는 방법에 있어서, 기존의 암모노써멀 합성 대비 반응 용기의 체결 및 이송 공정을 줄이고 반응 용기를 외부 대기와 단절시켜 산소와 수분에 의한 오염을 최소화 시킬 수 있으며, 온도를 일정하게 유지한 상태로 원료를 연속적으로 장입하고, 반응이 종료된 분말을 지속적으로 수집할 수 있어 공정 시간을 획기적으로 단축하면서 생산성이 우수한 암모노써멀 합성 반응 장치를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020140127687A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046352
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F11/005 , C23C16/305
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 몰리브데넘 전구체에 관한 것으로, 상기 몰리브데넘 전구체는 열적으로 안정하며 휘발성이 높다는 장점이 있고 이를 이용하여 양질의 황화몰리브데넘 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, R
6 는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)
[화학식 2]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택되며, X는 Cl, Br 또는 I이다.)Abstract translation: 本发明涉及由以下化学式1或2表示的钼前体。钼前体具有热稳定性和挥发性高的优点，并且可以通过使用它们形成高质量的硫化钼薄膜。 [化学式1]（式中，R 1为C 1〜C 4的直链或支链烷基，R 2和R 3各自为C 1〜C 10的独立的直链或支链烷基，R 4和R 5各自为直链或支链的 C1-C10的烷基或C1-C10的直链或支链氟代烷基，R6是C1-C10的直链或支链烷基，n选自1-3的整数。）[化学式2]（In 式中R1是C1-C4的直链或支链烷基，R2和R3分别是C1-C10独立的直链或支链烷基，R4和R5分别是C1-C10的独立的直链或支链烷基或 C1-C10的直链或支链氟烷基，n选自1至3的整数，X为Cl，Br或I.）。
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公开(公告)号：KR1020140127684A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046349
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F11/005 , C23C16/305
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 텅스텐 전구체에 관한 것으로, 상기 텅스텐 전구체는 열적으로 안정하며 휘발성이 높다는 장점이 있고 이를 이용하여 양질의 황화텅스텐 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, R
6 는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)
[화학식 2]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택되며, X는 Cl, Br 또는 I이다.)Abstract translation: 本发明涉及由以下化学式1或2表示的钨前体。钨前体具有热稳定性和挥发性高的优点，并且可以通过使用它们形成高质量的硫化钨薄膜。 [化学式1]（式中，R 1为C 1〜C 4的直链或支链烷基，R 2和R 3各自为C 1〜C 10的独立的直链或支链烷基，R 4和R 5各自为直链或支链的 C1-C10的烷基或C1-C10的直链或支链氟代烷基，R6是C1-C10的直链或支链烷基，n选自1-3的整数。）[化学式2]（In 式中R1是C1-C4的直链或支链烷基，R2和R3分别是C1-C10独立的直链或支链烷基，R4和R5分别是C1-C10的独立的直链或支链烷基或 C1-C10的直链或支链氟烷基，n选自1至3的整数，X为Cl，Br或I.）。
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公开(公告)号：KR1020140127679A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046343
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/06 , C23C16/448
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 납 전구체에 관한 것으로, 상기 납 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점을 가지기 때문에 이를 이용하여 쉽게 양질의 황화납 박막을 제조할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 , R
2 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R
3 , R
4 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)Abstract translation: 本发明涉及由下式1表示的铅前体。所述前体包括硫，具有改善的热稳定性和挥发性，在制备薄膜期间不需要加入单独的硫，从而容易地制造高质量的铅 硫化物薄膜。 [式1]（式1中，R 1和R 2各自独立地表示C1-C10的直链或支链烷基，R2和R3各自独立地表示C1-C10的直链或支链烷基或C1的直链或支链的三氟烷基 -C10，N选自1〜3的整数。）。
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