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公开(公告)号：KR100718267B1
公开(公告)日：2007-05-14
申请号：KR1020050023904
申请日：2005-03-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L27/11502 , G11C11/22 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/65 , H01L28/75
Abstract: 향상된 특성을 갖는 강유전체 구조물, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법이 개시된다. 기판에 대한 접착력을 증가시키며 금속 질화물로 구성된 제1 하부 전극층을 기판 상에 형성한 후, 제1 하부 전극층 상에 제1 금속으로 구성된 제2 하부 전극층을 형성한다. 제2 하부 전극층 상에 유기 금속 화학 기상 증착 공정으로 형성된 PZT로 구성된 강유전체층을 형성한다. 강유전체층 상에 제2 금속이 약 2∼5 원자량%의 농도로 도핑된 제1 금속 산화물로 구성된 제1 상부 전극층을 형성한 후, 제1 상부 전극층 상에 제3 금속으로 구성된 제2 상부 전극층을 형성한다. 강유전체층의 유전 특성을 크게 개선할 수 있고, 상부 전극 및 하부 전극을 형성하는 동안 야기되는 공정상의 파티클 문제를 해결할 수 있으며, 강유전체 구조물을 포함하는 반도체 소자를 낮은 전압에서도 충분한 신뢰성으로 구동시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020070025854A
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：KR1020050082439
申请日：2005-09-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507
Abstract: A three-dimensional ferroelectric capacitor, a nonvolatile memory device with the same and a manufacturing method thereof are provided to prevent the concentration of Pb in a PZT layer from being decreased by restraining a counter diffusion between Pb and Si using a diffusion barrier. A three-dimensional ferroelectric capacitor includes a lower electrode(56), an interlayer dielectric(52) around the lower electrode, a diffusion barrier, a ferroelectric film, and an upper electrode. The diffusion barrier(62a,62b) is formed on the interlayer dielectric. The diffusion barrier consists of first and second diffusion barriers. The ferroelectric film(58) is formed on the lower electrode and the diffusion barrier. The upper electrode(60) is formed on the ferroelectric film.
Abstract translation: 提供了一种三维铁电电容器，一种非易失性存储器件及其制造方法，以通过使用扩散阻挡层阻止Pb和Si之间的反扩散来防止PZT层中的Pb浓度降低。 三维铁电电容器包括下电极（56），围绕下电极的层间电介质（52），扩散阻挡层，铁电体膜和上电极。 扩散阻挡层（62a，62b）形成在层间电介质上。 扩散阻挡层由第一和第二扩散阻挡层组成。 在下电极和扩散阻挡层上形成铁电体膜58。 上电极（60）形成在铁电体膜上。
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33.发明公开강유전체 구조물, 강유전체 구조물의 형성 방법, 강유전체구조물을 구비하는 반도체 장치 및 그 제조 방법 失效电磁结构，形成微电子结构的方法，包括微波结构的半导体器件，以及制造微波结构的方法
公开(公告)号：KR1020070016472A
公开(公告)日：2007-02-08
申请号：KR1020050071152
申请日：2005-08-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L27/04
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/65
Abstract: 향상된 특성을 갖는 강유전체 구조물, 강유전체 구조물의 제조 방법, 강유전체 구조물을 포함하는 강유전체 캐패시터, 강유전체 캐패시터의 제조 방법, 강유전체 캐패시터를 구비하는 반도체 장치 및 그 제조 방법이 개시된다. 제1 금속 산화물을 사용하여 제1 하부 전극막을 형성한 후, 제1 하부 전극막 상에 제2 하부 전극막을 형성한다. 제2 하부 전극막은 제1 금속, 제1 금속 산화물 및/또는 제1 합금을 사용하여 형성된다. 제2 하부 전극막 상에 강유전체층을 형성한 다음, 강유전체층 상에 제2 금속 산화물을 사용하여 제1 상부 전극막을 형성한다. 제1 상부 전극막 상에 제2 합금을 사용하여 제2 상부 전극막을 형성한다. 제1 및 제2 상부 전극막을 포함하는 강유전체 구조물의 분극 또는 데이터 보존력의 향상, 피로 저항 증가, 센싱 마진의 증가 등과 같이 강유전적 및 전기적 특성을 크게 개선할 수 있으며, 이러한 강유전체 구조물을 갖는 강유전체 캐패시터의 강유전적 및 전기적 특성을 현저하게 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR100634451B1
公开(公告)日：2006-10-16
申请号：KR1020050002280
申请日：2005-01-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45589 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/45591 , C30B35/00 , Y10T117/10
Abstract: 본 발명은 증착 장치에 관한 것으로, 증착 장치는 가스 공급부와 지지대가 설치된 챔버를 가진다. 가스 공급부는 공정가스가 도입되는 공간을 제공하고, 공정가스를 웨이퍼 상으로 분사하는 분사부재 및 상술한 공간 내에 설치되어 공간 내에서 공정가스를 확산시키는 확산부재를 가진다. 분사부재는 증착률 향상 등을 위해 웨이퍼와의 거리가 가깝게 되도록 배치된다. 또한, 상술한 공간 내에는 공정가스가 확산되는 영역을 제한하는 차단부재가 제공되어, 다양한 크기의 웨이퍼에 대해 높은 증착율로 증착공정을 수행할 수 있다.
증착, 확산부재, 차단부재, 분사부재Abstract translation: 本发明涉及一种沉积设备，其中该沉积设备具有设置有气体供应部分和支撑件的腔室。 气体供应部分具有用于将处理气体喷射到晶片上的喷射构件，以及安装在上述空间中用于将处理气体扩散到该空间中的扩散构件。 喷射构件被设置为与晶片的距离接近以提高沉积速率。 此外，上述空间设置有用于限制处理气体扩散区域的阻挡构件，使得可以以高沉积速率对各种尺寸的晶片执行沉积处理。
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公开(公告)号：KR100614648B1
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：KR1020040055131
申请日：2004-07-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45514 , C23C16/45565 , C23C16/45574
Abstract: 본 발명은 반도체 기판 제조에 사용되는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 장치는 챔버 내에 놓여진 웨이퍼 상으로 가스를 분사하는 샤워헤드를 가진다. 샤워 헤드는 서로 적층되어 배치된 복수의 분사판들을 가지며, 각각의 분사판의 상부면에는 가스가 유입되는 공간이 제공된다. 각각의 분사판에는 그 상부면에 형성된 공간으로 가스가 공급되는 통로인 가스유입로가 형성되며, 가스유입로는 유입라인과 이로부터 서로 대칭이 되도록 분기되는 2개의 제 1분기라인들, 그리고 각각의 제 1분기라인으로부터 서로 대칭이 되도록 2개씩 분기되며, 공간의 바닥면에 형성된 분출구와 연결되는 제 2분기라인들을 가진다.
샤워헤드, 증착, MOCVDAbstract translation: 本发明涉及在半导体衬底制造中使用的衬底处理设备。 该设备具有用于将气体喷射到放置在腔室中的晶片上的喷头。 喷头具有多个彼此堆叠布置的喷射板，并且提供了将气体引入每个喷射板的上表面中的空间。 喷射板中的每一个，通过该气体被供应到形成在其上表面时，气体流入到两个第一分支线，其分支分别是彼此对称的从入口线和，并且该空间的气体入口形成， 并且第二分支管线连接到形成在该空间的底部表面上的出气口。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050084704A
公开(公告)日：2005-08-29
申请号：KR1020040012093
申请日：2004-02-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01J37/32522 , H01J37/3244
Abstract: 가스를 균일하게 산포할 수 있는 가스 산포 방법, 및 샤워 헤드, 및 반도체 기판 가공 장치가 개시되어 있다. 샤워 헤드 내부에 마련된 확산 공간으로 가스를 분수식으로 제공한다. 분수식으로 제공된 가스는 샤워 헤드 내부에 형성된 가스 산포 부재에 충돌하여 샤워 헤드의 다공성 플레이트 상에 균일하게 분포한다. 확산 공간 내의 압력이 상승되면, 가스는 확산 공간으로부터 다공성 플레이트 외부로 통과하여 균일하게 산포된다. 가스 산포 부재는 샤워 헤드의 헤드 커버 주변부로부터 중심부로 갈수록 계단형으로 오목하게 들어간 형상을 갖거나, 헤드 커버의 주변부로부터 중심부로 갈수록 계단형으로 볼록하게 나온 형상을 갖거나, 또는 헤드 커버의 저면으로부터 서로 다른 직경으로 형성된 다수의 원형 띠 형상을 갖는 헤드 커버의 단차이다. 프로세스 챔버 상부에 설치된 샤워 헤드로부터 가스를 균일하게 산포하여 프로세스 챔버 내부에 배치된 반도체 기판을 정밀하게 가공할 수 있다. 나아가 반도체 장치의 특성을 뛰어나게 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 후속 공정의 에러율도 현저하게 감소시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR101747095B1
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：KR1020100053397
申请日：2010-06-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1683
Abstract: 반도체장치의제조방법이제공된다. 본발명의일 실시예에따른반도체장치의제조방법은, 반도체기판상에전도층을형성하는단계와, 상기전도층상에제1 층간절연막을형성하는단계와, 상기제1 층간절연막에상기전도층을노출시키는제1 비아홀을형성하는단계와, 상기제1 층간절연막상과, 상기제1 비아홀에제1 상변화물질막을형성하는단계와, 분자량값이 17이하인가스의플라즈마를이용하여상기제1 상변화물질막을식각하여상기제1 비아홀에제1 상변화물질패턴을형성하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020160015507A
公开(公告)日：2016-02-15
申请号：KR1020140097535
申请日：2014-07-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L43/08 , H01L27/105
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/222 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/12
Abstract: 자기메모리장치의형성방법이제공된다. 기판상에제 1 자성층, 터널배리어층, 및제 2 자성층을순차적으로형성하고; 상기제 2 자성층상에상기제 2 자성층의일 부분을노출하는마스크패턴을형성하고; 상기마스크패턴의측벽및 상기제 2 자성층의상기일 부분상에캐핑절연층을형성하고; 상기캐핑절연층을통하여, 상기제 2 자성층의상기일 부분에산소이온을주입하여, 산화층을형성하고; 상기캐핑절연층을이방성식각하여캐핑스페이서를형성하고; 그리고상기마스크패턴및 상기캐핑스페이서를사용하여, 상기산화층, 상기터널배리어층및 상기제 1 자성층을패터닝한다.
Abstract translation: 提供一种形成磁存储器件的方法。 该方法包括在基片上依次形成第一磁性层，隧道势垒层和第二磁性层; 形成将所述第二磁性层的一部分暴露在所述第二磁性层上的掩模图案; 在第二磁性层的一部分和掩模图案的侧壁上形成封盖绝缘层; 通过将覆盖绝缘层将氧离子注入到第二磁性层的一部分中而形成氧化物层; 通过在封盖绝缘层上进行各向异性蚀刻来形成封盖间隔物; 以及通过使用掩模图案和封盖间隔物图案化氧化物层，隧道势垒层，第一磁性层。
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公开(公告)号：KR101384311B1
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：KR1020070131297
申请日：2007-12-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04L12/10
Abstract: 본 발명은 이동 통신 시스템에서 전력소모를 감소시키기 위한 장치 및 방법에 관한 것으로 구체적으로는 데이터 처리 시 필요한 하드웨어의 동작을 최소화면서도 성능은 유지하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
이동통신 시스템, 데이터 처리, 작업 시간 간격(TTI), 시스템 호출Abstract translation: 提供一种用于提高系统稳定性的装置及其方法，其通过设置考虑移动通信系统的性质的任务的性能水平来提高系统的稳定性，以通过设置能力性能来降低功率。 根据TWF（任务工作负载因子）测量任务的工作负载。 生成系统调用或任务事件。 确定执行任务和TWF的数量。 获得与确定的TWF相对应的工作量。 确定执行任务的性能水平的空闲时间。 确定执行任务的性能级别。 当在OS内核（145）中启动任务时，主控制器（140）由挂钩功能调用。
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