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公开(公告)号:WO2021085810A2
公开(公告)日:2021-05-06
申请号:PCT/KR2020/010113
申请日:2020-07-31
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/28 , C07F7/00 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/45553
Abstract: 본 발명은 4족 전이금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 4족 전이금속 화합물은 휘발성이 우수하고 열적으로 안정하여, 이를 전구체로 이용하여 고밀도 및 고순도의 4족 전이금속함유 박막을 제조할 수 있다.
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公开(公告)号:WO2012148090A3
公开(公告)日:2012-11-01
申请号:PCT/KR2012/002367
申请日:2012-03-30
IPC: C07D213/22 , C07D471/04 , C07D401/14
Abstract: 본 발명은 터피리딘 또는 페난쓰롤린 기능기를 함유하는 디아민 화합물과 이의 제조방법을 제공하며, 본 발명에 따른 터피리딘 또는 페난쓰롤린 기능기를 함유하는 디아민 화합물은 디안하이드라이드, 디카복실산, 디에스터 등의 단량체와 반응하여 고분자를 형성할 수 있으며 기능기로 포함된 터피리딘 또는 페난쓰롤린 구조가 금속과 배위결합을 할 수 있어 이를 이용한 촉매, 유전 소재로서의 이용될 수 있으며 비공유전자쌍과 결합할 수 있는 기능기들이 다양한 형태로 부가될 수 있는 분야에 이용될 수 있는 장점이 있다.
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公开(公告)号:WO2012148085A9
公开(公告)日:2012-11-01
申请号:PCT/KR2012/002056
申请日:2012-03-22
IPC: C07F9/90 , C23C16/18 , C23C16/44 , H01L21/205
Abstract: 본 발명은 신규한 안티몬 아미노 알콕사이드 화합물과 이를 이용하여 안티몬을 포함하는 박막을 제조하는 방법에 대한 것이다. 본 발명에 따른 신규한 안티몬 아미노 알콕사이드 화합물은 Sb[O-A-NR1R2]3으로 나타낼 수 있고, 상기 식에서, A는 C1-C10 선형 또는 분지형 알킬기로 치환 또는 비치환된 C2-C5의 알킬렌이고; R1 및 R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이다. 본 발명에 따르면, 품질이 우수한 박막을 제조할 수 있는 안티몬 전구체를 제공할 수 있다.
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公开(公告)号:WO2011102584A1
公开(公告)日:2011-08-25
申请号:PCT/KR2010/006959
申请日:2010-10-12
IPC: C07F5/00 , C07C229/10 , C07C227/18 , C23C16/40
CPC classification number: C07C229/10
Abstract: 본 발명은 변형된 글리신을 사용한 신규의 금속 디알킬글리신 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 수분에서 안정하고 보관이 용이하며 열적 안정성이 있는 금속 디알킬글리신 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及使用改性甘氨酸的新型二烷基甘氨酸金属及其制备方法,其中二烷基甘氨酸金属在水中稳定,易于储存,并具有热稳定性。
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公开(公告)号:KR1020170037102A
公开(公告)日:2017-04-04
申请号:KR1020150136231
申请日:2015-09-25
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은전이금속함유전구체, 이의제조방법및 이를이용하여박막을제조하는방법에관한것으로, 본발명에따른전이금속함유전구체는열적안정성과휘발성이개선되어낮은온도에서도쉽게양질의코발트산화물또는망간산화물을포함하는박막의제조가가능하다.
Abstract translation: 本发明涉及含有过渡金属的前体,其制备方法以及使用该前体制备薄膜的方法,其中根据本发明的含过渡金属的前体具有改进的热稳定性和挥发性, 可以制造含有氧化物的薄膜。
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公开(公告)号:KR101636491B1
公开(公告)日:2016-07-05
申请号:KR1020140086145
申请日:2014-07-09
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1의루테늄화합물및 이의제조방법, 박막을형성하는방법에관한것으로, 하기화학식 1의루테늄화합물은열적안정성과휘발성이우수하여양질의루테늄박막을형성할수 있다. [화학식 1]상기 R내지 R은각각독립적으로수소또는탄소수 1 내지 4의선형또는분지형의알킬기이다.
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公开(公告)号:KR1020160042404A
公开(公告)日:2016-04-19
申请号:KR1020160037008
申请日:2016-03-28
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/455 , H01L21/02 , H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 본발명은단원자증착(atomic layer deposition, ALD)법을이용하여, 도핑영역층과비도핑영역층을구비하여두께방향으로성분상에있어서복합및 비대칭적인복합박막및 이를제조하는방법에관한것이다. 본발명에따른복합박막은박막일부에도판트원자층을포함하는도핑영역층을구비함으로써, 박막두께방향으로성분상에있어서복합및 비대칭적특성을갖게되고, 이는도핑영역층과비도핑영역층간의밴드구조가달라지게됨으로써박막의층 영역별로전자기적특성이달라지게되고, 기능성이향상되어디스플레이, 메모리, 반도체영역전반에걸쳐서사용될수 있다. 나아가복합박막내 도핑영역층의위치및 이의도판트농도에따라다양한전자기적특성에영향을미치며, 따라서도핑영역층의위치및 농도를조절함으로써박막의전자기적특성을목적에따라손쉽게조절할수 있다. 본발명에따른복합박막은단원자증착법으로제조됨으로써, 간단한공정을통하여박막의광학적및 전자기적특성을제어할수 있으며, 별도의추가공정이나복수의막을따로따로제조할필요가없기때문에생산단가측면에서도유리하다.
Abstract translation: 本发明涉及使用原子层沉积方法的非对称复合薄膜及其制造方法,其中不对称复合薄膜在厚度方向上包括掺杂区域层和非掺杂区域层,使用原子 层沉积(ALD)方法。 根据本发明,复合薄膜包括在薄膜的一部分上包括掺杂剂原子层的掺杂区域层,并且在薄膜的厚度方向上的成分上具有复杂且不对称的性质。 掺杂区域层和非掺杂区域层之间的带结构变得不同,因此电性能由薄膜的每个层面积改变。 不对称复合薄膜具有改进的功能,并且可以跨越显示器,存储器和半导体区域使用。 此外,不对称复合薄膜根据掺杂剂的浓度和复合薄膜中的掺杂区域层的位置影响各种电特性。 因此,控制掺杂区域的位置和浓度,因此可以根据目的容易地控制薄膜的电性能。 根据本发明,使用ALD法制造复合薄膜,由此通过简单的工艺控制薄膜的光学和电学性能。 复杂的薄膜对于生产成本是有利的,因为附加工艺或单独制造多个膜的工艺是不必要的。
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