Abstract:
PURPOSE: A tape substrate and a tin-plating method thereof are provided to improve the reliability of fine circuit patterns by forming a barrier layer before a tin-plating process. CONSTITUTION: A tape substrate includes an insulating film, a copper foil pattern, a barrier layer, and a tin layer. The copper foil pattern(70) is formed on one side of the insulating film(60). In addition, the copper foil pattern includes a connection unit. A plurality of electric elements are mounted on the connection unit. The barrier layer(75) is combined with the outside of the connection unit by using a plating method. A plurality of apertures are formed in the inside of the barrier layer. The tin layer(77) is formed on the outside of the barrier layer by using the plating method.
Abstract:
탄성 접점 구조물은 지지 기판의 상부면으로부터 연장되고, 납땜볼(또는 다른 적절한 재료로 된) 접점 구조물은 지지 기판의 바닥면 상에 배치되어 있다. 상호접속 요소(110)는 탄성 접점 구조물로서 사용되어 지지 기판의 상부에 배치되어 있다. 지지 기판의 상부에 있는 탄성 접점 구조물중 선택된 접점 구조물은 지지 기판을 거쳐 지지 기판의 바닥면 상의 접점 구조물중 대응하는 구조물에 연결되어 있다. LGA형 반도체 패키지(304)를 수용하도록 구성된 일 실시예에서, 가압 접속은 탄성 접점 구조물과 반도체 패키지의 외부 접속점 사이에서 지지 기판(302)의 상부면에 수직한 방향으로의 접속력을 갖고 이루어진다. BGA형 반도체 패키지(404)를 수용하도록 구성된 일 실시예에서 가압 접속은 탄성 접점 구조물과 반도체 패키지의 외부 접속점 사이에서 지지 기판(402)의 상부면에 평행한 방향으로의 접속력을 갖고 이루어진다.
Abstract:
탄성 접촉 구조물(430)은 다이(402a, 402b)들이 반도체 웨이퍼로부터 개별화(분리)되기 전에 하나의 반도체 다이(402a, 402b) 상에 패드(410)들을 결합하도록 직접 장착된다. 이는 복수개의 단자(712)가 배치된 표면을 갖는 회로 기판(710) 등을 갖춘 반도체 다이(702, 704)에 연결함으로써 반도체 다이(402a, 402b)들을 실행(예를 들어, 시험 및/또는 번인 등)시킬 수 있게 해준다. 따라서, 반도체 다이(402a, 402b)들은 반도체 웨이퍼로부터 개별화될 수 있어서, 동일한 탄성 접촉 구조물(430)이 반도체 다이들과 (와이어링 구조, 반도체 패키지 등)의 다른 전자 부품들 사이의 상호 접속을 수행하는 데 사용될 수 있다. 탄성 접촉 구조물로서 본 발명의 모든 금속성 복합 상호 접속 요소(430)를 사용함으로써 번인을 적어도 150 ℃의 온도로 60분 미만 내에서 완료할 수 있다.
Abstract:
A microelectronic connection component includes a dielectric sheet having an area array of elongated, strip-like leads. Each lead has a terminal end fastened to the sheet and a tip end detachable from the sheet. Each lead extends horizontally parallel to the sheet, from its terminal end to its tip end. The tip ends are attached to a second element, such as another dielectric sheet or a semiconductor wafer. The first and second elements are then moved relative to one another to advance the tip end of each lead vertically away from the dielectric sheet and deform the leads into a bent, vertically extensive configuration. The preferred structures provide semiconductor chip assemblies with a planar area array of contacts on the chip, an array of terminals on the sheet positioned so that each terminal is substantially over the corresponding contact, and an array of metal S-shaped ribbons connected between the terminals and contacts. A compliant dielectric material may be provided between the sheet and chip, substantially surrounding the S-shaped ribbons.
Abstract:
본 발명은 베젤 사이즈를 줄일 수 있는 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 위하여, 디스플레이영역과 디스플레이영역을 감싸는 주변영역을 갖는 하부기판과, 상기 하부기판에 대응하는 상부기판과, 상기 하부기판의 주변영역을 따라 위치하여 상기 하부기판과 상기 상부기판을 합착시키는 밀봉부재와, 상기 하부기판의 주변영역에서 상기 하부기판의 상기 상부기판 방향의 면 상에 위치하며 상기 하부기판 외부로 연장된 제1플렉서블막과, 상기 하부기판과 상기 밀봉부재 사이에 개재되며 상기 제1플렉서블막을 따라 상기 하부기판 외부로 연장된 제1배선을 구비하는, 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 제공한다.
Abstract:
PURPOSE: A light emitting diode (LED) 3D curved lead frame of a lighting device is provided to increase heat dissipation capacity, by using ductility and plastic deformation property of a conductive metal. CONSTITUTION: A spiral joint (17) is located in the upper part. A lighting curved surface (11) is located in the lower part. The lighting curved part is connected to a heat radiation fin (12). An LED 3D curved lead frame is installed on the lighting curved surface. A main body has the heat radiation fin extended outward.
Abstract translation:目的:通过使用导电金属的延展性和塑性变形特性,提供照明装置的发光二极管(LED)3D弯曲引线框架,以增加散热能力。 构成:螺旋接头(17)位于上部。 照明曲面(11)位于下部。 照明弯曲部分连接到散热片(12)。 LED 3D弯曲引线框架安装在照明曲面上。 主体具有向外延伸的散热片。
Abstract:
종래의 저프로파일 전해 동박과 동등한 저프로파일의 표면을 가지고, 또한 매우 큰 기계적 강도를 가지는 전해 동박 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이 목적을 달성하기 위해, 동의 석출 결정 입자가 미세하고, 그 입자 지름의 편차를 종래에 존재하지 않았을 정도로 작게 한 전해 동박이다. 이 전해 동박은, 저프로파일이고 광택을 가지는 표면을 가지며, 또한 정상 상태 인장 강도의 값이 70kgf/㎟ ~ 100kgf/㎟으로 매우 큰 기계적 강도를 가지고, 가열(180℃×60분간) 후에도 정상 상태 인장 강도 값의 85% 이상의 인장 강도의 값을 가진다. 이 전해 동박은, 벤젠고리에 술폰기가 결합된 구조를 가지는 화합물, 활성 황 화합물의 술폰산염, 환상(環狀) 구조를 가지는 4급 암모늄염 중합체를 포함한 황산계 동전해액을 이용하고, 전해법에 의해 제조한다. 그리고 이 전해 동박은, 도면에 나타내는 바와 같이 플라잉 리드를 가지는 TAB의 제조에 적합하다.