公开(公告)号：WO2011106204A2

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：PCT/US2011024949

申请日：2011-02-16

Applicant: IBM ,  BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  SOSA CORTES NORMA E ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  WACASER BRENT A

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  SOSA CORTES NORMA E ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  WACASER BRENT A

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/06

CPC classification number: H01L31/0304 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/074 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/548

Abstract: A method for forming a single-junction photovoltaic cell includes forming a dopant layer on a surface of a semiconductor substrate; diffusing the dopant layer into the semiconductor substrate to form a doped layer of the semiconductor substrate; forming a metal layer over the doped layer, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the semiconductor substrate; removing a semiconductor layer from the semiconductor substrate at the fracture; and forming the single-junction photovoltaic cell using the semiconductor layer. A single-junction photovoltaic cell includes a doped layer comprising a dopant diffused into a semiconductor substrate; a patterned conducting layer formed on the doped layer; a semiconductor layer comprising the semiconductor substrate located on the doped layer on a surface of the doped layer opposite the patterned conducting layer; and an ohmic contact layer formed on the semiconductor layer.

Abstract translation: 一种形成单结光伏电池的方法包括在半导体衬底的表面上形成掺杂剂层; 将掺杂剂层扩散到半导体衬底中以形成半导体衬底的掺杂层; 在所述掺杂层上形成金属层，其中所述金属层中的拉伸应力构造成在所述半导体衬底中引起断裂; 在断裂时从半导体衬底去除半导体层; 以及使用半导体层形成单结光伏电池。 单结光伏电池包括掺杂剂，该掺杂层包含扩散到半导体衬底中的掺杂剂; 形成在掺杂层上的图案化导电层; 半导体层，其包括位于掺杂层的与图案化导电层相对的表面上的掺杂层上的半导体衬底; 以及形成在半导体层上的欧姆接触层。

公开(公告)号：WO2005034209A3

公开(公告)日：2005-05-19

申请号：PCT/US2004031823

申请日：2004-09-28

Applicant: IBM ,  CHOE KWANG SU ,  FOGEL KEITH E ,  MAURER SIEGFRIED L ,  MITCHELL RYAN M ,  SADANA DEVENDRA K

Inventor： CHOE KWANG SU ,  FOGEL KEITH E ,  MAURER SIEGFRIED L ,  MITCHELL RYAN M ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/316 ,  H01L21/762 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76243 ,  H01L21/26533 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/31662

Abstract: A method of fabricating silicon-on-insulators (SOIs) having a thin, but uniform buried oxide region beneath a Si-containing over-layer is provided. The SOI structures are fabricated by first modifying a surface of a Si-containing substrate to contain a large concentration of vacancies or voids. Next, a Si-containing layer is typically, but not always, formed atop the substrate and then oxygen ions are implanted into the structure utilizing a low-oxygen dose. The structure is then annealed to convert the implanted oxygen ions into a thin, but uniform thermal buried oxide region.

Abstract translation: 提供了一种制造在含Si的上层下方具有薄但均匀的掩埋氧化物区域的硅绝缘体（SOI）的方法。 通过首先修饰含Si衬底的表面以包含大量的空位或空隙的浓度来制造SOI结构。 接下来，含硅层通常但不总是形成在衬底顶上，然后使用低氧剂量将氧离子注入到结构中。 然后将结构退火以将注入的氧离子转化成薄但均匀的热掩埋氧化物区域。

公开(公告)号：DE102016104446B4

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：DE102016104446

申请日：2016-03-11

Applicant: IBM

Inventor： DE SOUZA JOEL P ,  FOGEL KEITH E ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  WACASER BRENT A

IPC: H01L29/49 ,  H01L23/485 ,  H01L23/52 ,  H01L29/20 ,  H01L29/772

Abstract: Halbleiter-Einheit, die aufweist:ein Substrat (42);eine p-dotierte Schicht (44), die ein dotiertes III-V-Material beinhaltet, auf dem Substrat;ein Material vom n-Typ (46), das auf oder in der p-dotierten Schicht (44) ausgebildet ist, wobei das Material vom n-Typ ein dotiertes III-V-Material beinhaltet; undeinen Kontakt (66), der auf dem Material vom n-Typ (46) ausgebildet ist und eine Zwischenschicht (48), die aus ZnO gebildet ist, sowie einen Teilbereich (51) aus Aluminium beinhaltet, der in direktem Kontakt zu dem ZnO der Zwischenschicht (48) ausgebildet ist, um eine elektronische Einheit zu bilden, wobei die Zwischenschicht (48) und der Teilbereich (51) aus Aluminium zusammen strukturiert werden, um den Kontakt zu bilden.

公开(公告)号：GB2495166B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：GB201209218

申请日：2011-02-16

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  CORTES NORMA E SOSA ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  WACASER BRENT A

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

公开(公告)号：DE102012209706A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：DE102012209706

申请日：2012-06-11

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304

Abstract: Die vorliegende Offenbarung stellt ein Verfahren bereit, um zwei Bauelement-Wafer aus einem einzelnen Basissubstrat zu bilden. Bei diesem Verfahren wird zunächst eine Struktur bereitgestellt, umfassend ein Basissubstrat mit auf oder innerhalb einer obersten Oberfläche und einer untersten Oberfläche des Basissubstrats aufgebrachten Bauelementschichten. Das Basissubstrat kann doppelseitig polierte Oberflächen aufweisen. Die Struktur mit den Bauelementschichten wird innerhalb eines bestimmten Bereichs des Basissubstrats gespalten, der zwischen den Bauelementschichten liegt. Durch das Spalten entsteht ein erster Bauelement-Wafer mit einem Teil des Basissubstrats und einer der Bauelementschichten, sowie ein zweiter Bauelement-Wafer mit einem anderen Teil des Basissubstrats und der anderen Bauelementschicht.

公开(公告)号：GB2490606A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：GB201208994

申请日：2011-02-16

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18

Abstract: A method for spalling a layer from an ingot of a semiconductor substrate includes forming a metal layer on the ingot of the semiconductor substrate, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the ingot; and removing the layer from the ingot at the fracture. A system for spalling a layer from an ingot of a semiconductor substrate includes a metal layer formed on the ingot of the semiconductor substrate, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the ingot, and wherein the layer is configured to be removed from the ingot at the fracture.

公开(公告)号：DE102012210227A8

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：DE102012210227

申请日：2012-06-18

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  CORTES NORMA EDITH SOSA

IPC: H01L21/304

公开(公告)号：DE102012213649A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：DE102012213649

申请日：2012-08-02

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  LIU XIAO HU ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12

Abstract: Ein Ablösungsverfahren umfasst das Aufbringen einer Stressorschicht auf die Oberfläche eines Basissubstrats und das Kontaktieren der Stressorschicht mit einer planaren Übertragungsoberfläche. Die planare Übertragungsoberfläche wird anschließend entlang einer Ebene bewegt, die parallel zu der oberen Oberfläche des Basissubstrats ist und gegenüber dieser einen vertikalen Versatz aufweist. Die planare Übertragungsoberfläche wird in einer Richtung von einem ersten Rand des Basissubstrats zu einem gegenüberliegenden zweiten Rand des Basissubstrats bewegt, um das Basissubstrat zu spalten und einen abgelösten Teil des Basissubstrats auf die planare Übertragungsoberfläche zu übertragen. Der vertikale Versatz zwischen der Ebene, entlang der die planare Übertragungsoberfläche bewegt wird, und der oberen Oberfläche des Basissubstrats ist ein feststehender Abstand. Der feststehende Abstand des vertikalen Versatzes sorgt für eine einheitliche Ablösekraft. Ein Ablösungsverfahren, das eine Übertragungswalze enthält, wird ebenfalls beschrieben.

公开(公告)号：DE102012210875A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：DE102012210875

申请日：2012-06-26

Applicant: IBM

Inventor： FOGEL KEITH E ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

Abstract: Eine Photovoltaikeinheit und ein Verfahren beinhalten Bilden einer Vielzahl von Säulenstrukturen in einem Substrat, Bilden einer ersten Elektrodenschicht auf den Säulenstrukturen und Bilden eines durchgehenden Photovoltaikstapels einschließlich einer n-leitenden Schicht, einer p-leitenden Schicht und einer intrinsischen Schicht auf der ersten Elektrode. Eine zweite Elektrodenschicht wird über dem Photovoltaikstapel abgeschieden, so dass in der zweiten Elektrodenschicht zwischen den Säulenstrukturen Lücken oder Spalten auftreten. Die zweite Elektrodenschicht wird nass geätzt um die Lücken und Spalten zu öffnen und die zweite Elektrodenschicht zu reduzieren, um eine dreidimensionale Elektrode mit im Wesentlichen gleichmäßiger Dicke über dem 3D-Photovoltaikstapel zu bilden.

公开(公告)号：DE102012210227A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：DE102012210227

申请日：2012-06-18

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  CORTES NORMA EDITH SOSA

IPC: H01L21/304

Abstract: Es wird ein Verfahren bereitgestellt, um den randbezogenen Substratbruch beim Abblättern mithilfe eines Randausschlussbereichs zu minimieren, wo die spannungserzeugende Schicht entweder nicht vorhanden ist (bei der Beschichtung ausgeschlossen oder danach entfernt wurde) oder zwar vorhanden ist, aber im Ausschlussbereich nicht erheblich an der Substratfläche haftet. In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren das Formen eines Randausschlussmaterials auf einer Oberseite und in der Nähe eines Rands eines Grundsubstrats. Eine spannungserzeugende Schicht wird dann auf freiliegenden Abschnitten der Oberseite des Grundsubstrats und über dem Randausschlussmaterial geformt. Dann wird ein Teil des Grundsubstrats, der unter der spannungserzeugenden Schicht liegt und nicht vom Randausschlussmaterial bedeckt wird, abgeblättert.