公开(公告)号：KR1020090088823A

公开(公告)日：2009-08-20

申请号：KR1020090011979

申请日：2009-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미 ,  시무라사토루

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31144

Abstract: A method for forming a pattern, and a method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device are provided to reduce a manufacturing cost and to simplify a process by not performing a second exposure process. A first pattern(105) made of photoresist is formed. A boundary layer is formed in a sidewall part and an upper side of the first pattern. A second mask material layer(107) is formed to cover the surface of the boundary layer. A part of the second mask material layer is removed to expose the upper side of the boundary layer. A second pattern comprised of a second mask material layer is formed by removing the boundary layer. The width of the first pattern and the second pattern is formed with the predetermined width.

Abstract translation: 提供一种形成图案的方法，以及用于制造半导体器件的方法和装置，以降低制造成本，并且通过不执行第二曝光处理来简化处理。 形成由光致抗蚀剂制成的第一图案（105）。 边界层形成在第一图案的侧壁部分和上侧。 形成第二掩模材料层（107）以覆盖边界层的表面。 去除第二掩模材料层的一部分以暴露边界层的上侧。 通过除去边界层形成由第二掩模材料层构成的第二图案。 第一图案和第二图案的宽度以预定宽度形成。

公开(公告)号：KR100697939B1

公开(公告)日：2007-03-20

申请号：KR1020010024843

申请日：2001-05-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기타노쥰이치 ,  마쓰야마유지 ,  기타노다카히로 ,  야에가시히데타미

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 기판에 대하여 도포현상처리하는 방법으로서, 기판에 도포액을 공급하여 도포막을 형성하는 공정과, 도포막이 형성된 기판을 가열처리하는 공정과, 상기 가열처리후에 기판을 냉각하는 공정과, 기판에 형성된 도포막에 노광처리하는 공정과, 노광처리후에 기판을 현상하는 공정을 가지며, 더욱 도포막을 형성하는 공정후에, 기판을 노광처리하는 공정전에, 처리가스를 공급하여 도포막의 표면에 처리막을 형성하는 공정을 가진다.
본 발명에 의하면, 도포막을 형성하는 공정후에, 기판을 노광하는 공정전에, 처리가스를 공급하여 도포막의 표면에 처리막을 형성하기 때문에, 이 처리막에 의해, 분위기중의 산소나 수증기 등의 불순물로부터 기판을 보호할 수 있다.

Abstract translation: 一种涂布和显影基材的方法，包括以下步骤：通过将涂布液供给至基材，对其上形成有涂布膜的基材进行热处理，在加热处理之后冷却基材来形成涂布膜， 具有显影在涂膜和曝光过程中的曝光处理后的基片的步骤中形成，所述膜还形成膜，并且，曝光处理的基板处理的涂层膜表面上的步骤之前的处理气体供应的步骤之后施加 的步骤。

公开(公告)号：KR100357313B1

公开(公告)日：2003-01-24

申请号：KR1019970010284

申请日：1997-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미 ,  가와카미야스노리 ,  박재훈 ,  간자와게이코 ,  가타노다카유키 ,  도시마다카유키 ,  가카즈유지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67173 ,  G03F7/16 ,  G03F7/26 ,  G03F7/7075 ,  G03F7/70866 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67178 ,  Y10S414/135

Abstract: A method of forming a resist on a substrate and processing the resist in a resist processing system having a processing region (10, 20, 40) and a non-processing region (4, 30) which are air-conditioned, the method comprising the steps of, transferring the substrate into the non-processing region, coating the resist on the substrate, exposing the coated resist, developing the exposed resist, subjecting the coated resist at least once, to heat treatment in a period from the transferring step (S1) to the developing step (S12), detecting at least once, the concentration of an alkaline component which causes defective resolution of the resist in a processing atmosphere in a period from the transferring step to the developing step, setting a threshold value for the concentration of the alkaline component in the processing atmosphere which causes the defective resolution of the resist, and controlling and changing at least one processing atmosphere in the steps (S1 to S12) in accordance with a detected concentration of the alkaline component and the threshold value.

Abstract translation: 一种在基板上形成抗蚀剂并且在具有空调的处理区域（10,20,40）和非处理区域（4,30）的抗蚀剂处理系统中处理抗蚀剂的方法，所述方法包括 将基板转印到非处理区域，在基板上涂布抗蚀剂，使涂布的抗蚀剂曝光，使曝光后的抗蚀剂显影，使涂布后的抗蚀剂至少进行一次热处理（S1 ）到显影步骤（S12），在从转印步骤到显影步骤的时间段内检测在处理气氛中导致抗蚀剂的分辨率有缺陷的碱性成分的浓度，至少一次检测浓度的阈值 在导致抗蚀剂分辨率不良的处理气氛中的碱性组分，以及在步骤（S1至S12）中根据以下步骤控制和改变至少一个处理气氛： 检测到的碱性成分的浓度和阈值。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR100354547B1

公开(公告)日：2002-09-30

申请号：KR1020000048569

申请日：2000-08-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 마쓰가와히로유키 ,  요네미즈아키라 ,  마쓰시다미치아키 ,  후쿠다다카히데 ,  후지모토아키히로 ,  다케구마다카시 ,  야에가시히데타미

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A resist treating method is provided to rapidly clean double sides of an object to be processed and improve throughput by coping with various treating processes included in a photolithography process. CONSTITUTION: A carrier station(3) loads/unloads a carrier(2) in which the object to be processed is stored. A convey mechanism conveys an object taken out from the carrier station. At least one cleaning mechanism cleans the object, arranged along a convey path(6) on which the convey mechanism conveys the object. An object reversing mechanism(10) reveres the object, arranged along the convey path.

公开(公告)号：KR1019970060443A

公开(公告)日：1997-08-12

申请号：KR1019970001966

申请日：1997-01-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미 ,  도시마다카유키 ,  아키모토마사미 ,  야마구치에이지 ,  가타노준이치 ,  기타노다카유키 ,  신야히로시 ,  이이다나루아키

IPC: H01L21/68

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 웨이퍼나 LCD기판 등의 피처리체에 대해서 도포·현상을 하는 처리장치.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
안에 공급된 청정공기의 분위기 변동이 작은 처리장치와, 피처리체를 반송하는 반송체를 승강할 때에 발생한 파티클이 처리 유니트에 확산하는 것을 방지할 수 있는 처리장치와, 각 처리 유니트에 대해서 항상 청정공기를 보내는 것이 가능한 처리장치를 제공하고자 하다.
3. 발명의 해결방법의 요지
처리장치는, 피처리체에 일련의 처리를 실시하는 복수의 처리 유니트가 연직방향을 따라서 다단으로 배치되어 이루어지는 복수의 처리 유니트 그룹, 이들 복수의 처리 유니트 그룹 사이에 피처리체에 반송공간이 규정되고, 피처리체 반송공간을 연직방향으로 이동가능하고 상기 각 처리 유니트에 대해서 피처리체의 받아넘김이 가능한 반송부재를 가지는, 피처리체를 반송하기 위한 반송기구를 구비하고 있다. 이 처리장치는, 또한 피처리체 반송 공간에 다운플로우를 형성하는 기구와, 다운플로우의 풍량을 제어하는 기구와, 피처리체 공간의 압력을 제어하는 기구수단을 구비하고, 이들에 의해 피처리체 반송공간의 분위기 변동을 완화한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 웨이퍼나 LCD기판 처리장치.

公开(公告)号：KR1019950015626A

公开(公告)日：1995-06-17

申请号：KR1019940028970

申请日：1994-11-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 마쓰가와히로유키 ,  요네미즈아키라 ,  마쓰시다미치아키 ,  후쿠다다카히데 ,  후지모토아키히로 ,  다케구마다카시 ,  야에가시히데타미

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 피처리체가 수납된 반입, 반출하는 캐리어 스테이션과, 이 캐리어 스테이션으로부터 취출된 상기 피처리체를 반송하는 반송기구와, 이 반송기구가 피처리체를 반송하는 반송로에 따라서 설치되고, 피처리체를 세정하는 적어도 한개의 세어기구와, 반송로에 따라서 설치되고, 피처리체를 반전시키는 피처리체 반전기구를 구비하는 기판 양면 세정장치를 제공한다.