公开(公告)号：KR102099880B1

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：KR1020130050906

申请日：2013-05-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고차원 ,  이전일 ,  김수민 ,  김현우 ,  박진

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

公开(公告)号：KR102051627B1

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：KR1020130001790

申请日：2013-01-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고차원 ,  블라디미르우라자에브 ,  이전일 ,  김현우 ,  김인성

IPC: H01L21/027

公开(公告)号：KR101993360B1

公开(公告)日：2019-06-26

申请号：KR1020120086810

申请日：2012-08-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고차원 ,  김수민 ,  김현우 ,  윤효진

IPC: H01L21/027

公开(公告)号：KR1020160142151A

公开(公告)日：2016-12-12

申请号：KR1020150078132

申请日：2015-06-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박철홍 ,  우상윤 ,  고차원 ,  김현우 ,  박상민

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/20 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  G03F7/32 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76802 ,  H01L27/10876

Abstract: 패턴형성방법에있어서, 식각대상막상에순차적으로하부코팅막및 포토레지스트막을형성한다. 노광공정을통해포토레지스트막을노광부및 비노광부로구분시킨다. 노광부와중첩되는하부코팅막부분의적어도일부를노광부와동일타입의극성을갖는극성변환부로변환시킨다. 포토레지스트막의비노광부를선택적으로제거한다. 극성변환부에의해노광부의구조적안정성이강화될수 있다.

Abstract translation: 在形成图案的方法中，在目标层上依次形成下涂层和光致抗蚀剂层。 可以进行曝光处理，使得光致抗蚀剂层被分成暴露部分和非曝光部分。 与暴露部分重叠或接触的下部涂层的一部分至少部分地转变成具有与暴露部分的极性基本相同的极性的极性转换部分。 选择性地去除光致抗蚀剂层的未曝光部分。

公开(公告)号：KR1020160071612A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：KR1020140178949

申请日：2014-12-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박진 ,  김현우 ,  한진규 ,  고차원

IPC: G03F7/075 ,  G03F7/039

CPC classification number: H01L27/11582 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0758 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76802 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  G03F7/075 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0751

Abstract: 포토레지스트용고분자는광화학반응에의해제거가능한불소이탈기를포함하는제1 반복단위, 및상기불소이탈기에의해제거되는실리콘함유이탈기를포함하는제2 반복단위를포함한다. 광화학반응에의해유도되는제거반응에의해고해상도의노광공정또는포토공정을구현할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种光致抗蚀剂用聚合物，光致抗蚀剂组合物，形成图案的方法以及半导体装置的制造方法。 用于光致抗蚀剂的聚合物包括：包含能够通过光化学反应去除的氟离去基团的第一重复单元; 以及包含通过氟离去基除去的含有硅的离去基团的第二重复单元。 可以通过光化学反应诱导的消除反应来实现高分辨率的曝光过程或照相过程。

公开(公告)号：KR1020150043649A

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：KR1020130122112

申请日：2013-10-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고차원 ,  박철홍 ,  김기정 ,  김현우 ,  이효성

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/0271 ,  H01L21/3086 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/265 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891

Abstract: 본발명은반도체장치의제조방법을제공한다. 이방법에서는단차진하부구조물상에평탄한상부면을가지며하부구조물을식각하기에충분한두께를가지는제 1 하드마스크막을형성한다. 그리고상기제 1 하드마스크막상에제 2 하드마스크패턴을형성한다. 상기제 2 하드마스크패턴을이용하여상기제 1 하드마스크막을식각한다. 상기제 1 하드마스크막에의해패턴들의크기산포를줄일수 있다.

Abstract translation: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。 在该方法中，形成在阶梯状下部结构上具有平坦的上表面并且具有足以蚀刻下部结构的厚度的第一硬掩模薄膜。 并且在第一硬掩模膜上形成第二硬掩模图案。 通过使用第二硬掩模图案蚀刻硬掩模膜。 尺寸分布可以通过第一个硬掩模膜减少。

公开(公告)号：KR101200938B1

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：KR1020050092329

申请日：2005-09-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고차원 ,  강율 ,  우상균 ,  오석환 ,  여기성 ,  이지영

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/312

CPC classification number: G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

Abstract: 반도체 장치의 패턴 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 기판 상에 복수개의 제 1 마스크 패턴을 형성하고, 각각의 제 1 마스크 패턴의 측벽에 제 2 마스크 패턴을 형성하고, 상기 제 2 마스크 패턴들 사이를 채우는 제 3 마스크 패턴을 형성하는 것을 포함한다. 상기 제 2 마스크 패턴을 제거하고, 상기 제 1 및 제 3 마스크 패턴들을 식각마스크로 사용하여 상기 기판의 일부를 제거한다. 본 발명에 따르면, 이중 노광에서 발생하는 1차 노광 및 2차 노광 사이의 오정렬이 발생하지 않고 일정한 피치로 반복되는 미세 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 포토레지스트의 트리밍 및 화학 흡착의 두께 조절을 통하여 사진 공정으로 정의할 수 없는 선폭 및 피치의 규칙적인 패턴을 형성할 수 있다.
포토레지스트, 이중노광, 화학흡착

公开(公告)号：KR1020120047600A

公开(公告)日：2012-05-14

申请号：KR1020100109259

申请日：2010-11-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고차원 ,  박민준 ,  박창민

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/32139 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/11521 ,  H01L21/0273 ,  G03F7/2022 ,  H01L21/0274

Abstract: PURPOSE: A method for forming a fine pattern and a method of fabricating a semiconductor device are provided to prevent photoresist from being broken by using a photoresist pattern having a low aspect ratio. CONSTITUTION: A intermediate material layer(130) less than 20nm thick is formed on a first hard mask material layer(120). A photoresist pattern(142a) is formed on the intermediate material layer. The intermediate material layer is etched by using a photoresist pattern as an etching mask. The first hard mask material layer is etched by using an intermediate pattern as the etching mask. A semiconductor substrate(110) is etched by using the first hard mask pattern as the etching mask.

Abstract translation: 目的：提供一种形成精细图案的方法和制造半导体器件的方法，以通过使用具有低纵横比的光致抗蚀剂图案来防止光致抗蚀剂破裂。 构成：在第一硬掩模材料层（120）上形成小于20nm厚的中间材料层（130）。 在中间材料层上形成光致抗蚀剂图案（142a）。 通过使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻中间材料层。 通过使用中间图案作为蚀刻掩模来蚀刻第一硬掩模材料层。 通过使用第一硬掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻半导体衬底（110）。

公开(公告)号：KR100910042B1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：KR1020060091346

申请日：2006-09-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이두열 ,  조한구 ,  이석주 ,  여기성 ,  고차원 ,  곽판석

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11531 ,  H01L27/11526

Abstract: 이중 패터닝 기술을 이용하여 스트링이 형성되는 플래시 메모리 소자 및 그 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 의한 플래시 메모리 소자는, 스트링 선택 라인, 그라운드 선택 라인, 스트링 선택 라인과 그라운드 선택 라인의 사이에 형성된 홀수 개의 워드 라인들을 포함하는 스트링을 포함한다.
플래시 메모리, 스트링, 워드 라인

公开(公告)号：KR1020080099397A

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：KR1020070044882

申请日：2007-05-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고차원 ,  조한구 ,  여기성 ,  김현우 ,  윤진영

IPC: G03F7/004 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F7/039

CPC classification number: G03F7/2041 ,  G03F7/70341

Abstract: A composition for an immersion lithography process is provided to generate a little bit of bubbles in immersion lithography by weakening the hydrogen bond force of water through containing acidic solution with carbon number more than 1 less than 10. A composition for an immersion lithography process comprises water and the acidic solution having carbon number more than 1 less than 1. The concentration of the acidic solution is over 0.01% to 10% or less. The acidic solution is a formic acid, acetic acid, propionic acid, tert-butylacetic acid, butanoic acid or valeric acid.

Abstract translation: 提供了一种用于浸没式光刻工艺的组合物，用于通过含碳数超过1的小于10的酸性溶液削弱水的氢键力而在浸没式光刻中产生一些气泡。用于浸没式光刻工艺的组合物包括水 碳数大于1的酸性溶液的浓度为1以上。酸性溶液的浓度为0.01％〜10％以下。 酸性溶液是甲酸，乙酸，丙酸，叔丁基乙酸，丁酸或戊酸。