公开(公告)号：DE102016111909B4

公开(公告)日：2020-08-13

申请号：DE102016111909

申请日：2016-06-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRISCHMUTH TOBIAS ,  SCHMID ULRICH ,  SCHNEIDER MICHAEL ,  GRILLE THOMAS ,  MAURER DANIEL ,  HEDENIG URSULA ,  KAHN MARKUS ,  DENIFL GÜNTER

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01L7/00 ,  G01Q70/02 ,  H04R1/00

Abstract: Mikromechanische Struktur, die Folgendes umfasst:ein Substrat (102); undeine funktionale Struktur (104), die an dem Substrat (102) angeordnet ist;wobei die funktionale Struktur (104) einen funktionalen Bereich (104r) umfasst, der in Bezug auf das Substrat (102) in Reaktion auf eine Kraft, die auf den funktionalen Bereich (104r) wirkt, ablenkbar ist;wobei der funktionale Bereich (104r) ein Grundmaterial umfasst;wobei in wenigstens einem Abschnitt (106) des funktionalen Bereichs (104r) das Grundmaterial mit Fremdatomen dotiert ist, so dass ein Elastizitätsmodul und/oder eine mechanische Härte in dem wenigstens einen Abschnitt (106) niedriger ist im Vergleich zu einem Elastizitätsmodul und einer mechanischen Härte in einem weiteren Abschnitt (108) des funktionalen Bereichs (104r), der nicht mit den Fremdatomen oder weniger als der wenigstens eine Abschnitt (106) dotiert ist,wobei der funktionale Bereich (104r) einen seitlichen Gradienten in dem Elastizitätsmodul und/oder der mechanischen Härte zwischen dem wenigstens einen Abschnitt (106) und dem weiteren Abschnitt (108) aufweist, undwobei die Fremdatome wenigstens eines aus den folgenden Materialien umfassen: Phosphor, Kohlenstoff, Stickstoff, Sauerstoff, Bor, Fluor, Gallium, Germanium, Arsen.

公开(公告)号：DE102017110086A1

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：DE102017110086

申请日：2017-05-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  OTTOWITZ MARKUS ,  KOBLINSKI CARSTEN VON

IPC: B23K26/50 ,  H01L21/304 ,  H01L21/301 ,  H01L21/687

Abstract: Ein Verfahren zur Verwendung beim Herstellen von Halbleiterbauelementchips umfasst Bereitstellen eines Wafers auf einem Träger und Abdecken eines Waferzentralteils durch Setzen einer Maskierungsvorrichtung über den Waferzentralteil des Wafers und Freilassen eines Raumes zwischen einer Oberfläche des Waferzentralteils des Wafers und der Maskierungsvorrichtung. Das Verfahren umfasst ferner das Schneiden eines Waferrandteils des Wafers vom Wafer. Eine Einrichtung zur Verwendung beim Herstellen von Halbleiterbauelementchips umfasst einen Träger, der ausgelegt ist zum Tragen eines Wafers, eine Maskierungsvorrichtung, die ausgelegt ist zum Abdecken eines Waferzentralteils, und eine Schneidvorrichtung, die ausgelegt ist zum Schneiden eines Waferrandteils vom Wafer.

公开(公告)号：DE102017109575A1

公开(公告)日：2017-11-09

申请号：DE102017109575

申请日：2017-05-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DORFMEISTER MANUEL ,  DEHE ALFONS ,  GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  KALTENBACHER MANFRED ,  SCHMID ULRICH ,  SCHNEIDER MICHAEL

IPC: H04R7/24 ,  B81B7/02 ,  B81B7/04 ,  B81C1/00 ,  B82B3/00 ,  H04R3/00 ,  H04R17/00

Abstract: Aspekte einer mikroelektromechanischen Vorrichtung, einer Anordnung von mikroelektromechanischen Vorrichtungen, ein Verfahren zur Herstellung einer mikroelektromechanischen Vorrichtung und ein Verfahren zum Betrieb einer mikroelektromechanischen Vorrichtung sind hierin erläutert. Die mikroelektromechanische Vorrichtung kann Folgendes umfassen: ein Substrat (102); eine mechanisch mit dem Substrat (102) gekoppelte Membran (110), die einen belasteten Bereich umfasst, um die Membran (110) in eine von zwei geometrisch stabilen Positionen auszubauchen; einen mit der Membran (110) mechanisch gekoppelten Aktuator (120), der eine piezoelektrische Schicht (124) über der Membran (110) umfasst; eine Steuervorrichtung (150), die ausgebildet ist, um ein elektrisches Steuersignal als Antwort auf ein digitales Schalleingangssignal bereitzustellen; wobei der Aktuator (120) ausgebildet ist, um das elektrische Steuersignal zu empfangen, um über die piezoelektrische Schicht (124) eine piezoelektrische Kraft auf die Membran (110) auszuüben, um diese zur Erzeugung einer Schallwelle zu bewegen.

公开(公告)号：DE102016208356A1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：DE102016208356

申请日：2016-05-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DENIFL GUENTER ,  FRISCHMUTH TOBIAS ,  GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  IRSIGLER PETER ,  KAHN MARKUS ,  MAURER DANIEL ,  SCHMID ULRICH ,  SCHNEIDER MICHAEL

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H04R1/00

Abstract: Eine mikromechanische Struktur umfasst ein Substrat und eine funktionale Struktur, die auf dem Substrat angeordnet ist. Die funktionale Struktur umfasst einen Funktionsbereich, der mit Bezug auf das Substrat als Reaktion auf eine Kraft, die auf den Funktionsbereich wirkt, verformbar ist. Die funktionale Struktur umfasst eine Kohlenstoffschichtanordnung, wobei ein Basismaterial der Kohlenstoffschichtanordnung ein Kohlenstoffmaterial ist.

公开(公告)号：DE102015120917A1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：DE102015120917

申请日：2015-12-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  IRSIGLER PETER ,  NEIDHART THOMAS ,  RAJARAMAN VIJAYE KUMAR ,  SILVANO DE SOUSA JONATHAN

IPC: G01N21/00 ,  B82Y20/00 ,  G01J1/02 ,  G01J1/42 ,  G01K7/01 ,  G01L9/00 ,  G01N21/31 ,  G02B6/00 ,  H01L31/00 ,  H01L33/00

Abstract: Ein Sensor (100) und ein Verfahren zum Herstellen eines Sensors (100) werden offenbart. Der Sensor (100) kann Folgendes enthalten: ein Substrat (102), eine optische Quelle (106), einen optischen Detektor (108), mehrere optische Hohlräume (110) in dem Substrat (102) oder in einer Schichtstruktur über dem Substrat (102), wobei die mehreren optischen Hohlräume (110) in einem optischen Weg zwischen der optischen Quelle (106) und dem optischen Detektor (108) angeordnet sein können, und eine Verarbeitungsschaltung, die an den optischen Detektor (108) gekoppelt ist und konfiguriert ist zum Empfangen eines Signals, das ein durch den optischen Detektor (108) empfangenes Signal darstellt.

公开(公告)号：DE102015213756A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：DE102015213756

申请日：2015-07-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DENIFL GUENTER ,  FRISCHMUTH TOBIAS ,  GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  IRSIGLER PETER ,  KAHN MARKUS ,  MAURER DANIEL ,  SCHMID ULRICH

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H04R7/02

Abstract: Eine mikromechanische Struktur umfasst ein Substrat und eine funktionelle Struktur, die auf dem Substrat angeordnet ist. Die funktionelle Struktur weist ein funktionelles Gebiet auf das ausgelegt ist, in Bezug auf das Substrat ansprechend auf eine Kraft, die auf das funktionelle Gebiet einwirkt, ausgelenkt zu werden. Die funktionelle Struktur umfasst eine leitfähige Basisschicht und eine funktionelle Struktur, welche eine Versteifungsstruktur mit einem Versteifungsstrukturmaterial umfasst, die auf der leitfähigen Basisschicht angeordnet ist und die leitfähige Basisschicht in dem funktionellen Gebiet nur teilweise bedeckt. Das Versteifungsstrukturmaterial umfasst ein Silicium-Material und wenigstens ein Kohlenstoff-Material.

公开(公告)号：DE102015108079A1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：DE102015108079

申请日：2015-05-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FIGUEIRA DA SILVA SYLVICLEY ,  SILVANO DE SOUSA JONATHAN ,  FRISCHMUTH TOBIAS ,  HEDENIG URSULA ,  GRILLE THOMAS ,  IRSIGLER PETER ,  SCHMID ULRICH

IPC: G01K7/34 ,  B81B3/00

Abstract: Hierin offenbarte verschiedene Ausführungsformen umfassen ein kapazitives Thermometer, das eine auslenkbare Membran und eine Erfassungselektrode umfasst. Die auslenkbare Membran ist ausgelegt, einen kapazitiven Wert auf der Grundlage einer Temperatur der auslenkbaren Membran anzupassen.

公开(公告)号：DE112013004299T5

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：DE112013004299

申请日：2013-08-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JAKOBY BERNHARD ,  LAVCHIEV VENTSISLAV M ,  GRILLE THOMAS ,  IRSIGLER PETER ,  SGOURIDIS SOKRATIS ,  HEDENIG URSULA ,  OSTERMANN THOMAS

IPC: G01N21/55 ,  G01N21/77 ,  G01N33/543

Abstract: Einige Ausführungsformen der Beschreibung betreffen einen optoelektronischen Infrarot(IR)-Sensor mit einem in einem einzelnen integrierten Silizium-Chip implementierten Silizium-Wellenleiter. Der IR-Sensor weist ein Halbleitersubstrat mit einem Silizium-Wellenleiter auf, der sich entlang einer Länge zwischen einem Strahlungseinlasskanal und einem Strahlungsauslasskanal erstreckt. Der Strahlungseinlasskanal koppelt Strahlung in den Silizium-Wellenleiter ein, während der Strahlungsauslasskanal Strahlung aus dem Silizium-Wellenleiter auskoppelt. Der Silizium-Wellenleiter überträgt die IR-Strahlung von dem Strahlungseinlasskanal zum Strahlungsauslasskanal in einer einzelnen Mode. Beim Übertragen der Strahlung durch den Silizium-Wellenleiter wird ein abklingendes Feld ausgebildet, das sich vom Silizium-Wellenleiter nach außen erstreckt, um mit einer zwischen dem Strahlungseinlasskanal und dem Strahlungsauslasskanal positionierten Probe in Wechselwirkung zu treten.