公开(公告)号：DE102012210227A8

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：DE102012210227

申请日：2012-06-18

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  CORTES NORMA EDITH SOSA

IPC: H01L21/304

公开(公告)号：DE102012212184A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：DE102012212184

申请日：2012-07-12

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/072

Abstract: Es werden Solarzellenstrukturen bereitgestellt, die durch epitaxiales Wachstum von Silicium auf einer Gruppe-III/V-Substratschicht bei niedrigen Temperaturen einen höheren Wirkungsgrad beim Sammeln von Ladungsträgern aufweisen. Außerdem beinhaltet eine Solarzellenstruktur mit einer verbesserten Leerlaufspannung eine Gruppe-III/V-Emitterschicht mit dünner Grenzschicht, die durch epitaxiale Beschichtung oder Diffusion gebildet wird und auf die anschließend durch epitaxiale Beschichtung SixGe1-x absiviert wird.

公开(公告)号：DE102012210227A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：DE102012210227

申请日：2012-06-18

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  CORTES NORMA EDITH SOSA

IPC: H01L21/304

Abstract: Es wird ein Verfahren bereitgestellt, um den randbezogenen Substratbruch beim Abblättern mithilfe eines Randausschlussbereichs zu minimieren, wo die spannungserzeugende Schicht entweder nicht vorhanden ist (bei der Beschichtung ausgeschlossen oder danach entfernt wurde) oder zwar vorhanden ist, aber im Ausschlussbereich nicht erheblich an der Substratfläche haftet. In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren das Formen eines Randausschlussmaterials auf einer Oberseite und in der Nähe eines Rands eines Grundsubstrats. Eine spannungserzeugende Schicht wird dann auf freiliegenden Abschnitten der Oberseite des Grundsubstrats und über dem Randausschlussmaterial geformt. Dann wird ein Teil des Grundsubstrats, der unter der spannungserzeugenden Schicht liegt und nicht vom Randausschlussmaterial bedeckt wird, abgeblättert.

公开(公告)号：GB2492439A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：GB201206930

申请日：2012-04-20

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  SADANA DEVENDRA

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/762

Abstract: A method cleaving a semiconductor material that includes providing a germanium substrate 1 having a germanium-tin alloy layer 10 is present therein; a stressor layer 20 is deposited on a surface of the germanium substrate 1, a stress from the stressor layer 20 is applied to the germanium substrate 1, in which the stress cleaves the germanium substrate 1 to provide a cleaved surface 4, where the germanium-tin alloy layer 10 is between the germanium substrate surface 15 and the cleaved surface 4; where the germanium substrate 5a between the cleaved surface 4 and the germanium-tin alloy layer 10 is then selectively etched. Also disclosed is a method as above where the germanium-tin alloy layer 10 is weakened prior to applying the stressor layer 20, such that the applied stress from the stressor layer 20 causes a split along the germanium-tin alloy layer 10. Further disclosed is a photovoltaic device comprising a layer of germanium with a first conductivity and thickness of 1 to 10 µm and a thickness uniformity of 100nm across its entire length; and a semiconductor layer present on the germanium layer, the semiconductor layer having a second, opposite conductivity to the first.

公开(公告)号：CA2783380A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：CA2783380

申请日：2011-02-16

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L21/304 ,  B28D5/00

Abstract: A method for spalling a layer from an ingot of a semiconductor substrate includes forming a metal layer on the ingot of the semiconductor substrate, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the ingot; and removing the layer from the ingot at the fracture. A system for spalling a layer from an ingot of a semiconductor substrate includes a metal layer formed on the ingot of the semiconductor substrate, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the ingot, and wherein the layer is configured to be removed from the ingot at the fracture.

公开(公告)号：DE102012025774B3

公开(公告)日：2022-04-07

申请号：DE102012025774

申请日：2012-07-12

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/072

Abstract: Verfahren, das Folgendes umfasst:Erzeugen einer dotierten Gruppe-III/V-Substratschicht;Bilden einer intrinsischen hydrierten epitaxialen Halbleiterschicht auf der Substratschicht, die SixGe1-xumfasst, wobei x zwischen 0 und 1 liegt, durch plasmagestützte chemische Gasphasenabscheidung bei einer Temperatur von weniger als 400 °C;Bilden einer intrinsischen amorphen Halbleiterschicht, die Six'Ge1-x':H umfasst, wobei x' zwischen 0 und 1 liegt, auf der intrinsischen epitaxialen Halbleiterschicht, undBilden einer Emitterschicht auf der intrinsischen amorphen Halbleiterschicht.

公开(公告)号：DE112012003057T5

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：DE112012003057

申请日：2012-03-12

Applicant: IBM

Inventor： HEKMATSHOAR-TABARI BAHMAN ,  HOPSTAKEN MARINUS ,  PARK DAE-GYU ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L21/265

Abstract: Ein Verfahren zum Ausbilden eines Halbleitermaterials einer Photovoltaikeinheit, das ein Bereitstellen einer Fläche eines Materials, das hydriertes, amorphes Silicium enthält, und ein Tempern des Materials, das hydriertes, amorphes Silicium enthält, in einer Deuterium enthaltenden Atmosphäre beinhaltet. Deuterium aus der Deuterium enthaltenden Atmosphäre wird in das Gitter des Materials, das hydriertes, amorphes Silicium enthält, durch die Fläche des Materials eingebracht, das hydriertes, amorphes Silicium enthält. Bei einigen Ausführungsformen erhöht das Deuterium, das in das Gitter des Materials eingebracht wird, das hydriertes, amorphes Silicium enthält, die Stabilität des Materials, das hydriertes, amorphes Silicium enthält.

公开(公告)号：GB2498854B

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：GB201300575

申请日：2013-01-14

Applicant: IBM

Inventor： SHAHRJERDI DAVOOD ,  HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/10 ,  H01L29/80

Abstract: Improved semiconductor substrates are provided that employ a wide bandgap material between the channel and the insulator. A semiconductor substrate comprises a channel layer comprised of a III-V material; an insulator layer; and a wide bandgap material between the channel layer and the insulator layer, wherein a conduction band offset (DeltaEc) between the channel layer and the wide bandgap material is between 0.05 eV and 0.8 eV. The channel layer can be comprised of, for example, In1-xGaxAs or In1-xGaxSb, with x varying from 0 to 1. The wide bandgap material can be comprised of, for example, In1-yAlyAs, In1-yAlyP, Al1-yGayAs or In1-yGayP, with y varying from 0 to 1.

公开(公告)号：GB2492444B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：GB201208147

申请日：2012-05-10

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN ,  FOGEL KEITH ,  LAURO PAUL ,  CORTES NORMA EDITH SOSA ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  SADANA DEVENDRA

IPC: H01L31/18

公开(公告)号：DE102012212447A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：DE102012212447

申请日：2012-07-17

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  HEKMATSHOAR-TABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/302 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0687

Abstract: Ein Verfahren zur Bildung einer Photovoltaikeinheit beinhaltet das Verbinden eines Substrate mit einer germaniumhaltigen Halbleiterschicht mittels einer Zugspannungsschicht, wobei die Zugspannungsschicht die germaniumhaltige Halbleiterschicht spaltet. Auf einer Spaltfläche der germaniumhaltigen Halbleiterschicht wird mindestens eine Halbleiterschicht gebildet, deren Leitungstyp dem Zeitungstyp der germaniumhaltigen Halbleiterschicht entgegengesetzt ist, um eine erste Solarzelle bereitzustellen. Die erste Solarzelle absorbiert einen ersten Wellenlängenbereich. Auf der ersten Solarzelle wird mindestens eine zweite Solarzelle gebildet, wobei die mindestens eine zweite Solarzelle aus mindestens einem Halbleitermaterial besteht, um einen zweiten Wellenlängenbereich zu absorbieren, der von dem durch die erste Solarzelle absorbierten ersten Wellenlängenbereich verschieden ist.