Niedertemperatur-Haftmittelharze zum Verbinden von Wafern

    公开(公告)号:DE112015004453B4

    公开(公告)日:2022-01-27

    申请号:DE112015004453

    申请日:2015-10-19

    Applicant: IBM

    Abstract: Verfahren zum Ausbilden einer Halbleitereinheit, das aufweist:Verbinden eines Handhabungs-Wafers mit einer Vorderfläche eines Einheiten-Wafers mit einem phenoxyharzhaltigen Haftmittel, wobei das Phenoxyharz eine Viskosität in einem Bereich von 100 bis 10.000 Pa·s bei einer Temperatur in einem Bereich von 160 °C bis 210 °C und unter einem Druck von 1.000 mbar pro Fläche bei einer Wafer-Größe von 8 Zoll bei dem Einheiten-Wafer und/oder dem Handhabungs-Wafer aufweist;Vermindern der Dicke des Einheiten-Wafers von der Rückseite des Einheiten-Wafers aus, während der Einheiten-Wafer haftend an dem Handhabungs-Wafer anliegt; undEntfernen des phenoxyharzhaltigen Haftmittels durch Laser-Ablösen, wobei der Einheiten-Wafer von dem Handhabungs-Wafer getrennt wird.

    Chemically amplified photoresist composition and process for its use

    公开(公告)号:GB2485470B

    公开(公告)日:2014-05-07

    申请号:GB201119373

    申请日:2010-08-03

    Applicant: IBM

    Abstract: Photoresist compositions include a blend of a phenolic polymer with a (meth)acrylate-based copolymer free of ether-containing and/or carboxylic acid-containing moieties. The (meth)acrylate copolymer includes a first monomer selected from the group consisting of an alkyl acrylate, a substituted alkyl acrylate, an alkyl (meth)acrylate, a substituted alkyl methacrylate and mixtures thereof, and a second monomer selected from the group consisting of an acrylate, a (meth)acrylate or a mixture thereof having an acid cleavable ester substituent; and a photoacid generator. Also disclosed are processes for generating a photoresist image on a substrate with the photoresist composition.

    Chemically amplified photoresist composition and process for its use

    公开(公告)号:GB2485470A

    公开(公告)日:2012-05-16

    申请号:GB201119373

    申请日:2010-08-03

    Applicant: IBM

    Abstract: Photoresist compositions include a blend of a phenolic polymer with a (meth)acrylate-based copolymer free of ether-containing and/or carboxylic acid-containing moieties. The (meth)acrylate copolymer includes a first monomer selected from the group consisting of an alkyl acrylate, a substituted alkyl acrylate, an alkyl (meth)acrylate, a substituted alkyl methacrylate and mixtures thereof, and a second monomer selected from the group consisting of an acrylate, a (meth)acrylate or a mixture thereof having an acid cleavable ester substituent; and a photoacid generator. Also disclosed are processes for generating a photoresist image on a substrate with the photoresist composition.

    Niedertemperatur-Haftmittelharze zum Verbinden von Wafern

    公开(公告)号:DE112015004453T5

    公开(公告)日:2017-07-20

    申请号:DE112015004453

    申请日:2015-10-19

    Applicant: IBM

    Abstract: Ein Verfahren zum haftenden Verbinden bei einer Bearbeitung von Mikroelektronikeinheiten wird bereitgestellt, das ein Verbinden eines Handhabungs-Wafers mit einer Vorderseite eines Einheiten-Wafers mit einem phenoxyharzhaltigen Haftmittel; und ein Vermindern der Dicke des Einheiten-Wafers von der Rückseite des Einheiten-Wafers aus beinhaltet, während der Einheiten-Wafer haftend an dem Handhabungs-Wafer anliegt. Nachdem die Dicke des Einheiten-Wafers vermindert worden ist, kann das phenoxyharzhaltige Haftmittel durch Laser-Ablösen entfernt werden, wobei der Einheiten-Wafer von dem Handhabungs-Wafer getrennt wird.

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