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公开(公告)号:BR8801160A
公开(公告)日:1988-10-18
申请号:BR8801160
申请日:1988-03-15
Applicant: IBM
Inventor: ALLEN ROBERT DAVID , FRECHET JEAN M J , TWIEG ROBERT JAMES , WILLSON CARLTON GRANT
Abstract: Heat stable, negative resist compositions are provided for use, particularly in deep ultraviolet light x-ray and electron beams. The composition comprises an acid generting onium salt photoinitiator, a source of polyfunctional activated aromatic rings and a source of polyfunctional carbonium ions, with at least one of said sources being a polymer.
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公开(公告)号:DE112015004453B4
公开(公告)日:2022-01-27
申请号:DE112015004453
申请日:2015-10-19
Applicant: IBM
Inventor: GELORME JEFFREY , HUNG LI-WEN , ANDRY PAUL , KANG-I TSANG CORNELIA , KNICKERBOCKER JOHN , ALLEN ROBERT DAVID
IPC: H01L21/304 , H01L21/02
Abstract: Verfahren zum Ausbilden einer Halbleitereinheit, das aufweist:Verbinden eines Handhabungs-Wafers mit einer Vorderfläche eines Einheiten-Wafers mit einem phenoxyharzhaltigen Haftmittel, wobei das Phenoxyharz eine Viskosität in einem Bereich von 100 bis 10.000 Pa·s bei einer Temperatur in einem Bereich von 160 °C bis 210 °C und unter einem Druck von 1.000 mbar pro Fläche bei einer Wafer-Größe von 8 Zoll bei dem Einheiten-Wafer und/oder dem Handhabungs-Wafer aufweist;Vermindern der Dicke des Einheiten-Wafers von der Rückseite des Einheiten-Wafers aus, während der Einheiten-Wafer haftend an dem Handhabungs-Wafer anliegt; undEntfernen des phenoxyharzhaltigen Haftmittels durch Laser-Ablösen, wobei der Einheiten-Wafer von dem Handhabungs-Wafer getrennt wird.
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公开(公告)号:DE112010004289B4
公开(公告)日:2016-03-24
申请号:DE112010004289
申请日:2010-09-14
Applicant: IBM
Inventor: SOORIYAKUMARAN RATNAM , ALLEN ROBERT DAVID , BROCK PHILLIP JOE , SWANSON SALLY ANN , TRUONG HOA , CHEN KUANG-JUNG , HUANG WU-SONG , FRIZ ALEXANDER
IPC: C09D143/04 , G03F7/00 , G03F7/075
Abstract: Beschichtungszusammensetzung, umfassend: ein Polymer, umfassendwobei R1 eine Silicium-enthaltende Einheit ist, R2 eine säurestabile Lactonfunktionalität ist und R3 eine säurelabile Lactonfunktionalität ist; X1, X2, X3 unabhängig H oder CH3 sind; und m, n und o von null verschiedene positive ganze Zahlen sind, die die Anzahl von Wiederholungseinheiten darstellen; und wobei die Silicium enthaltende Einheit (m) 20 bis 40 mol-Prozent, die säurestabile Lactonfunktionalität (n) 10 bis 40 mol-Prozent und die säurelabile Lactonfunktionalität (o) 20 bis 70 mol-Prozent des Polymers bildet; einen Fotosäuregenerator; und ein Lösungsmittel.
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公开(公告)号:GB2485470B
公开(公告)日:2014-05-07
申请号:GB201119373
申请日:2010-08-03
Applicant: IBM
Inventor: DIPIETRO RICHARD ANTHONY , ALLEN ROBERT DAVID , BROCK PHILLIP JOE , TRUONG HOA
IPC: G03F7/039
Abstract: Photoresist compositions include a blend of a phenolic polymer with a (meth)acrylate-based copolymer free of ether-containing and/or carboxylic acid-containing moieties. The (meth)acrylate copolymer includes a first monomer selected from the group consisting of an alkyl acrylate, a substituted alkyl acrylate, an alkyl (meth)acrylate, a substituted alkyl methacrylate and mixtures thereof, and a second monomer selected from the group consisting of an acrylate, a (meth)acrylate or a mixture thereof having an acid cleavable ester substituent; and a photoacid generator. Also disclosed are processes for generating a photoresist image on a substrate with the photoresist composition.
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公开(公告)号:DE112010004289T5
公开(公告)日:2013-03-07
申请号:DE112010004289
申请日:2010-09-14
Applicant: IBM
Inventor: SOORIYAKUMARAN RATNAM , ALLEN ROBERT DAVID , BROCK PHILLIP JOE , SWANSON SALLY ANN , TRUONG HOA , CHEN KUANG-JUNG , HUANG WU-SONG , FRIZ ALEXANDER
IPC: C09D143/04 , G03F7/00 , G03F7/075
Abstract: Beschichtungszusammensetzungen umfassen ein Polymer, umfassend (I), wobei R1 eine Silicium-enthaltende Einheit ist, R2 eine säurestabile Lactonfunktionalität ist und R3 eine säurelabile Lactonfunktionalität ist; X1, X2, X3 unabhängig H oder CH3 sind; und m und o von null verschiedene positive ganze Zahlen sind und n null oder eine positive ganze Zahl ist, die die Anzahl von Wiederholungseinheiten darstellen; einen Fotosäuregenerator; und ein Lösungsmittel. Ferner werden Verfahren zum Herstellen eines Musters in der Beschichtungszusammensetzung, welche dieses enthält, offenbart.
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公开(公告)号:GB2485470A
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:GB201119373
申请日:2010-08-03
Applicant: IBM
Inventor: DIPIETRO RICHARD ANTHONY , ALLEN ROBERT DAVID , BROCK PHILLIP JOE , TRUONG HOA
IPC: G03F7/039
Abstract: Photoresist compositions include a blend of a phenolic polymer with a (meth)acrylate-based copolymer free of ether-containing and/or carboxylic acid-containing moieties. The (meth)acrylate copolymer includes a first monomer selected from the group consisting of an alkyl acrylate, a substituted alkyl acrylate, an alkyl (meth)acrylate, a substituted alkyl methacrylate and mixtures thereof, and a second monomer selected from the group consisting of an acrylate, a (meth)acrylate or a mixture thereof having an acid cleavable ester substituent; and a photoacid generator. Also disclosed are processes for generating a photoresist image on a substrate with the photoresist composition.
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公开(公告)号:DE602006015428D1
公开(公告)日:2010-08-26
申请号:DE602006015428
申请日:2006-02-22
Applicant: IBM
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公开(公告)号:DE69123873D1
公开(公告)日:1997-02-13
申请号:DE69123873
申请日:1991-04-16
Applicant: IBM
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公开(公告)号:ES2019413B3
公开(公告)日:1991-06-16
申请号:ES88101849
申请日:1988-02-09
Applicant: IBM
Inventor: ALLEN ROBERT DAVID , FRECHET JEAN M J , TWIEG ROBERT JAMES , WILLSON CARLTON GRANT
IPC: G03F7/004 , G03F7/029 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
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公开(公告)号:DE112015004453T5
公开(公告)日:2017-07-20
申请号:DE112015004453
申请日:2015-10-19
Applicant: IBM
Inventor: GELORME JEFFREY , HUNG LI-WEN , ANDRY PAUL , KANG-I TSANG CORNELIA , KNICKERBOCKER JOHN , ALLEN ROBERT DAVID
IPC: H01L21/304 , H01L21/02
Abstract: Ein Verfahren zum haftenden Verbinden bei einer Bearbeitung von Mikroelektronikeinheiten wird bereitgestellt, das ein Verbinden eines Handhabungs-Wafers mit einer Vorderseite eines Einheiten-Wafers mit einem phenoxyharzhaltigen Haftmittel; und ein Vermindern der Dicke des Einheiten-Wafers von der Rückseite des Einheiten-Wafers aus beinhaltet, während der Einheiten-Wafer haftend an dem Handhabungs-Wafer anliegt. Nachdem die Dicke des Einheiten-Wafers vermindert worden ist, kann das phenoxyharzhaltige Haftmittel durch Laser-Ablösen entfernt werden, wobei der Einheiten-Wafer von dem Handhabungs-Wafer getrennt wird.
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