公开(公告)号：KR102253559B1

公开(公告)日：2021-05-17

申请号：KR1020150034553

申请日：2015-03-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미츠오카가즈유키 ,  오노히로키 ,  오리이다케히코 ,  도시마다카유키

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명은웨이퍼(W) 상의액체를확실하게제거할수 있고, 또한운전비용의저감을도모하여, F 이온을제거하는것을목적으로한다. 분리재생장치는제1 비점을갖는제1 불소함유유기용제와, 제1 비점보다낮은제2 비점을갖는제2 불소함유유기용제를갖는혼합기체를생성하는초임계처리유닛(3)과, 제1 비점과제2 비점사이의온도를갖는온수(34W)를수납하고, 혼합기체를이 온수(34W) 중에투입하여, 액체형의제1 불소함유유기용제와기체형의제2 불소함유유기용제로분리하는증류탱크(34)를구비하고있다. 초임계처리유닛(3)으로부터의혼합기체를증류탱크(34)로유도하는도입라인(50)이설치되고, 이도입라인(50)의선단(50a)은온수(34W) 중에배치되어있다.

公开(公告)号：KR101900114B1

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：KR1020130143653

申请日：2013-11-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미츠오카가즈유키 ,  유겐 ,  오노히로키 ,  오리이다케히코 ,  도시마다카유키 ,  이나도미히로아키

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/67

CPC classification number: B23H7/02 ,  B23H1/00 ,  B23H9/006 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67772

Abstract: 본발명은청정도가높은처리공간을형성할수 있는고압용기등을제공하는것을목적으로한다. 기판에대하여고압유체에의한처리가행해지는고압용기는, 금속으로이루어지는편평한직방체블록(5)의가장면적이넓은면 이외의한쪽면으로부터의가공에의해공동부를형성하고, 이공동부에면하고있는내벽면에귀금속도금(7)을형성하여용기본체가형성된다. 이공동부가관통구로서구성되어있는경우, 관통구의한쪽면에공동부를개폐하는덮개가설치되고, 다른쪽면에는공동부를기밀하게막는제2 블록이설치된다.

公开(公告)号：KR1020150107638A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：KR1020150033589

申请日：2015-03-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미츠오카가즈유키 ,  오노히로키 ,  오리이다케히코 ,  도시마다카유키

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/02049 ,  H01L21/02054

Abstract: 웨이퍼(W) 상의 액체를 확실하게 제거할 수 있고, 또한 운전 비용의 저감을 도모한다.
분리 재생 장치(30)는 불소 함유 유기 용제에 용해되지 않으며 비중이 가벼운 액체와, 제1 비점을 갖는 제1 불소 함유 유기 용제와, 제1 비점보다 높은 제2 비점을 갖는 제2 불소 함유 유기 용제를 갖는 혼합 액체를 생성하는 혼합 배액 탱크(31)(혼합액 생성부)와, 혼합액 중 제1 불소 함유 유기 용제와 제2 불소 함유 유기 용제를 제1 비점과 제2 비점 사이의 온도로 가열하여 기체형의 제1 불소 함유 유기 용제와 액체형의 제2 불소 함유 유기 용제로 분리하는 증류 탱크(34)와, 증류 탱크(34)로부터의 제1 불소 함유 유기 용제를 액화하여 저류하는 제1 탱크(35)와, 증류 탱크(34)로부터의 제2 불소 함유 유기 용제를 저류하는 제2 탱크(36)를 구비하고 있다. 제1 탱크(35) 및 제2 탱크(36)에, 잉여압을 혼합 배액 탱크(31)측으로 유도하는 잉여압 복귀 라인(51, 53, 55)이 마련되어 있다.

Abstract translation: 本发明的目的是可靠地去除晶片上的液体（W），并降低运行成本。 一种分离和重新制备装置（30）包括：用于产生不溶于含氟有机溶剂并且其比重轻的液体的混合废液罐（混合液体产生部分）和具有 具有第一沸点的第一含氟有机溶剂和第二沸点高于第一沸​​点的第二含氟有机溶剂; 用于将混合液体中的第一含氟有机溶剂和第二含氟有机溶剂以气态分离成第一含氟有机溶剂的液体（34）和液体中的第二含氟有机溶剂 通过在第一沸点和第二沸点之间的温度下加热形成; 用于从所述蒸馏罐（34）液化和储存所述第一含氟有机溶剂的第一罐（35）; 以及用于从所述蒸馏罐（34）储存所述第二含氟有机溶剂的第二罐（36）。 准备剩余的压力返回管线（51,53,55）以对第一罐（35）和第二罐（36）中的混合废液箱（31）产生多余的压力。

公开(公告)号：KR1020130138122A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：KR1020130064214

申请日：2013-06-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시겐타로 ,  미츠오카가즈유키 ,  유겐 ,  오노히로키 ,  오리이다케히코 ,  도시마다카유키

IPC: H01L21/302

CPC classification number: B08B3/10 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67109

Abstract: The present invention relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, a fluid supplying method and a storage medium. According to the present invention, the substrate processing apparatus processes a container treating a substrate; a fluid supplying source; a static pressure supplying the flow path; a boosting pressure supplying the flow path; and a control unit changing the boosting pressure supplying the flow path.

Abstract translation: 本发明涉及基板处理装置，基板处理方法，流体供给方法和存储介质。 根据本发明，基板处理装置处理基板的容器; 流体供应源; 供给流路的静压; 提供流路的增压压力; 以及控制单元改变供应流路的升压压力。

公开(公告)号：KR101187104B1

公开(公告)日：2012-09-28

申请号：KR1020060119491

申请日：2006-11-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 세키구치겐지 ,  오노히로키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67253 ,  B08B3/02 ,  C03C23/0075 ,  C11D7/261 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051

Abstract: 본 발명은 기판의 표면에 액체와 기체로 이루어지는 2 유체 스프레이를 공급하는 공정을 포함하는 기판 세정 방법으로서, 기판의 표면에 액체와 기체로 이루어지는 2 유체 스프레이를 공급하는 공정은 액체로서 순수와 이소프로필알콜의 혼합액을 이용하며 그 혼합액 중 이소프로필알콜의 농도를 10～60 체적%로 하고, 파티클 제거율을 80% 이상으로 하는 것을 목적으로 한다.

公开(公告)号：KR101061921B1

公开(公告)日：2011-09-02

申请号：KR1020070100321

申请日：2007-10-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오노히로키 ,  세키구치켄지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67051

Abstract: 기판 처리 장치는 챔버와, 챔버 내에 있는 피처리 기판에 대해 하이드로플루오르에테르를 포함하는 세정액을 공급하는 세정액 공급부를 구비하고 있다. 또한, 챔버 내에, 피처리 기판에 하이드로플루오르에테르를 포함하는 세정액이 공급되었을 때에 상기 피처리 기판에 수분이 취입되는 것을 억제하는 기체를 공급하는 기체 공급부가 더 설치되어 있다.

Abstract translation: 基板处理设备具有腔室和清洁液体供应部分，用于将包含氢氟醚的清洁液体供应到腔室中的待处理基板。 此外，在腔室内还设置有气体供给单元，该气体供给单元在向被处理基板供给含有氢氟醚的清洗液时，供给用于抑制向被处理基板导入水的气体。

公开(公告)号：KR1020070062457A

公开(公告)日：2007-06-15

申请号：KR1020067027905

申请日：2006-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 세기구치겐지 ,  우치다노리타카 ,  타나카사토루 ,  오노히로키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/02 ,  B08B3/024 ,  B08B3/04 ,  H01L21/6708 ,  Y10S134/902

Abstract: A substrate (W) is processed with a process liquid such as purified water. Then, a first fluid which is more volatile than the process liquid is supplied onto the upper surface of the substrate (W) from a fluid nozzle (12), thereby forming a liquid film on the upper surface of the substrate (W). Following that, a second fluid which is more volatile than the process liquid is supplied onto the upper surface of the substrate (W) from the fluid nozzle (12) while rotating the substrate (W). At this time, the supply position (Sf) of the second fluid relative to the substrate (W) is moved radially outwardly from the center of rotation (Po). Consequently, there can be prevented formation of particles on the substrate (W) after drying of the substrate using the first and second fluids.

Abstract translation: 基板（W）用诸如净化水的处理液进行处理。 然后，将比处理液更易挥发的第一流体从流体喷嘴（12）供给到基板（W）的上表面，从而在基板（W）的上表面上形成液膜。 此后，在旋转基板（W）的同时，从流体喷嘴（12）向基板（W）的上表面供给比处理液更易挥发的第二流体。 此时，第二流体相对于基板（W）的供给位置（Sf）从旋转中心（Po）径向向外移动。 因此，可以防止在使用第一和第二流体干燥基板之后在基板（W）上形成颗粒。

公开(公告)号：KR1020070058329A

公开(公告)日：2007-06-08

申请号：KR1020060119491

申请日：2006-11-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 세키구치겐지 ,  오노히로키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67253 ,  B08B3/02 ,  C03C23/0075 ,  C11D7/261 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051

Abstract: A substrate cleaning method is provided to effectively remove the particles on a substrate while the substrate is controlled to be damaged in an allowable range, by using as a liquid of two-fluid spray a mixture liquid of deionized water and isopropyl alcohol wherein the density of the isopropyl alcohol in the mixture liquid is 10~60 volume percent. Two-fluid spray composed of liquid and gas is supplied to the surface of a substrate. The two-fluid spray uses as the liquid a mixture solution of deionized water and isopropyl alcohol wherein the density of the isopropyl in the mixture solution is 10~60 volume percent and a particle removal rate is 80 % or higher. The substrate is rotated to remove the liquid remaining on the substrate.

Abstract translation: 提供了一种基板清洗方法，通过使用去离子水和异丙醇的混合液体作为双流体喷射液体，将基板控制在受限制的范围内，有效地去除基板上的颗粒，其中密度 混合液中的异丙醇为10〜60体积％。 由液体和气体构成的双流体喷射被提供给基板的表面。 双流体喷雾剂用作去离子水和异丙醇的混合溶液，其中混合溶液中异丙基的密度为10〜60体积％，颗粒去除率为80％以上。 旋转衬底以去除残留在衬底上的液体。

公开(公告)号：KR1020060132848A

公开(公告)日：2006-12-22

申请号：KR1020067012237

申请日：2005-10-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오리이다케히코 ,  세키구치겐지 ,  우치다노리타카 ,  다나카사토루 ,  오노히로키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: F26B5/005 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: Disclosed is a substrate processing apparatus comprising a spin chuck (3) for holding and rotating a substrate (W). The apparatus is also provided with a process liquid supply system (11 and so on) for supplying a process liquid to the substrate rotated by the spin chuck. The apparatus further comprises a fluid nozzle (12) for supplying a drying fluid, which has a higher volatility than the process liquid, to the substrate, and an inert gas nozzle (13) for supplying an inert gas to the substrate. The apparatus is still further provided with a nozzle moving mechanism (15, 52 and so on) for moving these nozzles (12, 13) radially outward with respect to the rotational center (Po) of the substrate while keeping the inert gas nozzle closer to the rotational center of the substrate than the fluid nozzle.

Abstract translation: 公开了一种基板处理装置，其包括用于保持和旋转基板（W）的旋转卡盘（3）。 该设备还设置有用于将处理液体供应到由旋转卡盘旋转的基板的处理液体供应系统（11等）。 该设备还包括用于将具有比处理液体更高的挥发性的干燥流体供应到基底的流体喷嘴（12）和用于向基底供应惰性气体的惰性气体喷嘴（13）。 该装置还设置有用于相对于衬底的旋转中心（Po）径向向外移动这些喷嘴（12,13）的喷嘴移动机构（15,52等），同时保持惰性气体喷嘴更接近 基体的旋转中心比流体喷嘴的旋转中心。

公开(公告)号：KR1020010020788A

公开(公告)日：2001-03-15

申请号：KR1020000022443

申请日：2000-04-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고하마교지 ,  심보에이지 ,  가미카와유지 ,  도시마다카유키 ,  오노히로키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67086 ,  B08B3/02 ,  B08B3/102 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/6708 ,  Y10S134/902

Abstract: PURPOSE: Disclosed is a treating device and a treating method capable of preventing the generation of cross-contamination even if plural kinds of treating liquid are supplied to the same device. CONSTITUTION: The cleaning device(1) for applying cleaning processes to the wafer W in the order of SPM cleaning, rinse cleaning, SCI cleaning, rinse cleaning and drying treatment is provided with an outside cleaning chamber(2), an inside cleaning chamber(4) and an elevator structure(6) for taking in and out the inside cleaning chamber(4) into and from the outside cleaning chamber(2). The elevator structure(6) is switched to a state that the wafer W is housed in the inside cleaning chamber(4) when the SPM cleaning and the subsequent rinse cleaning are executed and is switched to a state that the wafer W is housed in the outside cleaning chamber(2) when the subsequent SCI cleaning and the final drying treatment are executed.

Abstract translation: 目的：公开了一种即使将多种处理液供给到同一装置也能够防止交叉污染的产生的处理装置和处理方法。 构成：以SPM清洗，冲洗清洗，SCI清洗，冲洗清洗和干燥处理的顺序将清洗处理施加到晶片W的清洁装置（1）设置有外部清洁室（2），内部清洁室 4）和用于将内部清洁室（4）进出外部清洗室（2）的入口和出口的升降机结构（6）。 当执行SPM清洁和随后的冲洗清洁时，将电梯结构（6）切换到晶片W容纳在内部清洁室（4）中的状态，并切换到晶片W被容纳在 执行后续SCI清洁和最终干燥处理时的外部清洁室（2）。