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公开(公告)号：KR1020170103672A
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：KR1020170026944
申请日：2017-03-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01J49/10 , H01L21/683 , H01L21/67
CPC classification number: H01J37/32357 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32422 , H01J37/32467 , H01J37/32495 , H01L21/67069
Abstract: (과제) 라디칼의비활성화를억제하고, 에칭의균일성을도모하는것을목적으로한다. (해결수단) 고주파의에너지에의해가스로부터플라즈마를생성하고, 생성한플라즈마중의라디칼에의해처리용기의내부에서기판을에칭처리하는기판처리장치로서, 상기처리용기의내부에고주파의에너지를공급하는고주파전원과, 상기처리용기의내부에가스를도입하는가스공급원과, 상기기판을탑재하는탑재대와, 상기처리용기의내부에마련되고, 상기처리용기의내부를플라즈마생성공간과기판처리공간으로나누고, 이온의투과를억제하는칸막이판을갖고, 상기처리용기의내벽표면중 적어도상기탑재대보다위의부분과, 상기칸막이판은, 재결합계수가 0.002 이하인유전체로덮여있는기판처리장치가제공된다.
Abstract translation: [问题]抑制自由基的失活并实现蚀刻的均匀性。 一种基片处理装置，用于通过高频能量从气体产生等离子体，并通过所产生的等离子体中的自由基对处理容器内的基片进行蚀刻， 1。一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：高频电源;向所述处理室内导入气体的气体供给源;载置所述基板的载置台;以及设置在所述处理室内的处理室， 其中，载置台和分隔板上的处理容器的内壁面的至少一部分被复合系数为0.002以下的电介质覆盖。
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公开(公告)号：KR1020150076121A
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：KR1020140188386
申请日：2014-12-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302 , H01L21/205
CPC classification number: G01K17/20 , G01J2005/583 , H01J37/32724 , H01J37/32917 , H01J37/32935 , H05H1/0043 , H05H1/24
Abstract: 본발명은플라즈마의이온플럭스를열 유속측정용부재에서의열 유속으로서측정하는열 유속측정방법을제공한다. 제 1 층(41), 제 2 층(42) 및제 3 층(43)이이 순서로적층된제 1 열유속측정용부재 S를플라즈마에노출한상태에서적층방향으로저코히런스광을조사하여얻어지는반사광으로부터제 1 층(41) 내를두께방향으로왕복하는저코히런스광의제 1 층(41) 내에서의광로길이와제 3 층(43) 내를두께방향으로왕복하는저코히런스광의제 3 층(43) 내에서의광로길이를측정한다. 사전에제 1 열유속측정용부재 S의온도와제 1 층(41) 내및 제 3 층(43) 내에서의각각의저코히런스광의광로길이의관계를나타내는데이터를작성하고, 제 1 층(41)과제 3 층(43)의온도를구하고, 구한제 1 층(41)과제 3 층(43)의온도와, 제 2 층(42)의두께및 열전도율로부터, 제 1 열유속측정용부재 S를흐르는열 유속 q를산출한다.
Abstract translation: 本发明提供一种能够测量等离子体的离子通量作为热流量测量部件中的热通量的热通量测量方法。 在该状态下，依次层叠第一层（41），第二层（42）和第三层（43）的用于测量第一通量的构件（S）暴露于等离子体中， 在第一层（41）的厚度方向上前后移动的低相干光的第一层（41）和在第三层（43）内沿着厚度方向前后移动的低相干光的光路长度 从通过在层叠方向照射低相干光而获得的反射光测量第三层（43）。 预先记录表示用于测量第一通量的构件（S）的温度与第一层（41）和第三层（43）内的每个低相干光的光路之间的关系的数据，然后 获得第一层（41）和第三层（43）的温度。 根据第一层（41）和第三层（43）的温度，第二层（42）的厚度和热量来计算流过用于测量第一通量的构件（S）的热通量（q） 电导率。
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公开(公告)号：KR1020150070025A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：KR1020140180351
申请日：2014-12-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 마츠도다츠오
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01B11/0675 , G01B9/02019 , G01B9/02021 , G01B9/02025 , G01B9/02044 , G01B9/0209 , G01K5/48 , H01J37/32449 , H01J37/32522 , H01J37/32642 , H01J37/32724 , H01J37/3288
Abstract: 직접두께를측정하는것이곤란한부재에대해서, 그소모량을간이한구성으로측정하는것이가능한소모량측정장치를제공한다. 소모량측정장치(40)는, 기판처리장치(10)의챔버(11)내에배치되는상부전극판(27)의소모량을산출하는경우, 저코히어런스광원(41)으로부터출력되는저 코히어런스광을 2개의경로로분기시켜, 한쪽의경로로전송되는저 코히어런스광을상부전극판(27)의측정점 B1에조사했을때의상부전극판(27)의상면및 하면으로부터의반사광을수광함과아울러다른쪽의경로로전송되는저 코히어런스광을상부전극판(27)의측정점 B2에조사했을때의상부전극판(27)의상면및 하면으로부터의반사광을수광하고, 수광한반사광에대해파수에의존하는강도분포를검출하고, 강도분포를나타내는스펙트럼을푸리에변환하는것에의해, 측정점 B1과측정점 B2의두께의차분을광로차로서산출한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种能够以相对于不能直接测量其厚度的部件的简化结构来测量消耗量的消耗装置。 消耗测量装置（40）能够将消除由布置在基板处理室（11）内部的上电极板（27）的低相干光源（41）输出的低相干光分成两条路径 计算装置（10）。 当透射到一条路径的低相干光照射到上电极板（27）的测量点B1时，从上电极板（27）的上表面和下表面接收反射光，反射光为 当将透射到另一路径的低相干光照射到上电极板（27）的测量点B2时，从上电极板（27）的上表面和下表面接收。 此外，检测相对于接收的反射光的取决于波数的强度分布，并且表示强度分布的光谱被傅里叶变换。 因此，通过光程差来计算测量点B1和B2之间的厚度差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150070022A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：KR1020140179983
申请日：2014-12-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G01B9/02021 , G01B9/02044 , G01B9/0209 , G01K11/125 , H01J37/32522 , H01J37/32935 , H01J37/32972
Abstract: 온도측정대상물에소모나이물의퇴적등이생겨도, 저코히어런스광의간섭을이용하여정확한온도측정을행할수 있는온도측정방법을제공한다. 포커스링(25)의온도와소정의경로의광로길이의관계를나타내는데이터를작성하고, 실제로저 코히어런스광을기판처리장치(10)에배치된포커스링(25)에조사했을때의반사광의광 간섭을이용하여포커스링(25)내에서저 코히어런스광이상기소정의경로를진행했을때의광로길이를구하고, 데이터에대조하여포커스링(25)의온도를구한다. 소정의경로를, 저코히어런스광이, 포커스링(25)에있어서경시적으로변화하지않는이면으로부터포커스링(25)내로진입하고, 포커스링(25)에있어서경시적으로변화하지않는벽면(25b)으로진행되도록경사면(25a)에서진로변경시키고, 벽면(25b)에서반사된후에진행하여온 궤적을돌아오도록설정한다.
Abstract translation: 提供一种即使异物沉积在温度测量对象上也能够通过使用低相干光的干涉来正确地测量温度的温度测量方法。 产生指示预定路径的光路长度与聚焦环（25）的温度之间的关系的数据，并且当低相干光在聚焦环（25）内行进预定路径时，获得光路长度 当低相干光实际照射设置在基板处理装置（10）中的聚焦环（25）时，使用反射光的光学干涉，并且通过与数据进行比较来获得聚焦环（25）的温度。 在预定路径中，低相干光从相对于聚焦环（25）的时间不改变的背面进入聚焦环（25），并且其倾斜表面（25a）中的一个过程被改变以行进 朝向相对于聚焦环（25）根据时间而改变的壁表面（25b），并且将低相干光设置为返回到低相干光在被壁表面（25b）反射之后行进的轨迹。
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公开(公告)号：KR101514098B1
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：KR1020100009300
申请日：2010-02-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66 , H01L21/3065
Abstract: 기판 등의 온도를 정밀도 높게 측정 할 수 있고, 보다 정밀도 높고 효율적으로 기판의 플라즈마 처리를 실행하는 것이 가능한 플라즈마 처리 장치, 온도 측정 방법 및 온도 측정 장치를 제공한다. 진공 챔버(2)와, 탑재대(3)와, 탑재대(3)의 하방에, 탑재대(3)와 간격을 두고 마련된 베이스 플레이트(9)와, 온도 측정 수단을 구비하고, 탑재대(3)의 상방이 진공 분위기로 되고, 탑재대(3)와 베이스 플레이트(9) 사이의 간격이 상압 분위기로 되는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 탑재대(3)의 상면과 하면을 온도 측정 수단의 측정광이 투과 가능하도록 광학적으로 연통하고, 또한 기밀 밀봉된 온도 측정용 윈도우(12 내지 15)를 마련하는 동시에, 탑재대(3)와 베이스 플레이트(9)와의 사이에, 이들을 연결하는 연결 부재(30)가 마련된다.
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公开(公告)号：KR1020120042775A
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：KR1020120011804
申请日：2012-02-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to improve the stability and reliability of a plasma process by efficiently preventing the generation of charging damage. CONSTITUTION: An upper electrode(38) and a bottom electrode(12) are arranged in parallel facing each other in a processing container(10) which is vacuum exhaustible. A first radio frequency is applied to the bottom electrode passing through a first adapter(34) rather than a first radio frequency power(32). A controller(68) controls the first radio frequency power. A first period has first amplitude in which the first radio frequency contributing to plasma generation produces plasma. A second period has second amplitude in which the plasma is materially not produced. The first and second periods are alternatively repeated at a certain cycle.
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，通过有效地防止产生充电损伤来提高等离子体工艺的稳定性和可靠性。 构成：在真空可耗尽的处理容器（10）中，上部电极（38）和下部电极（12）相互平行地排列。 第一射频被施加到穿过第一适配器（34）而不是第一射频功率（32）的底部电极。 控制器（68）控制第一射频功率。 第一时段具有第一幅度，其中有助于等离子体产生的第一射频产生等离子体。 第二时段具有第二幅度，其中等离子体实质上不产生。 交替地，在一个周期重复第一和第二周期。
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公开(公告)号：KR100586387B1
公开(公告)日：2006-06-08
申请号：KR1020050125316
申请日：2005-12-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66 , H05H1/00 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: G01N21/68 , H01J37/32174 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01L21/31116
Abstract: 본 발명의 플라즈마 전자 밀도 측정장치는 저전자 밀도 조건이나 고압력 조건하에서도 플라즈마중의 전자 밀도를 정확하게 측정한다.
이 플라즈마 전자 밀도 측정장치는, 측정부(54)에 벡터식의 네트워크 분석기(68)를 구비한다. 이 네트워크 분석기(68)에 의해 복소수 표시의 반사계수를 측정하여, 그 허수부의 주파수 특성을 취득하고, 계측 제어부(74)에 있어서 복소반사계수의 허수부가 제로 크로스하는 포인트의 공진 주파수를 판독하여, 공진 주파수로부터 전자 밀도의 측정값을 산출한다.-
公开(公告)号：KR1020060001944A
公开(公告)日：2006-01-06
申请号：KR1020050125316
申请日：2005-12-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66 , H05H1/00 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: G01N21/68 , H01J37/32174 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01L21/31116
Abstract: 본 발명의 플라즈마 전자 밀도 측정장치는 저전자 밀도 조건이나 고압력 조건하에서도 플라즈마중의 전자 밀도를 정확하게 측정한다.
이 플라즈마 전자 밀도 측정장치는, 측정부(54)에 벡터식의 네트워크 분석기(68)를 구비한다. 이 네트워크 분석기(68)에 의해 복소수 표시의 반사계수를 측정하여, 그 허수부의 주파수 특성을 취득하고, 계측 제어부(74)에 있어서 복소반사계수의 허수부가 제로 크로스하는 포인트의 공진 주파수를 판독하여, 공진 주파수로부터 전자 밀도의 측정값을 산출한다.Abstract translation: 本发明的等离子体电子密度测量装置在低电子密度条件或高压条件下精确测量等离子体中的电子密度。
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