公开(公告)号：DE102018127833B4

公开(公告)日：2020-10-01

申请号：DE102018127833

申请日：2018-11-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELLMUND OLIVER ,  MODER IRIS ,  EICHINGER BARBARA ,  LUDWIG JACOB TILLMANN ,  MURI INGO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/20 ,  H01L21/22 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/324 ,  H01L21/328 ,  H01L21/336 ,  H01L27/08 ,  H01L29/68

Abstract: Verfahren, das aufweist:Erzeugen mehrerer Gräben (20) in einer ersten Oberfläche (11) eines Halbleiterwafers (10);Einbringen von Dotierstoffatomen zumindest in Seitenwände (21, 22) und einen Boden (23) eines jeden der mehreren Gräben (20);Erzeugen einer Halbleiterschicht (30), die die mehreren Gräben (20) vollständig füllt;Diffundieren der Dotierstoffatome in einem thermischen Prozess, um ein dotiertes Gebiet (40) zumindest in dem Halbleiterwafer (10) zu erzeugen,Entfernen von Material des Halbleiterwafers (10) an einer der ersten Oberfläche (11) entgegengesetzten zweiten Oberfläche (12);Befestigen eines Trägers an der Halbleiterschicht (30) vor dem Entfernen von Material von dem Halbleiterwafer (10) an der zweiten Oberfläche (12); undErzeugen zumindest einer epitaktischen Schicht (60) auf der zweiten Oberfläche (12) des Wafers (10) nach dem Entfernen von Material von dem Halbleiterwafer (10) an der zweiten Oberfläche (12).

公开(公告)号：DE102019108754A1

公开(公告)日：2020-09-10

申请号：DE102019108754

申请日：2019-04-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MODER IRIS ,  GOLLER BERNHARD ,  RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER SANTOS ,  HOECHBAUER TOBIAS

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Halbleitersubstrat (700) umfasst einen Basisbereich (705), eine Zusatzschicht (710) und eine Oberflächenschicht (720). Die Zusatzschicht (710) ist auf dem Basisbereich (705) ausgebildet. Die Oberflächenschicht (720) ist auf der Zusatzschicht (710) ausgebildet. Die Oberflächenschicht (720) ist mit einer ersten Hauptoberfläche (701) des Halbleitersubstrats (700) in Kontakt. Die Zusatzschicht (710) weist eine andere elektrochemische Auflösungseffizienz als der Basisbereich (705) und die Oberflächenschicht (720) auf. Zumindest ein Bereich der Zusatzschicht (710) und ein Bereich der Oberflächenschicht (720) werden in eine poröse Struktur (820) transformiert. Anschließend wird auf der ersten Hauptoberfläche (701) eine epitaktische Schicht (730) ausgebildet.

公开(公告)号：DE102017106202B4

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：DE102017106202

申请日：2017-03-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MODER IRIS ,  MURI INGO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  FRIEDLER SOPHIA

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

Abstract: Gemäß Ausführungsformen umfasst ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung ein Ausbilden einer Maske mit einem Muster inerter Strukturen auf einer Seite einer ersten Hauptoberfläche eines Halbleitersubstrats. Über der ersten Hauptoberfläche wird eine Halbleiterschicht ausgebildet, und das Halbleitersubstrat wird von einer der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegenden zweiten Hauptoberfläche aus abgedünnt. Danach wird ein lateral an die inerten Strukturen grenzender Halbleiterbereich anisotrop geätzt.

公开(公告)号：DE102017106202A1

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：DE102017106202

申请日：2017-03-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MODER IRIS ,  MURI INGO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  FRIEDLER SOPHIA

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

Abstract: Gemäß Ausführungsformen umfasst ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung ein Ausbilden einer Maske mit einem Muster inerter Strukturen auf einer Seite einer ersten Hauptoberfläche eines Halbleitersubstrats. Über der ersten Hauptoberfläche wird eine Halbleiterschicht ausgebildet, und das Halbleitersubstrat wird von einer der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegenden zweiten Hauptoberfläche aus abgedünnt. Danach wird ein lateral an die inerten Strukturen grenzender Halbleiterbereich anisotrop geätzt.

公开(公告)号：DE102016122637A1

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：DE102016122637

申请日：2016-11-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MURI INGO ,  MODER IRIS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  HELLMUND OLIVER

IPC: H01L21/301 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L21/50

Abstract: Ein Verfahren zur Verwendung beim Herstellen von Halbleiter-Dies ist offenbart. Das Verfahren umfasst Bereitstellen eines Wafersubstrats, das Zerteilungsbereiche umfasst, Bereitstellen eines ersten Ätzstoppmaterials außerhalb der Zerteilungsbereiche und Ätzen des Wafersubstrats herab bis zu dem ersten Ätzstoppmaterial. Es ist auch ein Halbleitervorrichtungschip offenbart. Der Halbleitervorrichtungschip umfasst eine Vorrichtungsschicht, die eine Halbleitervorrichtung umfasst, und eine Metallstützschicht, die die Vorrichtungsschicht stützt. Die Metallstützschicht stellt einen Metallseitenwandschutz der Vorrichtungsschicht bereit.

公开(公告)号：DE102016122921A1

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：DE102016122921

申请日：2016-11-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUMGARTL JOHANNES ,  ENGELHARDT MANFRED ,  HELLMUND OLIVER ,  MODER IRIS ,  MURI INGO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/32 ,  H01L21/324 ,  H01L21/762

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements beinhaltet das Ausbilden einer Öffnung in einem ersten epitaxialen lateralen Überwachsungsgebiet, um eine Oberfläche des Halbleitersubstrats innerhalb der Öffnung zu exponieren. Das Verfahren beinhaltet weiterhin das Ausbilden eines Isolationsgebiets an der exponierten Oberfläche des Halbleitersubstrats innerhalb der Öffnung und das Füllen der Öffnung mit einem zweiten Halbleitermaterial, um unter Verwendung eines lateralen epitaxialen Aufwachsprozesses ein zweites epitaxiales laterales Überwachsungsgebiet auszubilden.

公开(公告)号：DE102016120080A1

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：DE102016120080

申请日：2016-10-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  MURI INGO ,  MODER IRIS ,  BAUMGARTL JOHANNES

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304

Abstract: Gemäß einem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung wird eine Hilfsstruktur (102) an einer ersten Oberfläche (104) eines Siliziumhalbleiterkörpers (100) gebildet. Eine Halbleiterschicht (106) wird auf dem Halbleiterkörper (100) an der ersten Oberfläche gebildet. Halbleitervorrichtungselemente (108–110) werden an der ersten Oberfläche (104) gebildet. Der Halbleiterkörper (100) wird dann von einer zweiten Oberfläche (105) entgegengesetzt zu der ersten Oberfläche (104) wenigstens bis zu einem zur zweiten Oberfläche (105) ausgerichteten Rand der Hilfsstruktur (102) entfernt.