-
公开(公告)号：KR100948893B1
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：KR1020070059266
申请日：2007-06-18
Abstract: 본 발명은 전기화학식 가스 센서 칩 및 그의 제조방법에 관한 것이고, 본 발명에 따른 전기화학식 가스 센서 칩은 기판, 상기 기판상에 패턴화되어 형성된 전극, 상기 패턴화된 전극을 포함하는 기판상에 형성된 프로톤 전도성을 갖는 고체 전해질막, 및 상기 고체 전해질막 상에 소수성의 마이크로다공성 멤브레인을 포함하며, 본 발명에 따른 칩 구조의 가스 센서는 구동회로와 집적이 용이하고, 고체 전해질막을 이용하기 때문에 소형화가 가능하고, 반도체 공정을 이용하기 때문에 대면적 공정을 가능하게 한다.
고체전해질, 칩, 전기화학식, 가스센서-
公开(公告)号：KR1020090059568A
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：KR1020070126490
申请日：2007-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20 , H01L29/84 , H01L21/203 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/047 , C23C16/40
Abstract: A method for selectively depositing a metal oxide nano material and a gas sensor using the same are provided to improve crystallization through a rapid thermal process by using a micro heater and to remove the moisture attached on the surface of a nano line. A substrate removing a central region is provided. A membrane(20) is formed in an upper part of the substrate. A micro-heater electrode(40) is formed in the upper part of the membrane of the central region. An insulating layer(30) covering the micro heater is formed in the upper part of the membrane. A sensing electrode(50) is formed in the upper part of the insulating layer of the micro heater electrode part. The metal oxide nano material is deposited in an upper part of the sensing electrode.
Abstract translation: 提供了选择性地沉积金属氧化物纳米材料的方法和使用其的气体传感器，以通过使用微加热器通过快速热处理来改善结晶，并除去附着在纳米线表面上的水分。 提供去除中心区域的衬底。 膜（20）形成在基板的上部。 微加热器电极（40）形成在中心区域的膜的上部。 覆盖微加热器的绝缘层（30）形成在膜的上部。 感测电极（50）形成在微加热器电极部分的绝缘层的上部。 金属氧化物纳米材料沉积在感测电极的上部。
-
公开(公告)号：KR100877690B1
公开(公告)日：2009-01-08
申请号：KR1020070061440
申请日：2007-06-22
Applicant: 한국전자통신연구원 , 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 나노 와이어 배열소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 나노와이어 배열소자 제조방법은, (a)기판 상에 나노 와이어가 포함된 나노 와이어 용액을 도포하는 단계; (b)상기 기판 상에 형성된 나노 와이어를 스트라이프 형태로 패터닝하고 기판을 노출시켜 상기 스트라이프 형태의 제 1 식각 영역을 형성하는 단계; (c)상기 패터닝된 나노 와이어를 사이에 두고 드레인 전극선과 소스 전극선을 평행하게 형성하는 단계; (d)일단은 상기 드레인 전극선에 연결되며 적어도 하나의 나노 와이어와 접촉하는 복수의 드레인 전극 및 일단은 상기 소스 전극선에 연결되며 상기 드레인 전극과 접촉하는 나노 와이어에 접촉하는 복수의 소스 전극을 형성하는 단계; (e)한 쌍의 상기 드레인 전극 및 소스 전극 쌍들이 전기적으로 접촉되지 않도록 상기 드레인 전극 및 소스 전극 쌍 사이에 제 2 식각 영역을 형성하는 단계; (f)상기 기판상에 절연층을 형성하는 단계; 및 (g)상기 절연층 상에 상기 나노 와이어와 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면 나노 와이어를 전극선과 평행하게 정렬하지 못하더라도 대규모 나노와이어 배열 소자를 구현할 수 있으므로, 정렬시키기 힘든 나노 와이어를 이용한 집적소자 및 디스플레이에도 본 발명을 적용할 수 있다. 나아가 플렉서블(flexible) 기판을 응용한 소자 분야에도 본 발명을 적용할 수 있다.
나노 와이어, 트랜지스터 어레이, 선택적 식각, 선태적 패터닝-
公开(公告)号：KR1020080052254A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020070063121
申请日：2007-06-26
Applicant: 한국전자통신연구원 , 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: B41J2/14314 , F03G7/005 , Y10T428/25
Abstract: A heterojunction layer is provided to predict the bending direction of an electric field by forming a heterojunction layer capable of predicting a driving direction. A heterojunction layer(100) includes a first layer(110) including first nano particles of a first conductivity type and a second layer(120) including second nano particles of a second conductivity type wherein the first layer is bonded to the second layer. The aspect ratio of the first and second nano particles can be not less than 30. The first nano particles can be V2O5, and the second nano particles can be a carbon nano tube.
Abstract translation: 提供异质结层以通过形成能够预测驱动方向的异质结层来预测电场的弯曲方向。 异质结层（100）包括第一层（110），其包括第一导电类型的第一纳米颗粒和包括第二导电类型的第二纳米颗粒的第二层（120），其中第一层结合到第二层。 第一和第二纳米颗粒的纵横比可以不小于30.第一纳米颗粒可以是V 2 O 5，第二纳米颗粒可以是碳纳米管。
-
公开(公告)号：KR100659974B1
公开(公告)日：2006-12-22
申请号：KR1020060007915
申请日：2006-01-25
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A paraelectric thin film for a super high frequency turnable device and a super high frequency turnable device comprising the same are provided to obtain high tuning ratio and low dielectric loss by using an improved paraelectric thin film. A paraelectric thin film for a super high frequency turnable device includes an oxide single crystalline substrate(10) and a paraelectric film(20) formed on the oxide single crystalline substrate. The paraelectric film is one selected from a group consisting of Ba(Zrx, Ti1-x)O3 (0
Abstract translation: 提供了一种用于超高频可转动装置的顺电薄膜以及包括该装置的超高频可转动装置，以通过使用改进的顺电薄膜获得高调谐比和低介电损耗。 一种用于超高频可转动器件的顺电薄膜包括氧化物单晶衬底（10）和形成在氧化物单晶衬底上的顺电膜（20）。 顺电膜是选自由Ba（Zr x，Ti 1-x）O 3（0
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100651724B1
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：KR1020040104918
申请日：2004-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L28/82 , H01L27/0808
Abstract: 수평 구조의 가변 축전기 및 이를 구비한 초고주파 가변 소자에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 초고주파 가변 소자는 기판과, 상기 기판상에 형성된 신호선과, 상기 신호선의 양측에서 상기 신호선의 길이 방향을 따라 주기적으로 형성되어 있는 복수의 가변 축전기와, 상기 가변 축전기에 DC 전압을 인가하기 위하여 상기 기판상에 형성되어 있는 전극을 포함한다. 상기 가변 축전기는 상기 기판상에 형성된 유전체막과, 상기 기판상에서 상기 유전체막의 양 측에 각각 형성된 제1 축전기 전극 및 제2 축전기 전극을 구비하고, 상기 제1 축전기 전극, 유전체막, 및 제2 축전기 전극이 차례로 상기 기판에 평행하게 배열되어 있다.
가변 축전기, 초고주파 가변 소자, 분포 정수형 아날로그 위상 변위기, 수평 구조-
公开(公告)号：KR1020060062299A
公开(公告)日：2006-06-12
申请号：KR1020040101087
申请日：2004-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/022 , H01G7/06 , H01L21/02197 , H01L21/0226 , H01L21/31691 , H01L28/56 , H01P1/181
Abstract: A ferroelectric/paraelectric multilayer thin film having a high tuning rate of a dielectric constant and small dielectric loss to overcome limitations of a tuning rate of a dielectric constant and dielectric loss of a ferroelectric thin film, a method of forming the same, and a high frequency variable device having the ferroelectric/paraelectric multilayer thin film are provided. The ferroelectric/paraelectric multilayer thin film includes a perovskite ABO 3 structure paraelectric seed layer formed on a substrate, and an epitaxial ferroelectric (Ba x Sr 1-x )TiO 3 thin film formed on the paraelectric seed layer. The high frequency variable device can realize a RF frequency/phase variable device having a high speed, low power consumption, and low prices and excellent microwaves characteristics.
-
公开(公告)号：KR100546759B1
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：KR1020030056847
申请日：2003-08-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01Q21/00
CPC classification number: H01P1/181
Abstract: 본 발명은 인가 전압에 따라 유전율이 변하는 강유전체 박막을 이용한 초고주파 가변 소자에 관한 것으로, 인가 전압에 따라 위상 속도를 변화시키면서 특성 임피던스의 변화는 감소시킬 수 있는 분포 정수형 아날로그 위상 변위기 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 분포 정수형 아날로그 위상 변위기는, 기판 상에 라인 형태로 연장되는 CPW(coplanar waveguide)가 배치되어 있고, 상기 CPW에 주기적으로 다수의 강유전체 캐패시터가 로딩되어 있다. 강유전체 캐패시터는 패턴 형태의 강유전체 박막을 구비하여, 인가 전압의 영향을 받는 강유전체 박막을 캐패시터 면적 내부로 국한시킨다. 이에 따라, 인가 전압의 변화에 따른 위상 속도의 변화는 유지하면서 원치 않는 CPW의 특성 변화를 방지하고 박막 유전 손실을 줄임으로써 위상 변위기의 반사 손실 및 삽입 손실 특성을 향상시킬 수 있다.
강유전체 박막, 분포 정수형 아날로그 위상 변위기, CPW(coplanar waveqguide), 강유전체 캐패시터-
公开(公告)号：KR1020040047174A
公开(公告)日：2004-06-05
申请号：KR1020020075291
申请日：2002-11-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01G7/06 , H01G4/1227
Abstract: PURPOSE: A UHF(ultrahigh frequency) variable device with a ferroelectric/paraelectric barium-strontium-titanium oxide thin film is provided to reduce deformation or loss of data and decrease amplification of an electric wave that is radiated through an antenna by reducing a loss of the electric wave in an active antenna system or a satellite communication system. CONSTITUTION: A substrate(100) is prepared. The ferroelectric/paraelectric barium-strontium-titanium oxide thin film(110) of an orientation (111) is formed on the substrate by a laser deposition method. The substrate is a MgO substrate.
Abstract translation: 目的：提供具有铁电/顺电钡锶 - 氧化钛薄膜的UHF（超高频）可变器件，以减少数据的变形或损失，并减少通过天线辐射的电波的放大，减少损耗 有源天线系统或卫星通信系统中的电波。 构成：制备基材（100）。 通过激光沉积法在衬底上形成取向（111）的铁电/顺电钡 - 锶 - 氧化钛薄膜（110）。 衬底是MgO衬底。
-
公开(公告)号：KR102247062B1
公开(公告)日：2021-05-03
申请号：KR1020180088183
申请日：2018-07-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: F25B21/02
Abstract: 본발명의실시예에따른냉각소자는그 내부에냉매를저장하며, 상부에밸브구조체가형성된냉매저장부상기냉매저장부상에배치되고, 그내부에유로가형성된방열구조체및 상기방열구조체의표면부터연장된방열핀을포함하는방열부; 상기냉매저장부및 상기방열부의사이에배치되고, 상기냉매저장부의내부와상기방열부의유로를연결하는연결부; 및상기냉매저장부, 상기방열부및 상기연결부를둘러싸도록배치되어, 상기냉매저장부, 상기방열부및 상기연결부를밀폐하는하우징을포함하되, 상기밸브구조체는온도변화에따라부피가변하는온도반응성물질을포함할수 있다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
75
records
(took 0.026 seconds)
