公开(公告)号：KR100406337B1

公开(公告)日：2004-04-03

申请号：KR1019980002510

申请日：1998-01-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네코사토시 ,  가미카와유지 ,  고구치아키라 ,  구로다오사무 ,  기타하라시게노리 ,  니시다다츠야

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67769 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67757 ,  H01L21/67775 ,  H01L21/67778 ,  Y10S134/902

Abstract: A substrate transporting and processing system generally comprises: a supply section of a carrier 1 for housing therein wafers W to be processed, in a horizontal state; a discharge section of the carrier 1; a wafer unloading arm 14 for unloading the wafers W from said carrier 1; a wafer loading arm 16 for loading the wafers W into the carrier 1; an attitude changing unit 40 for changing the attitude of the wafers W between a horizontal state and a vertical state; a processing section 3 for suitably processing the wafers W; and a wafer transport arm 56 for delivering the wafers W between the attitude changing unit 40 and the processing section 3 and for transporting the wafers W into and from the processing section. Thus, after the wafers W housed in the carrier 1 in the horizontal state are unloaded and the attitude of the wafers W is changed into the vertical state, suitable processes are carried out, and the attitude of the wafers W is changed in the horizontal state after processing, so that the wafers W can be housed in the carrier 1. Thus, it is possible to decrease the size of the whole system to improve the throughput and to improve the yield of products.

Abstract translation: 基板搬运处理系统一般包括：载体1的供给部，其以水平状态收纳要处理的晶片W; 载体1的排出部分; 晶片卸载臂14，用于从所述载体1卸载晶片W; 用于将晶片W装载到载体1中的晶片装载臂16; 姿态改变单元40，用于改变晶片W在水平状态和垂直状态之间的姿态; 处理部分3，用于适当处理晶片W; 以及晶片传送臂56，用于在姿态改变单元40和处理部分3之间传送晶片W并用于将晶片W传送到处理部分和从处理部分传送。 因此，在将载置在水平状态的载体1中的晶片W卸载并使晶片W的姿态变为垂直状态之后，进行适当的处​​理，使晶片W的姿势变为水平状态 在处理之后，晶片W可以容纳在载体1中。因此，可以减小整个系统的尺寸以提高产量并提高产品的产量。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR100390545B1

公开(公告)日：2003-09-26

申请号：KR1019960062257

申请日：1996-12-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신도나오키 ,  가미카와유지 ,  모쿠오쇼리 ,  구마가이요시오

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67028 ,  Y10S134/902

Abstract: A substrate washing and drying apparatus comprising a processing section for holding wafers, to which process solution to wash and vapor for drying the wafers are introduced, a supply/discharge port for introducing solution to the process section, and discharging the solution from the process section, a solution supply mechanism for selecting one from a plurality of kinds of solution, a drying vapor generation section having a heater for generation vapor for drying, a discharging solution mechanism having an opening for rapidly discharging the solution from the processing section, resistivity detecting means for detecting a resistivity value of the process solution, and a controller for controlling the supply of solution to the process section based on the resistivity value detected by the resistivity detecting means.

Abstract translation: 1。一种基板清洗干燥装置，其特征在于，具备：导入晶片的处理部，其导入清洗处理液和干燥晶片的蒸气;供给排出口，用于向处理部导入溶液;排出处理部的溶液 ，用于从多种溶液中选择一种溶液的溶液供应机构，具有用于产生干燥用蒸气的加热器的干燥蒸气产生部，具有用于从处理部快速排出溶液的开口的排出溶液机构，电阻率检测部件 用于检测处理溶液的电阻率值;以及控制器，用于基于由电阻率检测装置检测的电阻率值来控制向处理部分的溶液供应。

公开(公告)号：KR1019980081033A

公开(公告)日：1998-11-25

申请号：KR1019980011635

申请日：1998-04-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가미카와유지 ,  구로다오사무 ,  소에지마겐지 ,  노무라츠요시

IPC: H01L21/302

Abstract: 본 발명에서는 반도체웨이퍼(W)의 세정액을 수용하는 세정조의 상부에 건조실이 배치되어 있다. 웨이퍼 보트에 의해 상기 반도체웨이퍼가 지지되고, 이 반도체웨이퍼가 세정조와 건조실의 사이를 이동한다. 건조실은 세정조의 개구부를 연통하는 고정기체와, 이 고정기체의 사이에 O링을 매개하여 밀접하는 건조실 본체를 갖추고 있다. 건조실 본체는 제1승강수단에 의해 승강할 수 있도록 되어 있다.

公开(公告)号：KR1019980025068A

公开(公告)日：1998-07-06

申请号：KR1019970049348

申请日：1997-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카시마사토시 ,  우에노긴야 ,  가미카와유지

IPC: H01L21/304

Abstract: 건조처리시에 약액처리에 의한 악영향을 받는 일이 없는 세정장치 및 세정방법으로, 건조실(42)과 세정조(41)를 각각 상하로 분리함과 더불어, 건조실(42)의 공간과 세정조(41)의 공간을 슬라이드문짝(72)에 의해 차폐가능으로 하고, 각각의 처리를 슬라이드문짝(72)에 의해 차폐하여 행하도록 구성한 것이다.

公开(公告)号：KR101489314B1

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：KR1020110020416

申请日：2011-03-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가미카와유지

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67057 ,  H01L21/67034 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 패턴 붕괴나 오염의 발생을 억제하면서, 피처리 기판을 건조할 수 있는 기판 처리 장치 등을 제공한다.
본 발명의 기판 처리 장치에서, 처리 용기(31) 내에는, 피처리 기판(W)이 세로 방향의 상태로 액체 내에 침지되어 있고, 이 액체를 초임계 상태의 치환 유체에 의해 압출하여 처리 용기(31)로부터 배출한다. 그런 다음, 액체로 치환된 후의 치환 유체를 처리 용기(31)로부터 배출하여 상기 처리 용기(31) 안을 감압하고, 이 치환 유체를 초임계 상태에서 기체로 천이시킴으로써 피처리 기판(W)을 건조한다.

公开(公告)号：KR101421752B1

公开(公告)日：2014-07-22

申请号：KR1020090097794

申请日：2009-10-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/67051

Abstract: 본 발명은 고온에서 불안정한 과산화수소수를 사용하지 않고, 황산을 이용하여, 또는 고온에서 불안정한 과산화수소수를 사용하면서, 황산을 이용하여, 기판 표면의 레지스트 잔사를 효율적으로 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.
황산을 포함하는 제1 처리액 및 물로 이루어지는 제2 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 본 발명의 기판 처리 장치는, 기판의 적어도 한쪽 면에 상온보다 고온으로 유지된 상기 제1 처리액의 액막을 형성하는 액막 형성 수단(10, 31)과, 상기 기판에 있어서 상기 제1 처리액의 액막이 형성된 면에, 상기 제2 처리액의 증기 또는 미스트를 공급하는 증기·미스트 공급 수단(40)을 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 황산을 포함하는 제1 처리액 및 과산화수소수를 포함하는 제2 처리액을 이용하여 처리 용기(5) 안에서 기판을 처리하는 본 발명의 기판 처리 장치는, 제1 처리액을 상온보다 고온 상태로 저류하는 처리조(10)와, 처리조(10)와 처리 용기(5) 사이에서 기판을 승강시키는 기판 승강 기구(31)와, 기판 승강 기구(31)에 의해 기판을 처리조(10)로부터 끌어 올리거나 또는 처리조(10)에 침지시킬 때에, 기판에 있어서 제1 처리액의 액면 근방에 제2 처리액의 미스트를 공급하는 미스트 공급 수단(40)을 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101269759B1

公开(公告)日：2013-06-04

申请号：KR1020090025416

申请日：2009-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가미카와유지

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/02

CPC classification number: G05D7/0635 ,  H01L21/67253

Abstract: 본 발명은 처리액의 소비량을 줄일 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
처리액을 이용하여 기판에 대하여 액처리를 행하는 복수의 처리부(22-1 내지 22-6)와, 복수의 처리부(22-1 내지 22-6)에 처리액을 공급하는 복수의 처리부(22-1 내지 22-6)에 공통인 처리액 공급관(210)과, 복수의 처리부(22-1 내지 22-6) 중 가동되는 처리부의 수에 따라 처리액 공급관(210) 내의 처리액의 유량을 증가 또는 감소시키도록 제어하는 유량 제어부(220)를 포함한다.

公开(公告)号：KR101267641B1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：KR1020070105089

申请日：2007-10-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카히로시 ,  햐쿠타케히로노부 ,  가미카와유지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/677 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67057 ,  H01L21/67028

Abstract: 본발명에서는린스처리시에린스액의액면위치(LV1)로부터피처리체[웨이퍼(2)]의상단위치(LV2)까지의거리(t1)가, 약액처리시의약액의액면위치(LV3)로부터피처리체[웨이퍼(2)]의상단위치(LV4)까지의거리(L2)보다도짧아지도록피처리체를갖는다. 혹은린스처리시에, 린스액의액면위치(LV1)로부터피처리체[웨이퍼(2)]의상단위치(LV2)까지의거리(L1)가, 린스액의바닥면위치(LV5)로부터피처리체[웨이퍼(2)]의하단위치(LV6)까지의거리(L3)보다도짧아지도록피처리체를갖는다.

公开(公告)号：KR1020120057504A

公开(公告)日：2012-06-05

申请号：KR1020110085634

申请日：2011-08-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  이와시타미츠아키 ,  가미카와유지 ,  나카시마미키오

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/04 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67034

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a storage media are provided to prevent the high pressure fluid within a treatment basin to be entered in other instrument through a pipe. CONSTITUTION: A process chamber(31) of a supercritical processing unit(30) comprises a process space(310) for processing a wafer(W). The process chamber is connected to a fuzzy gas supply line(406) and an exhaust line(408). An opening for carrying in and out the wafer is formed at the front side of the process chamber. A spiral tube(41) is connected to the process chamber through a supply return line(411). The spiral tube accepts IPA(icosapentaenoic acid) as a liquid state.

Abstract translation: 目的：提供基板处理装置，基板处理方法和存储介质，以防止处理池内的高压流体通过管道进入其它仪器。 构成：超临界处理单元（30）的处理室（31）包括用于处理晶片（W）的处理空间（310）。 处理室连接到模糊气体供应管线（406）和排气管线（408）。 用于进出晶片的开口形成在处理室的前侧。 螺旋管（41）通过供应返回管线（411）连接到处理室。 螺旋管接受IPA（二十碳五烯酸）为液态。

公开(公告)号：KR101111008B1

公开(公告)日：2012-04-06

申请号：KR1020060063794

申请日：2006-07-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가미카와유지 ,  고바야시가쯔히코 ,  구로다노부타카 ,  나카시마미키오 ,  츠다오사무

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  Y10S134/902

Abstract: 증기 건조 장치는, 반도체 웨이퍼(W)를 수용하는 처리실(1a)과, 이 처리실(1a) 내에 IPA 증기 또는 N
2 가스를 공급하는 공급 노즐(2)과, IPA 공급원(8) 및 N
2 가스 공급원(5)에 접속되어, IPA와 N
2 가스의 혼합 유체를 생성하는 2 유체 노즐(3)과, 2 유체 노즐(3)에 의해 생성된 혼합 유체를 가열하여 IPA 증기를 생성하는 증기 발생 장치(10)와, 2 유체 노즐(3)의 일차측에 접속하는 N
2 가스 공급관(23)과, 2 유체 노즐의 이차측에 접속하는 혼합 유체 공급관(22)을 구비하고 있다. N
2 가스 공급관과 혼합 유체 공급관(22)을 접속하는 분기관(25)에, 개폐 밸브(V2)가 설치되어 있다. 우선, N
2 가스를 2 유체 노즐(3)에 공급하고, 또한 IPA 공급원(8)으로부터 공급되는 IPA를 2 유체 노즐(3)에 공급하여, 혼합 유체를 생성하고, 처리실(1a)에 공급하여 제1 건조 공정을 행한다. 다음에, N
2 가스 공급원(5)으로부터의 N
2 가스를 2 유체 노즐(3) 및 분기관(25)을 통해 처리실(1a)에 공급하여 제2 건조 공정을 행한다.

Abstract translation: 蒸气干燥装置包括适于容纳半导体晶片W的处理室1a; 供应喷嘴2，其适于将IPA蒸汽或N 2气体供应到处理室1a中; 连接到IPA供应源8和N 2气体供应源5两者并且适于产生IPA和N 2气体的混合流体的双流体喷嘴3; 蒸汽发生装置10，适于通过加热由双流体喷嘴3产生的混合流体产生IPA蒸气; 连接到双流体喷嘴3的上游侧的N 2气体供给管线23; 以及连接到双流体喷嘴3的下游侧的混合流体供给管线22.开关阀V2设置在连接N2气体供给管线23和混合流体供给管线22的分支管线25上。 首先，向双流体喷嘴3供给N2气体，同时将来自IPA供给源8的IPA供给至双流体喷嘴3，生成混合流体，然后将其供给到处理室1a， 执行第一干燥步骤。 接着，将来自N2气体供给源5的N2气通过双流体喷嘴3和分支管线25供给到处理室1a，进行第二干燥工序。