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公开(公告)号：KR1020040092692A
公开(公告)日：2004-11-04
申请号：KR1020030026219
申请日：2003-04-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01P1/203
Abstract: PURPOSE: A multilayer ceramic chip filter is provided to secure space for obtaining capacitance enough and suppress unnecessary parasitic components. CONSTITUTION: A multilayer ceramic chip filter comprises a chip main body manufactured by layering a plurality of dielectric layers formed with a ceramic dielectric material; a first and a second strip line resonator(10a,10b) formed inside of the chip main body; a pair of input-output terminal electrodes(7a,7b) formed on the upper surface of the chip main body in such a manner that the electrodes are located at the center of longitudinal direction of the first and the second strip line resonator; and a plurality of electrode pattern(8a,8b) for capacitors formed inside the chip main body.
Abstract translation: 目的：提供多层陶瓷芯片滤波器，以确保足够的电容，并抑制不必要的寄生成分。 构成：多层陶瓷芯片滤波器包括通过层叠形成有陶瓷电介质材料的多个电介质层制造的芯片主体; 形成在芯片主体内部的第一和第二带状线谐振器（10a，10b）; 形成在所述芯片主体的上表面上的一对输入输出端子电极，使得所述电极位于所述第一和第二带状线谐振器的纵向方向的中心; 以及形成在芯片主体内部的用于电容器的多个电极图案（8a，8b）。
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公开(公告)号：KR1020030094484A
公开(公告)日：2003-12-12
申请号：KR1020020031427
申请日：2002-06-04
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L41/083
Abstract: PURPOSE: A bender type multilayer actuator is provided to be capable of solving the depolarization problem generated due to reverse voltage by applying forward DC(Direct Current) voltage as driving voltage. CONSTITUTION: A bender type mulitlayer actuator is provided with an upper layer(4) and a lower layer(5) formed at the lower portion of the upper layer. At this time, the upper and lower layer are formed by using a plurality of first and second piezoelectric ceramics(1,2) At the time, the first and second piezoelectric ceramics have different thicknesses, respectively. Preferably, forward DC voltage having the same direction as that of polarization, is alternately applied to the bender type multilayer actuator by using a center line(6) as a reference, wherein the center line is applied with minus voltage.
Abstract translation: 目的：提供弯曲型多层致动器，以通过施加正向直流（直流）电压作为驱动电压来解决由于反向电压而产生的去极化问题。 构成：弯曲型多层致动器设置有形成在上层下部的上层（4）和下层（5）。 此时，通过使用多个第一和第二压电陶瓷（1,2）形成上下层。此时，第一和第二压电陶瓷分别具有不同的厚度。 优选地，具有与极化相同方向的正向直流电压通过使用中心线（6）作为参考而交替地施加到弯曲型多层致动器，其中中心线被施加负电压。
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公开(公告)号：KR100369211B1
公开(公告)日：2003-01-24
申请号：KR1020000033546
申请日：2000-06-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H04B1/48
CPC classification number: H01P1/2136
Abstract: A monoblock dielectric duplexer comprises resonant holes. Conductive electrodes and couplers are formed on one side of the dielectric block, whose other sides are covered with a conductive material. The conductive electrodes in a transmit-filtering portion are formed in an inter-digitating manner while the conductive electrodes in receive-filtering portion are formed to be of pad-shape. In the duplexer, capacitances of capacitors comprised of the conductive electrodes are easily and accurately set to desired values by determining the number and/or the lengths of fingers that the inter-digitating electrodes have.
Abstract translation: 单块介质双工器包括谐振孔。 导电电极和耦合器形成在介质块的一侧上，其另一侧覆盖有导电材料。 发射滤波部分中的导电电极以交叉方式形成，而接收滤波部分中的导电电极形成为垫形。 在双工器中，由导电电极构成的电容器的电容通过确定交叉指型电极所具有的指状物的数量和/或长度而容易且精确地设定为期望的值。
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公开(公告)号：KR100330685B1
公开(公告)日：2002-04-03
申请号：KR1019990052031
申请日：1999-11-23
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은통과대역보다높은주파수영역또는낮은주파수영역에서감쇠극을갖는일체형유전체필터에관한것이다. 이러한일체형유전체필터는유전체블록, 상기유전체블록의하나의개방면을제외하고외부면을덮는외부전극, 상기유전체블록의상기개방면에서후면방향으로관통하도록형성되며내부면이전극으로채워진다수개의공진홀, 상기외부전극중 일부분을나머지다른부분과절연시켜형성하되, 상기개방면상의공진홀쪽으로연장하여형성한입출력전극, 상기각 공진홀들내의전극에연장되며각기선정된간격만큼이격되어형성된전극패턴들, 및상기각각의전극패턴들과대응되는위치에형성된접지전극들을구비하여, 상기접지전극들과이에대응되는상기전극패턴들사이에형성되는캐패시터의전극간격, 및상기전극패턴들사이에형성되는캐패시터의전극간격을조절하여결합량을조절하도록되어있는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020010100258A
公开(公告)日：2001-11-14
申请号：KR1020000016760
申请日：2000-03-31
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01G4/1254 , C04B2235/3255
Abstract: 본 발명은 조성식 (1-x)(Al
1/2 Ta
1/2 )O
2 - x(Mg
1/3 Ta
2/3 )O
2 로 표시되고, x의 범위가 0≤x≤1인 고주파용 유전체 조성물을 제공한다. 이 조성물은 유전율이 8.7 내지 27.1이고, Qxf
O (GHz)가 6500 내지 111230이며, 공진 주파수의 온도 계수(τ
f )의 범위가 -55.2 내지 +51.2 ppm/℃로서 조성의 변화에 따라 τ
f 를 0 ppm/℃로 조절이 가능하여 고주파용 유전체 세라믹스 부품의 재료로서 사용될 수 있는 우수한 특성을 갖는 고주파용 유전체 조성물이다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020010025942A
公开(公告)日：2001-04-06
申请号：KR1019990037026
申请日：1999-09-02
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/468 , H01G4/12
CPC classification number: H01B3/12 , C04B35/4521 , C04B35/465
Abstract: PURPOSE: Provided is a dielectric composition for high frequency resonators, which is characterized in that the TCP of a dielectric resonator is adjustable around to 0ppm/deg.C according to an addition amount of Al2O3, and also it is possible to obtain dielectric composition that has a dielectric constant over 80, especially in case of using a raw material with low purity. CONSTITUTION: The dielectric composition is represented by the below formula: x(Ba0.85Ca0.15-yMgy)O-0.125Nd2O3-zTiO2+vBi2O3+wAl2O3, wherein x, y, z, v, and w have ranges of 0.13≤x≤0.16, 0.01≤y≤0.10, 0.59≤z≤0.62, 10≤v(wt)≤11.5, 0≤w(wt)≤1.5 respectively. In the composition, the TCP deviation value of the dielectric composition is within ±10.
Abstract translation: 目的：提供一种用于高频谐振器的电介质组合物，其特征在于，根据Al 2 O 3的添加量，介电谐振器的TCP可调节为约0ppm /℃，并且还可以获得电介体组成， 具有超过80的介电常数，特别是在使用低纯度原料的情况下。 构成：电介质组成由下式表示：x（Ba0.85Ca0.15-yMgy）O-0.125Nd2O3-zTiO2 + vBi2O3 + wAl2O3，其中x，y，z，v和w的范围为0.13≤x ≤0.16,0.01≤y≤0.10,0.59≤z≤0.62,10≤v（wt）≤11.5,0≤w（wt）≤1.5。 在组合物中，介电组合物的TCP偏差值在±10以内。
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公开(公告)号：KR1020210002833A
公开(公告)日：2021-01-11
申请号：KR1020190078603
申请日：2019-07-01
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 전극막의제조방법및 이를이용하는커패시터의제조방법을제공한다. 전극막제조방법은, 기판상에주석전구체및 산소소스를순차적으로제공하는제1 서브사이클(first sub-cycle)을수행하고, 제1 서브사이클을수행한기판상으로주석전구체, 탄탈륨전구체, 및산소소스를순차적으로제공하는제2 서브사이클을수행하고, 제1 서브사이클및 제2 서브사이클이하나의사이클(cycle)을구성하며, 사이클을반복수행하여, 기판상에탄탈륨이도핑된주석산화막을형성하는것을포함한다. 탄탈륨이도핑된주석산화막내 탄탈륨농도는제2 서브사이클에서제공되는주석전구체에의해결정된다.
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公开(公告)号：KR101932588B1
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：KR1020170026311
申请日：2017-02-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L49/02 , H01L27/108
Abstract: 개시된 반도체 메모리 소자의 커패시터는, 하부 전극, 상기 하부 전극 위에 배치되며 티타늄 산화물을 포함하는 유전막 및 상기 유전막 위에 배치되는 상부 전극을 포함한다. 상기 하부 전극은, 제1 금속 및 제2 금속을 포함하고, 상기 제1 금속은 백금(Pt), 오스뮴(Os), 로듐(Rh) 및 팔라듐(Pd)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하고, 상기 제2 금속은, 루테늄(Ru) 및 이리듐(Ir)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020180099197A
公开(公告)日：2018-09-05
申请号：KR1020170026311
申请日：2017-02-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L49/02 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10808 , H01L21/02186 , H01L21/0228 , H01L21/28556 , H01L28/75 , H01L28/91
Abstract: 개시된반도체메모리소자의커패시터는, 하부전극, 상기하부전극위에배치되며티타늄산화물을포함하는유전막및 상기유전막위에배치되는상부전극을포함한다. 상기하부전극은, 제1 금속및 제2 금속을포함하고, 상기제1 금속은백금(Pt), 오스뮴(Os), 로듐(Rh) 및팔라듐(Pd)으로이루어진그룹에서선택된적어도하나를포함하고, 상기제2 금속은, 루테늄(Ru) 및이리듐(Ir)으로이루어진그룹에서선택된적어도하나를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170060321A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：KR1020150164611
申请日：2015-11-24
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 가스센싱장치는, 입력된가스에반응하여센서데이터를출력하도록구성된센서부; 하나이상의단일가스에대해상기센서부에서출력된센서데이터인제1 벡터를포함하는데이터베이스가저장된저장부; 및상기데이터베이스에기초하여, 하나이상의혼합가스에대응되는제2 벡터를포함하는확장데이터베이스를생성하고, 상기센서부의대상가스에대한센서데이터를상기확장데이터베이스와비교함으로써상기대상가스를검지하도록구성된검지부를포함한다. 상기가스센싱장치에의하면, 단일가스에대한데이터베이스만으로단일가스와혼합가스를모두인지하고분류할수 있다.
Abstract translation: 该气体传感装置包括：传感器单元，被配置为响应于输入的气体输出传感器数据; 存储单元，用于存储数据库，所述数据库包括针对至少一种单一气体从传感器单元输出的传感器数据输入1矢量; 以及检测单元，被配置为通过基于数据库将传感器单元的目标气体的传感器数据与扩展数据库进行比较并且生成包括与至少一种混合气体对应的第二矢量的扩展数据库来检测目标气体， 它包括。 根据该气体传感设备，可以通过单个气体数据库来识别单个气体和混合气体并对其进行分类。
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