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公开(公告)号：CN108017036A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201710459683.0
申请日：2017-06-16
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: H04R17/02 , B81B3/0037 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81B2207/012 , B81C1/00158 , G01L9/0042 , G01L9/0073 , H01L41/042 , H01L41/1132 , H01L41/1138 , H01L41/312 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/003 , H04R2201/003
Abstract: 一种压电型MEMS传感器、具体地麦克风(50)，形成于采用半导体材料的容纳柔顺部分(54)的膜(52)中，该柔顺部分从该膜的第一表面(52a)延伸至第二表面(52b)。该柔顺部分(54)具有低于该膜(52)的其余部分的杨氏模量。具有半导体材料的敏感区域(57)在该柔顺部分(54)上方在该第一表面(52a)上延伸，并且在其端部在所述柔顺部分(54)的相反侧上固定至所述膜(52)上。所述膜的安排在所述柔顺部分(54)与所述第二表面(52b)之间的第三区域(55)形成铰链元件。
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公开(公告)号：CN106082108B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201510736299.1
申请日：2015-11-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00595 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81B2201/0292 , B81B2203/0109 , B81C1/00357 , B81C1/00801 , B81C2201/0132
Abstract: 本发明提供了一种形成IC(集成电路)器件的方法。方法包括：接收第一晶圆，第一晶圆包括第一衬底并且包括设置在其上表面上的等离子体反射层。等离子体反射层配置为从其反射等离子体。在第二晶圆的下表面上形成介电保护层，其中，第二晶圆包括第二衬底。将第二晶圆接合至第一晶圆，从而在等离子体反射层和介电保护层之间形成腔体。利用等离子体实施蚀刻工艺以形成从第二晶圆的上表面延伸并且穿过介电保护层进入腔体内的开口。也提供了通过上述方法形成的结构。本发明实施例涉及用于减少背侧硅损坏的结构。
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公开(公告)号：CN106029554B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201580009172.8
申请日：2015-02-05
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B7/0048 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/017 , B81C3/001 , B81C2201/0132 , B81C2201/019 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311
Abstract: 本发明提出一种传感器单元，其具有第一半导体器件和第二半导体器件，其中，所述第一半导体器件具有第一衬底和传感器结构，其中，所述第二半导体器件具有第二衬底，其中，所述第一和第二半导体器件通过晶圆连接部彼此连接，其中，所述传感器单元具有脱耦结构，该脱耦结构配置为，使得所述传感器结构热机械地和/或机械地与所述第二半导体器件脱耦。
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公开(公告)号：CN104603945B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201380033342.7
申请日：2013-06-28
Applicant: 英特尔IP公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B7/008 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81B2201/10 , B81B2207/012 , B81B2207/053 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/0023 , B81C2203/0792 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
Abstract: 在各实施例中，封装组件可以包括专用集成电路(ASIC)和具有活动端和不活动端的微机电系统(MEMS)。在各实施例中，MEMS可以通过一个或多个互连直接耦合到ASIC。MEMS、ASIC以及一个或多个互连可以定义或构成空腔，以便MEMS的活动部分在空腔内。在某些实施例中，封装组件可以包括通过一个或多个互连中的多个直接耦合到ASIC的多个MEMS。可描述和/或要求保护其它的实施例。
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公开(公告)号：CN107892268A
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201711113454.X
申请日：2017-11-13
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0027 , B81B2201/0264 , B81C1/00261 , B81C1/00349 , B81C2203/01
Abstract: 本发明涉及一种压力传感器及其制造方法，所述压力传感器包括：衬底；收容腔，位于所述衬底内，包括底壁和侧壁；感应本体，悬浮于所述收容腔内，所述感应本体与所述收容腔侧壁之间具有深槽，所述感应本体与收容腔底壁之间具有与所述深槽连通的第一腔体，且所述感应本体与收容腔侧壁之间通过位于所述深槽内的悬梁固定连接；所述感应本体包括：半导体层、位于所述半导体层表面的介质层、贯穿所述介质层至半导体层内的密闭的第二腔体、覆盖所述介质层和第二腔体的器件层，所述器件层表面具有压阻条。上述压力传感器具有应力释放结构，可靠性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105967138B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201510446511.0
申请日：2015-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B7/02 , B81B2201/0214 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81B2207/096 , B81C2203/0109 , G01K13/00 , G01L9/0073 , G01L19/0092 , G01N27/221 , G01N2027/222
Abstract: 本发明实施例涉及一种单片MEMS(微电子机械系统)平台和相关的形成方法，单片MEMS平台包括温度传感器、压力传感器和气体传感器。在一些实施例中，MEMS平台包括：具有一个或多个晶体管器件和温度传感器的半导体衬底。介电层设置在半导体衬底上方。腔设置在介电层的上表面内。MEMS衬底布置在介电层的上表面上并且具有第一部分和第二部分。压力传感器具有通过腔与第二压力传感器电极垂直地分离的第一压力传感器电极，第二压力传感器电极位于MEMS衬底的第一部分内。气体传感器包括设置在第一气体传感器电极和第二气体传感器电极之间的聚合物，第一气体传感器电极位于MEMS衬底的第二部分内。本发明实施例涉及用于集成压力、温度和气体传感器的单片微电子机械系统平台。
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公开(公告)号：CN102649535B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201210041782.4
申请日：2012-02-22
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H04R19/005 , B81B7/007 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81B2207/096 , B81B2207/097 , B81C2203/0109 , B81C2203/0154 , G01L19/0084 , G01L19/141 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H04R1/086 , H04R19/04 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提出了一种构件载体，其能够实现具有敏感结构的MEMS构件的成本有利、位置节省且应力较小的封装。构件载体(130)尤其适于应被安装在壳体(120)的空腔中并且被电接通的MEMS构件(10)。根据本发明的构件载体(330)被实现为在一侧敞开的空心体形式的复合件，复合件基本上由在其造型方面柔性的、三维成形的载体膜(331)和包覆材料(332)形成。包覆材料(332)在一侧成型在载体膜(331)上，使得载体膜(331)设置在构件载体(330)的内壁上。在具有载体膜(131)的内壁上构造有用于至少一个构件(10，51)的至少一个安装面。此外，载体膜(331)设有用于所述至少一个构件(10，51)的电接通的接触面和绝缘的印制导线。
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公开(公告)号：CN105283745B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201480031498.6
申请日：2014-06-04
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 海基·库斯玛
CPC classification number: G01L9/12 , B81B3/0086 , B81B2201/0264 , G01L9/0072 , G01L13/00 , G01L19/0654
Abstract: 一种微机电压力传感器结构，包括平面基座、侧壁、和隔膜板。侧壁层围绕地从平面基座延伸到侧壁层的上表面。平面基座、侧壁以及隔膜板彼此附接，以在基准压力下形成密封的闭合间隙，并且侧壁的内表面的上边缘形成隔膜的外围。隔膜板包括一个或更多个平面材料层，平面材料层的第一平面材料层跨隔膜的外围。侧壁的上表面包括至少一个不被第一平面材料层覆盖的隔离区域。
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公开(公告)号：CN104897314B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201510098346.4
申请日：2015-03-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B7/04 , B81B7/0041 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , G01L1/14 , G01L9/0041 , G01L9/0042 , G01L9/0072 , G01L9/0073 , G01L13/025 , H04R19/005 , H04R23/00 , H04R2201/003
Abstract: 本公开涉及用于感测压力波和周围压力的传感器结构。在各种实施例中，提供一种传感器结构。该传感器结构可以包括：第一传导层；电极元件；以及第二传导层，相对于第一传导层布置在电极元件的相反侧上。第一传导层和第二传导层可以形成腔室。腔室中的压力可以低于腔室外的压力。
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公开(公告)号：CN105293422B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201510317079.5
申请日：2015-06-10
Applicant: ams国际有限公司
Inventor： 马特吉·戈森斯 , 威廉·弗雷德里克·亚德里亚内斯·贝什林 , 皮特·杰勒德·斯蒂内肯 , 卡斯珀·范德阿奥斯特 , 雷默克·亨里克斯·威廉默斯·皮内伯格
CPC classification number: G01L27/005 , B81B2201/02 , B81B2201/0264 , B81B2207/11 , B81C99/0035 , G01L19/04 , G01L27/002
Abstract: 一个示例公开了一种MEMS器件，所述MEMS器件包括：具有内部环境的空腔；将所述内部环境与所述MEMS器件外的外部环境相隔离的密封，其中所述密封易于响应于校准解封能量而被损坏，并且，在所述密封损坏时，形成耦合所述内部环境与所述外部环境的通路；以及，能够在所述密封损坏之前和在所述密封损坏之后测量所述内部环境的校准电路。
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