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公开(公告)号：DE112015003629A5
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：DE112015003629
申请日：2015-08-04
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： EICHLER CHRISTOPH , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN , WURM TERESA , RISTIC JELENA
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公开(公告)号：DE102009015569A1
公开(公告)日：2010-10-07
申请号：DE102009015569
申请日：2009-03-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： AVRAMESCU ADRIAN STEFAN , QUEREN DESIREE , EICHLER CHRISTOPH , SABATHIL MATTHIAS , LUTGEN STEPHAN , STRAUS UWE
IPC: H01L33/00 , H01L29/15 , H01L29/205
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) basiert dieser auf einem Nitrid-Materialsystem und umfasst mindestens einen aktiven Quantentrog (2). Der mindestens eine aktive Quantentrog (2) ist dazu eingerichtet, im Betrieb eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Weiterhin weist der mindestens eine aktive Quantentrog (2) in einer Richtung parallel zu einer Wachstumsrichtung z des Halbleiterchips (1) N aufeinanderfolgende Zonen (A) auf, wobei N eine natürliche Zahl größer oder gleich 2 ist. Zumindest zwei der Zonen (A) des aktiven Quantentrogs (2) weisen einen voneinander verschiedenen mittleren Indiumgehalt c auf. Weiterhin erfüllt der mindestens eine aktive Quantentrog (2) die Bedingung: $I1.
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公开(公告)号：DE102009015314A1
公开(公告)日：2010-09-30
申请号：DE102009015314
申请日：2009-03-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SCHILLGALIES MARC , LELL ALFRED , DINI DIMITRI , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN , EICHLER CHRISTOPH , QUEREN DESIREE , LERMER TERESA
Abstract: Vorliegend wird eine Halbleiterlaservorrichtung (1) angegeben. Diese umfasst einen ersten Bereich (2), einen zweiten Bereich, der eine ebene Region (4f) und eine aus der ebenen Region herausragende Region (4g) aufweist, und einen aktiven Bereich (3), der zwischen dem ersten (2) und dem zweiten Bereich angeordnet ist, wobei eine Deckschicht (5, 5a, 5b), die ein Halbleitermaterial oder ein transparentes leitendes Oxid enthält, zumindest bereichsweise direkt auf der herausragenden Region (4g) angeordnet ist und die herausragende Region (4g) lateral überragt.
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公开(公告)号：DE112020000802A5
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：DE112020000802
申请日：2020-02-12
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MÜLLER JENS , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN
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25.发明专利
公开(公告)号：DE102011077542B4
公开(公告)日：2020-06-18
申请号：DE102011077542
申请日：2011-06-15
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： AVRAMESCU ADRIAN STEFAN , DINI DIMITRI DR , PIETZONKA INES
Abstract: Optoelektronischer Halbleiterkörper (100)- mit einem Substrat (102, 132, 202),- mit einer verspannten Schicht (104, 134, 160), die in einem ersten Epitaxieschritt auf dem Substrat (102, 132, 202) aufgebracht ist, wobei die verspannte Schicht (104, 134, 160) mindestens eine vertikal in der verspannten Schicht gebildete Ausnehmung (106, 110) aufweist und wobei auf die verspannte Schicht (104, 134, 160) in einem zweiten Epitaxieschritt eine weitere Schicht (108, 136, 168) aufgebracht ist, die die mindestens eine Ausnehmung (106, 110) auffüllt und die verspannte Schicht (104, 134, 160) zumindest bereichsweise bedeckt, wobei die Gitterkonstante der verspannten Schicht (104, 134, 160) kleiner ist als die Gitterkonstante des Substrats und zugleich die Gitterkonstante der weiteren Schicht (108, 136, 168) größer ist als die Gitterkonstante des Substrats.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102018110187A1
公开(公告)日：2019-10-31
申请号：DE102018110187
申请日：2018-04-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： VARGHESE TANSEN , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN
Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper (10) angegeben mit einem Schichtenstapel (11) mit einem aktiven Bereich (13), welcher dazu ausgelegt ist elektromagnetische Strahlung zu emittieren und welcher eine Haupterstreckungsebene aufweist, wobei der Schichtenstapel (11) Seitenwände (15) aufweist, welche quer zur Haupterstreckungsebene des aktiven Bereichs (13) verlaufen, und die Seitenwände (15) zumindest stellenweise mit einer Deckschicht (16) bedeckt sind, welche mit mindestens einem Halbleitermaterial gebildet ist. Außerdem werden eine Anordnung (18) von einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterkörpern (10) und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterkörpers (10) angegeben.
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公开(公告)号：DE102017129326A1
公开(公告)日：2019-06-13
申请号：DE102017129326
申请日：2017-12-08
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： STRASSBURG MARTIN , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN , VARGHESE TANSEN , HERRMANN SIEGFRIED , BEHRINGER MARTIN RUDOLF
Abstract: In einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung von Halbleiterlichtquellen (1) und umfasst die Schritte:A) Wachsen einer Vielzahl von Halbleitersäulen (3) an einer Aufwachsfläche (20) zumindest eines Aufwachssubstrats (2), wobei die Halbleitersäulen (3) zur Strahlungserzeugung eingerichtet sind,B) Einprägen der fertig gewachsenen Halbleitersäulen (3) in eine Prägematrix (4), sodass zumindest Seitenflächen (35) der Halbleitersäulen (3) unmittelbar von einem Material der Prägematrix (4) umschlossen werden, undC) Ablösen der Halbleitersäulen (3) von dem zumindest einen Aufwachssubstrat (2) nach dem Einprägen in die Prägematrix (4), wobei die Prägematrix (4) die Halbleitersäulen (3) beim Ablösen festhält.
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公开(公告)号：DE112016001301A5
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：DE112016001301
申请日：2016-03-18
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LELL ALFRED , KÖNIG HARALD , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN
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公开(公告)号：DE112016001300A5
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：DE112016001300
申请日：2016-03-18
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LELL ALFRED , KÖNIG HARALD , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN
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公开(公告)号：DE112015005885A5
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：DE112015005885
申请日：2015-12-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： EICHLER CHRISTOPH , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN
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