公开(公告)号：WO2009140939A2

公开(公告)日：2009-11-26

申请号：PCT/DE2009000576

申请日：2009-04-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ALBRECHT TONY ,  WEIMAR ANDREAS ,  KASPRZAK-ZABLOCKA ANNA ,  EICHINGER CHRISTIAN ,  NEVELING KERSTIN

Inventor： ALBRECHT TONY ,  WEIMAR ANDREAS ,  KASPRZAK-ZABLOCKA ANNA ,  EICHINGER CHRISTIAN ,  NEVELING KERSTIN

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/385 ,  H01L33/08 ,  H01L33/40 ,  H01L33/46 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Disclosed is an optoelectronic semiconductor chip comprising a first contact point (1) and a second contact point (2) as well as a reflective layer (3) which is directly connected in an electrically conducting manner to the second contact point. The reflective layer contains a metal that tends to migrate. Furthermore, the reflective layer is arranged such that a migration path (4) for the metal can form between the second and the first contact point. The semiconductor chip further comprises a means (6) which generates an electric field counteracting the migration of the metal during operation of the semiconductor chip.

Abstract translation: 提供了一种光电子半导体芯片，包括： - 第一接触点（1）和第二接触点（2）， - 反射层（3），其是直接导电连接到所述第二接触点，其特征在于， - 所述反射层中的迁移 包含抚育金属，以及 - 所述反射层被布置成使得对于所述金属是迁移路径（4）可以在第二和第一接触点之间形成，其中， - （6）被设置在所述半导体芯片，其是在半导体芯片的操作上的装置 形成电场，该电场反对金属的迁移。

公开(公告)号：WO2005117070A3

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：PCT/DE2005000791

申请日：2005-04-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STEIN WILHELM ,  ALBRECHT TONY ,  BRICK PETER

Inventor： STEIN WILHELM ,  ALBRECHT TONY ,  BRICK PETER

IPC: H01S5/042 ,  H01L21/00 ,  H01S3/109 ,  H01S5/02 ,  H01S5/14 ,  H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18394 ,  H01S3/109 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/141 ,  H01S5/18355 ,  H01S5/18386 ,  H01S2301/18

Abstract: Disclosed is a surface-emitting semiconductor laser component, especially an electrically pumped semiconductor laser component, which features emission in a vertical direction and is used for generating laser radiation by means of an external optical resonator (4,5). Said semiconductor laser component comprises a semiconductor element with a sequence (2) of semiconductor layers which is provided with a lateral main direction of extension and an active zone (3) used for generating radiation. A radiation-permeable contact layer (6) is disposed within the resonator and is connected to the semiconductor element in an electrically conducting manner.

Abstract translation: 它是一种表面发射半导体激光器元件，特别是电泵浦半导体激光装置，具有垂直发射方向，这是由一个外部光谐振器（4,5）的装置，提供了一种用于激光辐射的产生，包括：具有半导体层序列的半导体主体（2）所示 具有延伸的横向主方向和提供用于产生辐射活性区（3）被布置在所述腔内的透射辐射的接触层（6）和电连接到所述半导体基体。

公开(公告)号：DE102013212294A1

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：DE102013212294

申请日：2013-06-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALBRECHT TONY ,  KLEIN MARKUS ,  MARFELD JAN

IPC: H01L33/62 ,  H01L25/075

Abstract: Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip. Der Halbleiterchip weist eine Halbleiterschichtenfolge auf, welche einen ersten Halbleiterbereich, einen zweiten Halbleiterbereich und eine dazwischen angeordnete aktive Zone zur Strahlungserzeugung umfasst. Der Halbleiterchip weist einen elektrisch mit dem ersten Halbleiterbereich verbundenen ersten Kontakt, einen elektrisch mit dem zweiten Halbleiterbereich verbunden zweiten Kontakt und einen elektrisch mit dem ersten Halbleiterbereich verbundenen dritten Kontakt auf. Der erste Kontakt und der dritte Kontakt sind im Bereich von entgegen gesetzten Seiten des Halbleiterchips angeordnet. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine Vorrichtung umfassend mehrere optoelektronische Halbleiterchips.

公开(公告)号：DE102013100711A1

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：DE102013100711

申请日：2013-01-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALBRECHT TONY ,  SCHLERETH THOMAS ,  SCHNEIDER ALBERT

IPC: H01L33/48 ,  H01L21/56 ,  H01L25/075 ,  H01L33/36

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente mit den folgenden Schritten angegeben: – Bereitstellen eines Hilfsträgerwafers (1) mit Kontaktstrukturen (4), wobei der Hilfsträgerwafer Glas, Saphir oder ein Halbleitermaterial aufweist, – Aufbringen einer Vielzahl an strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern (5) auf die Kontaktstrukturen (4), – Verkapseln zumindest der Kontaktstrukturen (4) mit einem Verguss (10), und – Entfernen des Hilfsträgerwafers (1). Weiterhin wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben.

公开(公告)号：DE102012112316A1

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：DE102012112316

申请日：2012-12-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GALLMEIER HANS-CHRISTOPH ,  RICHTER MARKUS ,  ALBRECHT TONY ,  BAUMGARTNER ALEXANDER

IPC: H01L33/50 ,  F21K2/00 ,  F21Y101/02 ,  H01L21/66 ,  H01L33/58

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung von mindestens einem Strahlung emittierenden Halbleiterbauelement (11) mit den folgenden Schritten angegeben: – Bereitstellen von mindestens einem Strahlung emittierenden Halbleiterchip (4) mit einer Oberseite (6) und mindestens einer Seitenfläche (7), die schräg zu der Oberseite (6) verläuft, – Aufbringen eines Konversionselements (8) auf die Oberseite (6) und/oder die mindestens eine Seitenfläche (7) mittels Aufsprühen, wobei das Konversionselement (8) aus einem Sprühmittel (2b) erzeugt wird, das ein Matrixmaterial und Konverterpartikel enthält.

公开(公告)号：DE102012109131A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：DE102012109131

申请日：2012-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KAISER STEPHAN ,  ALBRECHT TONY ,  BESTELE MICHAEL ,  MARFELD JAN ,  SCHNEIDER ALBERT ,  KIRSCH MARKUS

IPC: H01L25/13 ,  F21V14/04 ,  H01L21/50 ,  H01L23/36 ,  H01L31/10 ,  H01L33/30 ,  H01L33/48 ,  H01L33/60 ,  H01S5/022

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine optoelektronische Bauelementevorrichtung (100), die optoelektronische Bauelementevorrichtung (100) aufweisend: mehrere optoelektronische Bauelemente (104), eingerichtet zum Bereitstellen und/oder Aufnehmen von elektromagnetischer Strahlung (102); einen Reflektor (110), der im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung der mehreren optoelektronischen Bauelemente (104) angeordnet ist, und der eine wenigstens teilweise bezüglich der bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung (102) reflektierende Oberfläche (112) aufweist; wobei die mehreren optoelektronischen Bauelemente (104) den Reflektor (110) wenigstens teilweise umgeben oder wenigstens teilweise von dem Reflektor (104) umgeben sind; und wobei der Reflektor (110) derart eingerichtet ist, dass er eine bereitgestellte elektromagnetische Strahlung derart reflektiert, dass eine vorgegebene Feldverteilung der reflektierten elektromagnetischen Strahlung in der Bildebene der optoelektronischen Bauelementevorrichtung (100) ausgebildet wird.

公开(公告)号：DE102012104035A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：DE102012104035

申请日：2012-05-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOLL ION ,  ALBRECHT TONY ,  SCHLERETH THOMAS ,  GAERTNER CHRISTIAN

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/58

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements (10) angegeben, bei dem ein Trägersubstrat (1) bereitgestellt wird, das auf einer Montagefläche (1a) zumindest eine elektrisch leitende Kontaktstruktur (2) aufweist. Auf der Montagefläche (1a) des Trägersubstrats (1) wird ein Halbleiterchip (3) aufgebracht. Anschließend werden lichtreflektierende und/oder lichtstreuende Partikel (4) zumindest bereichsweise auf der Montagefläche (1a) des Trägersubstrats (1) aufgebracht, wobei Hauptflächen (H1, H2, H3) des Halbleiterchips (3) dabei frei von den lichtreflektierenden und/oder lichtstreuenden Partikeln (4) bleiben. Weiter wird ein derart hergestelltes Halbleiterbauelement (10) angegeben.

公开(公告)号：DE10261675B4

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：DE10261675

申请日：2002-12-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STEIN WILHELM DR ,  WIRTH RALPH DR ,  ALBRECHT TONY

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/40

Abstract: Optoelektronisches Bauelement mit, – einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge, die eine elektromagnetische Strahlung emittierende aktive Zone aufweist, – mindestens einem elektrischen Kontaktbereich, der mindestens eine strahlungsdurchlässige, ZnO enthaltende elektrische Kontaktschicht aufweist, die mit einer äußeren Halbleiterschicht elektrisch leitend verbunden ist, – einem Bondpad (9), das unmittelbar auf die Halbleiterschichtenfolge aufgebracht ist, und – einem auf sämtliche freie Flächen der Kontaktschicht aufgebrachten wasserdichten Material, wobei die Dicke des wasserdichten Materials 50 bis 200 nm, einschließlich der Grenzen beträgt, wobei das Bondpad (9) ein Metall aufweist und einen Schottky-Kontakt zur Halbleiterschichtenfolge ausbildet.

公开(公告)号：DE502004008051D1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：DE502004008051

申请日：2004-11-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHMID WOLFGANG ,  BRICK PETER ,  LUTGEN STEPHAN ,  ALBRECHT TONY ,  EBERHARD FRANZ

IPC: H01S5/183 ,  H01H13/02 ,  H01H13/14 ,  H01H13/70 ,  H01H13/705 ,  H01H13/86 ,  H01S5/026 ,  H01S5/04 ,  H01S5/10 ,  H01S5/40

Abstract: An optically pumped semiconductor laser device having a surface-emitting vertical emission region ( 1 ) and at least one monolithically integrated pump radiation source ( 2 ) for optically pumping the vertical emission region ( 1 ). The semiconductor laser device is distinguished by the fact that the pump radiation enters the vertical emission region ( 1 ) in the form of partial bundles of rays of radiation with different radiation directions so that the pump radiation and the fundamental mode of the vertical emission region ( 1 ) have an overlap which is suitable for the excitation of this fundamental mode. This device is based on the fact that the fundamental mode of the vertical emission region ( 1 ) is preferably excited when the spatial intensity distribution of the pump radiation matches the profile of the fundamental mode.

公开(公告)号：DE10048443B4

公开(公告)日：2007-09-06

申请号：DE10048443

申请日：2000-09-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALBRECHT TONY ,  JACOB ULRICH ,  JANES STEFAN ,  HOFMANN JOSEF

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/042