-
公开(公告)号：DE102011085348B4
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：DE102011085348
申请日：2011-10-27
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BÖCK JOSEF , LACHNER JOSEF , MEYER THORSTEN , WOJNOWSKI MACIEJ
Abstract: Halbleitermodul, das folgende Merkmale aufweist: eine gedruckte Schaltungsplatine (206–606); ein Gehäuse (204–604), das eine Integrierte-Schaltung-Vorrichtung (202–602) (IC-Vorrichtung), die in einen Gehäuseformverbund eingebettet ist, und eine oder mehrere integrierte Antennenstrukturen (208–608) aufweist, die mit der IC-Vorrichtung (202–602) gekoppelt sind und konfiguriert sind, um eine elektromagnetische Strahlung für eine drahtlose Übertragung zu erzeugen; und eine Bondverbindungsstruktur mit dreidimensionalen Verbindungsstrukturen (210–610), konfiguriert, um das Gehäuse (204–604) physisch mit der gedruckten Schaltungsplatine (206–606) zu verbinden; wobei die zumindest eine der integrierten Antennenstrukturen (208–608) in einer größeren Mitte-zu-Mitte-Distanz von der IC-Vorrichtung (202–602) angeordnet ist als jegliche der dreidimensionalen Verbindungsstrukturen (210–610).
-
公开(公告)号：DE102011085348A1
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：DE102011085348
申请日：2011-10-27
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BOECK JOSEF , LACHNER JOSEF , MEYER THORSTEN , WOJNOWSKI MACIEJ
Abstract: Hierin wird ein Halbleitermodul mit einer oder mehreren integrierten Antennen in einem einzelnen Gehäuse bereitgestellt, das eine Bondverbindungsstruktur mit einer Mehrzahl von individuellen Bondelementen aufweist, die auf einen relativ kleinen Bereich des Bodens eines Gehäuses begrenzt sind. Genauer gesagt weist das Halbleitermodul eine Bondverbindungsstruktur auf, die konfiguriert ist, um ein integriertes Gehäuse mit einer gedruckten Schaltungsplatine (PCB) zu verbinden, wobei die integrierten Antennenstrukturen in einer größeren Mitte-zu-Mitte-Distanz von der IC-Vorrichtung angeordnet sind als die dreidimensionalen Verbindungsstrukturen. Daher sind die Bondverbindungsstrukturen auf einen Verbindungsbereich begrenzt, der verursacht, dass sich ein Teil des Gehäuses, der die eine oder die mehreren Antennenstrukturen enthält, über die Bondverbindungsstruktur hinaus als eine freitragende Struktur erstreckt. Eine solche Bondverbindungsstruktur führt zu einem Gehäuse, das in Kontakt mit einer PCB an einem relativ kleinen Bereich ist, der die Last des Gehäuses stützt.
-
公开(公告)号：DE102010001407A1
公开(公告)日：2010-09-30
申请号：DE102010001407
申请日：2010-01-29
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： LACHNER RUDOLF , WOJNOWSKI MACIEJ , MAURER LINUS
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Halbleitermodul zur Erzeugung und/oder zum Empfang elektromagnetischer Strahlung. Es weist eine erste Gehäusemoldmassenschicht (126) auf, sowie ein IC-Bauelement (102, 202) mit einem integrierten Schaltkreis, das in die erste Gehäusemoldmassenschicht (126, 204) eingebettet ist, eine Zwischenschicht (117, 206) mit einer Umverdrahtungsschicht (121, 208), die an dem IC-Bauelement (102, 202) angeschlossen ist und die dazu dient, das IC-Bauelement (102, 202) extern anzuschließen. Außerdem ist wenigstens eine integrierte Antennenstruktur (106, 108, 210) vorgesehen, die innerhalb der Zwischenschicht (117, 206) angeordnet und an dem IC-Bauelement (102, 202) angeschlossen ist. Weiterhin ist ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleitermoduls vorgesehen.
-
公开(公告)号：DE102021102228A1
公开(公告)日：2022-08-04
申请号：DE102021102228
申请日：2021-02-01
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HARTNER WALTER , ELIAN KLAUS , ERDOEL TUNCAY , GEISSLER CHRISTIAN , RIEDER BERNHARD , SCHALLER RAINER MARKUS , THEUSS HORST , WOJNOWSKI MACIEJ
IPC: H01P1/06
Abstract: Eine Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst eine Leiterplatte und ein auf der Leiterplatte montiertes Hochfrequenz-Package mit einem Hochfrequenz-Chip und einem Hochfrequenz-Strahlungselement. Die Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst ferner ein Wellenleiter-Bauteil mit einem Wellenleiter, wobei das Hochfrequenz-Strahlungselement dazu ausgelegt ist, in den Wellenleiter Sendesignale einzustrahlen und/oder über den Wellenleiter Empfangssignale zu empfangen. Die Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst ferner einen zwischen einer ersten Seite des Hochfrequenz-Package und einer zweiten Seite des Wellenleiter-Bauteils angeordneten Spalt und eine Abschirmstruktur, welche dazu ausgelegt ist: eine relative Bewegung zwischen dem Hochfrequenz-Package und dem Wellenleiter-Bauteil in einer ersten Richtung senkrecht zur ersten Seite des Hochfrequenz-Package zuzulassen, und die Sendesignale und/oder die Empfangssignale derart abzuschirmen, dass eine Ausbreitung der Signale über den Spalt abgeschwächt oder verhindert wird.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102014112497B4
公开(公告)日：2020-07-09
申请号：DE102014112497
申请日：2014-08-29
Inventor： SELER ERNST , WOJNOWSKI MACIEJ
IPC: H01L23/66 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/31 , H01L23/525 , H01L23/60 , H01L29/417 , H01Q23/00 , H05F3/02
Abstract: Elektronisches Bauelement, umfassend:- mindestens einen Interkonnektor (102), welcher eine Lötkugel ist;- einen mindestens ein elektrisches Chip -Pad (106) umfassenden Halbleiter-Chip (104);- eine Verkapselungsstruktur (108), die mindestens einen Teil des Halbleiter-Chips (104) verkapselt; und- eine elektrisch leitfähige Redistribution-Layer (110), die zwischen dem mindestens einen Interkonnektor (102) und dem mindestens einen Chip-Pad (106) angeordnet und elektrisch mit dem mindestens einen Interkonnektor (102) und dem mindestens einen Chip-Pad (106) gekoppelt ist;- wobei die Redistribution-Layer (110) mindestens eine Einstellungsstruktur (112) umfasst, die zur Einstellung von Hochfrequenzeigenschaften eines Übergangs zwischen dem Halbleiter-Chip (104) und einem Montagesubstrat konfiguriert ist.
-
公开(公告)号：DE102019118691A1
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：DE102019118691
申请日：2019-07-10
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HAMMERSCHMIDT DIRK , HARTNER WALTER , LODERMEYER JOHANNES , MARIOTTI CHIARA , MEYER THORSTEN , WOJNOWSKI MACIEJ
IPC: H01L23/66 , H01L23/482 , H01P3/16 , H01Q23/00
Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfassend ein Gehäuse einer integrierten Schaltung (IC) und einen Kunststoff-Wellenleiter. Das IC-Gehäuse umfasst einen Halbleiterchip; und eine eingebettete Antenne, die innerhalb einer Redistributionsschicht (RDL) gebildet ist, die mit dem Halbleiterchip gekoppelt ist, wobei die RDL ausgebildet ist, um ein Radiofrequenz- (RF-) Signal zwischen dem Halbleiterchip und der eingebetteten Antenne zu transportieren. Der Kunststoff-Wellenleiter ist an dem IC-Gehäuse angebracht und ausgebildet, um das RF-Signal zwischen der eingebetteten Antenne und außerhalb des IC-Gehäuses zu transportieren.
-
公开(公告)号：DE102014105845B4
公开(公告)日：2019-06-06
申请号：DE102014105845
申请日：2014-04-25
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： SELER ERNST , WOJNOWSKI MACIEJ , HARTNER WALTER
IPC: H01P5/00 , H01L21/56 , H01L23/02 , H01L23/28 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/50 , H01L23/66 , H01P1/16 , H01P3/12 , H01P5/08 , H01P5/107
Abstract: Integriertes Schaltungsmodul (10), umfassend:eine Gehäuse-Vergussmasseschicht (12), die eine Gehäuse-Vergussmasse (14) umfasst und gegenüberliegende erste (16) und zweite (18) Flächen aufweist;eine Hochfrequenz (HF)-integrierte Schaltung (20), die in der Gehäuse-Vergussmasse (14) eingebettet ist und einen HF-Anschluss (22) umfasst;eine Wellenleiter-Übergangsstruktur (24), die in der Gehäuse-Vergussmasse (14) eingebettet ist und einen Übertragungsleitungs-Grenzschichtabschnitt (26), einen Wellenleiter-Grenzschichtabschnitt (28), der ausgelegt ist, mit einem rechteckigen Wellenleitergehäuse gekoppelt zu werden, und einen Transformatorabschnitt (32), der ausgelegt ist, einen Ausbreitungsmodenübergang zwischen dem Übertragungsleitungs-Grenzschichtabschnitt (26) und dem Wellenleiter-Grenzschichtabschnitt (28) vorzusehen, umfasst;eine erste Umverteilungsschicht (34), die wenigstens eine Isolierschicht (36) und wenigstens eine Metallisierungsschicht (38) umfasst und sich zwischen der HF-integrierten Schaltung (20) und der Wellenleiter-Übergangsstruktur (24) quer über die erste Fläche (16) der Gehäuse-Vergussmasseschicht (12) erstreckt, wobei die erste Umverteilungsschicht (34) ferner eine HF-Übertragungsleitung (40) umfasst, die zwischen den HF-Anschluss (22) der HF-integrierten Schaltung (20) und den Übertragungsleitungs-Grenzschichtabschnitt (26) der Wellenleiter-Übergangsstruktur (24) leitfähig geschaltet ist; undeine zweite Umverteilungsschicht (42), die wenigstens eine Isolierschicht (44) und wenigstens eine Metallisierungsschicht (46) umfasst;wobei die erste Umverteilungsschicht (34) an einer ersten Hauptfläche der HF-integrierten Schaltung (20) angeordnet ist und die zweite Umverteilungsschicht (42) an einer der ersten Hauptfläche gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche der HF-integrierten Schaltung (20) angeordnet ist.
-
公开(公告)号：DE102016107678A1
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：DE102016107678
申请日：2016-04-26
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： MEYER THORSTEN , WOJNOWSKI MACIEJ , HARTNER WALTER
IPC: H01L23/66 , H01L23/482 , H01L23/50 , H01Q1/22
Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiter-Die mit einer aktiven Hauptoberfläche und einer gegenüberliegenden Hauptoberfläche gegenüber der aktiven Hauptoberfläche. Die Halbleitervorrichtung umfasst ferner eine Antenne, welche auf der aktiven Hauptoberfläche des Halbleiter-Die angeordnet ist, und eine Vertiefung, welche auf der gegenüberliegenden Hauptoberfläche des Halbleiter-Die angeordnet ist. Die Vertiefung ist über der Antenne angeordnet.
-
公开(公告)号：DE102014115313A1
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：DE102014115313
申请日：2014-10-21
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BAL JAGJIT SINGH , POUR MOUSAVI MEHRAN , SELER ERNST , TROTTA SAVERIO , WOJNOWSKI MACIEJ
IPC: H05K1/02
Abstract: Gemäß einer Ausführungsform umfasst eine Leiterplatte eine Signalleitung, die mindestens einen Abschnitt einer ersten Leitschicht umfasst und die einen ersten Abschnitt aufweist, der sich über einen Hohlraum in der Leiterpatte von einer ersten Seite des Hohlraums erstreckt. Die Leiterplatte umfasst außerdem eine erste Mehrzahl von leitenden Kontaktlöchern, die den Hohlraum umgeben, und die erste Mehrzahl von Kontaktlöchern umfasst mindestens ein nichtdurchgehendes Kontaktloch, das benachbart zur ersten Seite des Hohlraums angeordnet ist.
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.023 seconds)
