전이금속 함유 전구체, 이의 제조방법 및 이의 용도
    28.
    发明公开
    전이금속 함유 전구체, 이의 제조방법 및 이의 용도 有权
    含过渡金属的前体及其制备方法和用途

    公开(公告)号:KR1020170037102A

    公开(公告)日:2017-04-04

    申请号:KR1020150136231

    申请日:2015-09-25

    Abstract: 본발명은전이금속함유전구체, 이의제조방법및 이를이용하여박막을제조하는방법에관한것으로, 본발명에따른전이금속함유전구체는열적안정성과휘발성이개선되어낮은온도에서도쉽게양질의코발트산화물또는망간산화물을포함하는박막의제조가가능하다.

    Abstract translation: 本发明涉及含有过渡金属的前体,其制备方法以及使用该前体制备薄膜的方法,其中根据本发明的含过渡金属的前体具有改进的热稳定性和挥发性, 可以制造含有氧化物的薄膜。

    단원자 증착법을 이용한 복합 및 비대칭적인 복합박막 및 이의 제조방법
    30.
    发明公开
    단원자 증착법을 이용한 복합 및 비대칭적인 복합박막 및 이의 제조방법 审中-实审
    使用原子层沉积的多个和非对称复合薄膜及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160042404A

    公开(公告)日:2016-04-19

    申请号:KR1020160037008

    申请日:2016-03-28

    Abstract: 본발명은단원자증착(atomic layer deposition, ALD)법을이용하여, 도핑영역층과비도핑영역층을구비하여두께방향으로성분상에있어서복합및 비대칭적인복합박막및 이를제조하는방법에관한것이다. 본발명에따른복합박막은박막일부에도판트원자층을포함하는도핑영역층을구비함으로써, 박막두께방향으로성분상에있어서복합및 비대칭적특성을갖게되고, 이는도핑영역층과비도핑영역층간의밴드구조가달라지게됨으로써박막의층 영역별로전자기적특성이달라지게되고, 기능성이향상되어디스플레이, 메모리, 반도체영역전반에걸쳐서사용될수 있다. 나아가복합박막내 도핑영역층의위치및 이의도판트농도에따라다양한전자기적특성에영향을미치며, 따라서도핑영역층의위치및 농도를조절함으로써박막의전자기적특성을목적에따라손쉽게조절할수 있다. 본발명에따른복합박막은단원자증착법으로제조됨으로써, 간단한공정을통하여박막의광학적및 전자기적특성을제어할수 있으며, 별도의추가공정이나복수의막을따로따로제조할필요가없기때문에생산단가측면에서도유리하다.

    Abstract translation: 本发明涉及使用原子层沉积方法的非对称复合薄膜及其制造方法,其中不对称复合薄膜在厚度方向上包括掺杂区域层和非掺杂区域层,使用原子 层沉积(ALD)方法。 根据本发明,复合薄膜包括在薄膜的一部分上包括掺杂剂原子层的掺杂区域层,并且在薄膜的厚度方向上的成分上具有复杂且不对称的性质。 掺杂区域层和非掺杂区域层之间的带结构变得不同,因此电性能由薄膜的每个层面积改变。 不对称复合薄膜具有改进的功能,并且可以跨越显示器,存储器和半导体区域使用。 此外,不对称复合薄膜根据掺杂剂的浓度和复合薄膜中的掺杂区域层的位置影响各种电特性。 因此,控制掺杂区域的位置和浓度,因此可以根据目的容易地控制薄膜的电性能。 根据本发明,使用ALD法制造复合薄膜,由此通过简单的工艺控制薄膜的光学和电学性能。 复杂的薄膜对于生产成本是有利的,因为附加工艺或单独制造多个膜的工艺是不必要的。

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