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公开(公告)号：KR100889564B1
公开(公告)日：2009-03-23
申请号：KR1020070066125
申请日：2007-07-02
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01N33/5438 , G01N27/4145
Abstract: 본 발명은 타겟분자(Taget molecule)와 프로브분자(probe molecules)간의 상호반응을 통하여 특정 바이오 물질을 검출할 수 있는 바이오 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명은 제1도전형의 반도체 기판; 상기 반도체 기판에 형성된 제2도전형의 도핑층; 상기 도핑층의 양 끝단 상부에 형성된 전극 및 상기 도핑층에 고정된 프로브분자를 포함하는 바이오 센서를 제공한다.
바이오 센서, 접합 절연, 실리콘 나노선-
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公开(公告)号：KR100656346B1
公开(公告)日：2006-12-11
申请号：KR1020050034911
申请日：2005-04-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L21/28185 , B82Y10/00 , G11C16/0466 , H01L21/265 , H01L21/28282 , H01L29/7881 , H01L29/792
Abstract: 이동 전하를 이용한 비휘발성 메모리 소자 제조 방법을 제시한다. 본 발명에 따르면, 반도체 기판 상에 게이트 유전막을 형성하는 단계, 상기 게이트 유전막 상에 소스 플라즈마(source plasma)를 도입하여 상기 플라스마 내의 양전하를 가지는 이온 또는 수소 이온을 상기 게이트 유전막 내로 플라즈마 도핑(doping)시켜 상기 게이트 유전막 내에 이동 이온 전하들을 분포시키는 단계, 상기 게이트 유전막 상에 문턱 전압의 조절을 위해 상기 이동 이온 전하들의 상기 게이트 유전막 내의 분포를 제어하는 제어 전압이 인가될 게이트를 형성하는 단계, 및 상기 게이트에 인근하는 상기 반도체 기판 부분에 소스/드레인 영역들을 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법을 제시한다.
MOSFET, 비휘발성 메모리, 이동 전하, 플라즈마 도핑, 게이트 유전막-
公开(公告)号：KR1020060067091A
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020050034030
申请日：2005-04-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336
Abstract: 충돌 이온화를 이용한 트랜지스터 및 그 제조 방법을 제시한다. 본 발명에 따르면, 반도체 기판 상에 게이트 유전막, 게이트 및 제1 및 제2 측벽 스페이서를 형성하고, 반도체 기판에 불순물을 경사 이온 주입하여 게이트 및 제1 및 제2스페이서에 마스킹(masking)되어 제1스페이서로부터 이격된 제1불순물층 및 제2스페이서 아래에 중첩되게 연장된 제2불순물층을 형성한다. 상호 간의 사이의 반도체 기판 영역을 이온화 영역으로 설정하는 소스 및 드레인을 제1 및 제2스페이서에 각각 자기 정렬되게 반도체 기판 상에 형성한다. 이때, 소스가 이온화 영역과 쇼트키 접합(schottky junction)을 이루게 제1금속 실리사이드막을 포함하여 형성되고, 드레인이 제2스페이서 아래에 중첩되는 제2불순물층 부분 및 제2불순물층 영역과 저항성 접촉(ohmic contact)을 이루게 제2스페이서에 정렬되는 제2실리사이드막을 포함하여 형성된다.
충돌 이온화, 애벌랜치 항복, 실리사이드, 쇼트키 장벽, 비대칭 소스 드레인-
公开(公告)号：KR1020150057931A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：KR1020140015993
申请日：2014-02-12
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: C25D11/045 , B28B3/00 , C25D21/12
Abstract: 본발명은스탬프의패턴들이금속기판에대향하도록상기금속기판상에상기스탬프를배치하는단계; 전기·화학적인방법을이용하여상기금속기판내에상기스탬프의패턴들에대응하는화합물영역들을형성하는단계; 상기화합물영역들을제거하여상기금속기판에딤플들을형성하는단계; 및상기금속기판을양극산화하여상기딤플들에대응하는영역에기공(pore)들이형성된양극산화막을형성하는단계를포함하는템플레이트제조방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种制造模板的方法，包括以下步骤：在金属基板上设置印模以使得印模的图案能够面对金属基板; 使用电化学方法形成与金属基板内的印模图案对应的复合区域; 去除所述化合物区域以在所述金属基材上形成凹坑; 并对该金属基板进行阳极氧化以形成阳极氧化层，其中在与凹坑对应的区域中形成孔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150026805A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：KR1020140097114
申请日：2014-07-30
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H03H9/24 , B81B3/0035 , B81B2201/0285 , B81C1/00349 , B81C1/00436
Abstract: 진동 영역의 양 끝을 감싸는 형상으로 형성된 지지부를 포함하는 진동 소자 및 그 제조 방법이 개시된다.
진동 소자는 상부에 절연층이 형성된 하부 기판; 상기 절연층의 위에 결합되며, 하부 기판과 일정 거리 이상 이격되어 진동하는 진동 영역을 포함하는 상부 기판; 및 상기 진동 영역의 양끝을 감싸는 형태로 형성되어 상기 진동 영역을 지지하는 지지부를 포함할 수 있다.Abstract translation: 公开了一种振动装置及其制造方法，该振动装置包括围绕振动区域的两端的支撑部。 振动装置可以包括其上形成有绝缘层的下基板; 与绝缘层组合的上基板，包括与下基板隔开一定距离振动的振动区域; 以及支撑部，其围绕振动区域的两端并且支撑振动区域。
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公开(公告)号：KR101026468B1
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：KR1020080089237
申请日：2008-09-10
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01N33/54373 , B01L3/502761 , B01L2200/143 , B01L2300/0636 , B01L2300/0645 , B01L2300/0867 , B01L2300/163 , B01L2400/0415 , G01N27/4145
Abstract: FET를 이용한 생분자 검출 장치 및 검출 방법이 제공된다. 생분자 검출 장치는 기판, 상기 기판에 서로 이격되어 배치된 소오스 및 드레인 전극, 소오스 및 드레인 전극 사이의 채널 영역 및 채널 영역에 고정된 프로브 분자를 포함하는 FET, 프로브 분자가 고정된 FET의 채널 영역으로, 저이온 농도의 기준 버퍼 용액 및 타겟 분자를 포함하는 고이온 농도의 반응 용액을 선택적으로 공급하는 미세 유체 공급부 및 프로브 분자가 고정된 FET의 채널 영역에서의 제 1 전류 값과, 고이온 농도의 반응 용액에서 결합된 프로브 분자와 타겟 분자가 고정된 FET의 채널 영역에서의 제 2 전류 값을 측정하여 타겟 분자를 검출하는 생분자 검출부를 포함한다.
생분자, 이온 세기, 반응 용액, 기준 버퍼 용액, 안정화 버퍼, 전계 효과 트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020100072533A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020080130964
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A biosensor chip is provided to reduce the manufacturing cost of the biosensor chip compared to a conventional biosensor chip and to easily utilize the small sized biosensor chip. CONSTITUTION: A biosensor chip comprises the following: a sensing unit(150) detecting a target material by the mutual reaction between the target material and a sensing material; a circuit board unit electrically connected with the sensing unit; a channel unit(140) supplying a fluidic material containing the target material to the sensing unit; and a cover(120) covering the channel unit and the sensing unit, while being connected with the circuit board unit. The cover includes a solution inlet(124) and a solution outlet(125) for the fluidic material.
Abstract translation: 目的：提供生物传感器芯片，以降低生物传感器芯片的制造成本，与传统的生物传感器芯片相比，并且易于利用小型生物传感器芯片。 构成：生物传感器芯片包括：感测单元（150），通过目标材料和感测材料之间的相互反应检测目标材料; 与感测单元电连接的电路板单元; 通道单元（140），将含有所述目标材料的流体材料供应到所述感测单元; 以及在与电路板单元连接的同时覆盖通道单元和感测单元的盖（120）。 盖子包括用于流体材料的溶液入口（124）和溶液出口（125）。
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公开(公告)号：KR1020090062373A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：KR1020070129581
申请日：2007-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: G01N27/4145 , H01L29/66818 , H01L29/7853
Abstract: A high sensitive sensor and a manufacturing method thereof are provided to obtain a high signal by controlling depletion and accumulation of a channel by combining a target material and a sensing material in both sides. An SOI(Silicon On Insulator) substrate is formed in an upper part of a semiconductor substrate. A mask pattern is formed by performing a lithography process in the upper part of the SOI substrate. The structure of a pin shape is formed by etching a silicon layer in the upper part of the SOI substrate. The sensor structure with a pin shaped structure is formed on the semiconductor substrate. A metal electrode is deposited by implanting the ion for electrical ohmic contact to the sensor structure. A sensing material combined in a target material is fixed in both sidewalls of the pin shaped structure. The path for penetrating the target material through the pin-shaped structure is formed on the sensor structure.
Abstract translation: 提供了一种高灵敏度传感器及其制造方法，以通过在两侧组合目标材料和感测材料来控制通道的耗尽和累积来获得高信号。 在半导体衬底的上部形成SOI（绝缘体上硅）衬底。 通过在SOI衬底的上部进行光刻工艺来形成掩模图案。 针状结构通过在SOI衬底的上部蚀刻硅层而形成。 具有针状结构的传感器结构形成在半导体衬底上。 通过将用于电欧姆接触的离子注入传感器结构来沉积金属电极。 组合在目标材料中的感测材料固定在销形结构的两个侧壁中。 在传感器结构上形成穿过针状结构穿透目标材料的路径。
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公开(公告)号：KR1020090058883A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：KR1020070125679
申请日：2007-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , H01L29/0673 , H01L29/78696
Abstract: A semiconductor nano wire sensor and a manufacturing method thereof are provided to implement a silicon nano wire channel of a line width with several nano meters by using a photolithographic process. A first conductive single crystal silicon line pattern is formed in the uppermost layer of an SOI(Silicon On Insulator) substrate. A second conductive channel(216b) is formed in both ends of the line width direction of the first conductive single crystal silicon line pattern. The second conductive pad is formed in both sides of the longitudinal direction of the first conductive single crystal silicon line pattern. A first electrode(242) for applying a reverse bias voltage is formed in an undoped region of the first conductive single crystal silicon line pattern. A second electrode(232) for applying the bias voltage to both sides of the second conductive channel is formed on the second conductive pad.
Abstract translation: 提供半导体纳米线传感器及其制造方法，通过使用光刻工艺来实现具有数纳米的线宽的硅纳米线通道。 在SOI（绝缘体上硅）衬底的最上层形成第一导电单晶硅线图形。 第二导电沟道（216b）形成在第一导电单晶硅线图案的线宽方向的两端。 第二导电焊盘形成在第一导电单晶硅线图案的纵向方向的两侧。 在第一导电单晶硅线图案的未掺杂区域中形成用于施加反向偏置电压的第一电极（242）。 在第二导电焊盘上形成用于将偏置电压施加到第二导电沟道两侧的第二电极（232）。
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