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公开(公告)号：KR101405421B1
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：KR1020130103267
申请日：2013-08-29
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 최성율
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
Abstract: 본 발명은 저항형 메모리 장치를 제공한다. 이 저항형 메모리 장치는 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 저항변화막; 및 상기 저항변화막 상의 상부 전극을 포함하되, 상기 저항변화막은 상기 상부 전극과 반응하여 산화막을 형성할 수 있는 전도성 고분자막을 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020120033722A
公开(公告)日：2012-04-09
申请号：KR1020100095404
申请日：2010-09-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/10 , H01L21/8229 , H01L21/8239
CPC classification number: G11C13/0007 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/35 , G11C2213/77 , G11C2213/80 , H01L29/1606 , H01L51/0045 , H01L51/0591
Abstract: PURPOSE: A graphene oxide memory device and a manufacturing method thereof are provided to prevent non-uniformity between devices while reducing the size of the device by arranging a uniform graphene oxide thin film instead of a metal nano particle layer or an organic compound structure. CONSTITUTION: An insulating film(111) is arranged on a substrate(110). A lower electrode(120) is formed on the substrate. An electron channel layer(130) is formed with a graphene oxide on the lower electrode. An upper electrode(140) is formed on the electron channel layer. A bonding layer is formed between the substrate and the lower electrode.
Abstract translation: 目的：提供石墨烯氧化物存储器件及其制造方法，以通过布置均匀的氧化烯氧化物薄膜而不是金属纳米颗粒层或有机化合物结构来减小器件的尺寸，从而防止器件之间的不均匀性。 构成：在衬底（110）上布置绝缘膜（111）。 在基板上形成下电极（120）。 电子通道层（130）在下电极上形成有氧化石墨烯。 在电子通道层上形成上电极（140）。 在基板和下电极之间形成接合层。
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公开(公告)号：KR1020100072525A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020080130956
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/10 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/165 , G11C13/0004
Abstract: PURPOSE: A nonvolatile memory device and a formation method thereof are provided to provide the excellent retention property by introducing a diffusion barrier layer. CONSTITUTION: Bottom electrode(110) is formed on a substrate(100). A diffusion barrier layer(120) preventing the diffusion of the space charge is formed on the bottom electrode. A charge trapping layer(130) with the space charge limiting feature is formed on the diffusion barrier layer. Upper electrode(140) is formed on the charge trapping layer. The diffusion barrier layer is composed of the oxidation aluminum or the oxidation silicon.
Abstract translation: 目的：提供非易失性存储器件及其形成方法，以通过引入扩散阻挡层来提供优异的保留性能。 构成：底部电极（110）形成在衬底（100）上。 在底部电极上形成防止空间电荷扩散的扩散阻挡层（120）。 在扩散阻挡层上形成具有空间电荷限制特征的电荷俘获层（130）。 上电极（140）形成在电荷捕获层上。 扩散阻挡层由氧化铝或氧化硅构成。
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公开(公告)号：KR100744959B1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：KR1020060035654
申请日：2006-04-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , B82Y10/00
Abstract: 본 발명은 유기 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 유기 반도체 소자는 제1 전극과, 상기 제1 전극 상에 형성되는 전자 채널층과, 상기 전자 채널층 상에 형성되는 제2 전극을 포함하며, 상기 전자 채널층은, 상기 제1 전극 상에 형성되는 하부 유기물층과, 상기 하부 유기물층 상에 형성되며, 상호 이격 거리를 두고 배치된 소정 크기의 나노 입자를 갖는 나노 입자층과, 상기 나노 입자층의 상부에 형성되는 상부 유기물층을 포함한다. 이에 따라, 간단한 제작 공정을 이용하여 고집적화가 가능한 유기 반도체 소자를 제작할 수 있으며, 임계 전압 특성과 소자 축소화에 따른 소자 간의 불균일성을 해결하여 우수한 성능의 반도체 소자를 구현할 수 있다.
메모리, 비휘발성 메모리, 유기물, 전기적 이 안정성, 전기전도도, 나노입자, 랑뮤어-블러짓 박막-
公开(公告)号：KR100714924B1
公开(公告)日：2007-05-07
申请号：KR1020050091288
申请日：2005-09-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: B82B3/00 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/105 , B82Y10/00 , H01L51/0023 , H01L51/0595
Abstract: 본 발명은 수 나노미터(nm) 이하의 폭을 갖는 나노갭(nano-gap)을 사이에 두고 두 개의 전극이 접해 있는 나노갭 전극소자의 제작 방법에 관한 것으로, 서로 다른 식각비를 갖는 반도체층들을 이용하여 공기중에 부양된 구조의 나노 구조물을 형성하고, 반도체층으로부터 나노 구조물까지의 높이, 나노 구조물의 폭 및 금속의 증착 각도를 조절하여 나노갭을 형성한다. 나노갭의 위치와 폭을 용이하게 조절할 수 있고 반복되는 구조를 갖는 어레이 형태의 나노갭을 동시에 형성할 수 있다.
나노 구조물, 증착 각도, 나노갭, 전극소자, 어레이-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060055668A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：KR1020040094585
申请日：2004-11-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/335 , B82Y40/00
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L51/0545 , H01L51/0595 , Y10S977/936 , Y10S977/937 , Y10S977/938
Abstract: 본 발명은 쓰리-게이트 전계효과 분자트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 형성되며 그 상면에 소오스/드레인 영역의 홈과 상기 홈 사이를 연결하기 위한 소정의 폭을 갖는 연결홈이 구비된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 전체 상부면에 형성된 게이트 절연막과, 상기 연결홈에 형성된 소정의 폭을 갖는 갭을 중심으로 상기 소오스/드레인 영역의 홈 및 상기 연결홈 일부분의 게이트 절연막 상에 형성된 소오스/드레인 전극과, 상기 게이트 전극에 둘러싸이도록 상기 갭에 삽입되며 상기 소오스/드레인 전극을 연결하기 위한 적어도 하나의 분자로 구성된 채널영역을 포함함으로써, 채널을 통과하는 전자들에 대한 게이트전압의 영향을 극대화할 수 있으며, 게이트 전압의 증감에 따른 소오스/드레인 간 전류의 변화이득을 크게 증가시킬 수 있어 종래의 소자에 비해 높은 기능성과 신뢰성을 가지는 분자전자회로를 구현할 수 있는 효과가 있다.
분자트랜지스터, 쓰리-게이트, 전계효과, 분자전자회로, 소오스/드레인 전극, 채널영역-
公开(公告)号：KR1020030056570A
公开(公告)日：2003-07-04
申请号：KR1020010086832
申请日：2001-12-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/102 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L51/0504 , B82Y10/00 , H01L51/0048
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device using a single carbon nano tube and a method for manufacturing the same are provided to be capable of improving the degree of integration and operating speed by forming an N-type single carbon nano tube at the predetermined portion of a P-type single carbon nano tube using an implanting process after exposing the predetermined portion of the P-type single carbon nano tube. CONSTITUTION: An emitter(101a) made of a P-type carbon nano tube, a collector(101b) made of the P-type carbon nano tube, and a base(102) made of an N-type carbon nano tube are formed at the upper portion of a substrate. An emitter and collector electrode(202,203) are formed at the emitter and collector, respectively. A base electrode(201) is formed at the base.
Abstract translation: 目的：提供一种使用单个碳纳米管的半导体器件及其制造方法，其能够通过在P-型碳纳米管的预定部分形成N型单碳纳米管来提高集成度和操作速度， 在暴露P型单碳纳米管的预定部分之后使用注入工艺的单碳纳米管。 构成：由P型碳纳米管构成的发射体（101a），由P型碳纳米管构成的集电体（101b）和由N型碳纳米管构成的基体（102）形成在 衬底的上部。 在发射极和集电极处分别形成发射极和集电极（202,203）。 在基部形成有基极201。
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公开(公告)号：KR1020020044312A
公开(公告)日：2002-06-15
申请号：KR1020000073340
申请日：2000-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C2213/81
Abstract: PURPOSE: Data storage media are provided to use carbon nanotubes for reducing interferences between neighboring magnetic substances, generated as bit size of magnetic media is smaller and nearer, thereby increasing data stability. CONSTITUTION: A porous material(120) is accumulated on a substrate(110). A ferromagnetic material(140) is contained in porous parts of the porous material, and causes a magnetic polarization phenomenon, to perform magnetic recording media functions. An information recorder applies a magnetic field to the ferromagnetic material, to generate magnetic polarization in the ferromagnetic material, and records information. An information reader extracts an effect of the magnetic polarization of the ferromagnetic material, and reads out an information state in accordance with a polarization direction.
Abstract translation: 目的：提供数据存储介质以使用碳纳米管来减少相邻磁性物质之间的干扰，由磁性介质的位大小产生，从而增加数据的稳定性。 构成：多孔材料（120）积聚在基底（110）上。 铁氧体材料（140）被包含在多孔材料的多孔部分中并引起磁极化现象，从而执行磁记录介质的功能。 信息记录器对铁磁材料施加磁场，在铁磁材料中产生磁极化，并记录信息。 信息读取器提取铁磁材料的磁极化的影响，并且根据偏振方向读出信息状态。
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公开(公告)号：KR1020010011646A
公开(公告)日：2001-02-15
申请号：KR1019990031119
申请日：1999-07-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11B11/10
Abstract: PURPOSE: A ferroelectro-optic type data storage device is provided to embody the high integration, the large capacity and a fast operation by using a polarizing inverse of a ferroelectric as a recording device. CONSTITUTION: A data storage device comprises a metal thin film(2) on a substrate(1), a ferroelectric thin film(4), an optical pickup sticking an external electrode(5) and a domain boundary(3). The metal thin film(2) is used to ground a medium to generate a voltage difference between a fine electrode(5) and a ferroelectric domain. The metal thin film(2) reflects a laser beam when information is read. In feeding a voltage over a critical voltage by moving the fine electrode(6) to a recording space, a polarization is generated only in a bit cell locating the fine electrode(5). Information is recorded in each bit cell by giving the voltage difference to the fine electrode and the metal layer. The recorded information is read by the optical pickup.
Abstract translation: 目的：提供一种铁电型数据存储装置，用于通过使用铁电体的偏振反转作为记录装置来体现高集成度，大容量和快速操作。 构成：数据存储装置包括在基板（1）上的金属薄膜（2），铁电薄膜（4），粘附外部电极（5）和畴边界（3）的光学拾取器。 金属薄膜（2）用于对介质进行接地以在微细电极（5）和铁电畴之间产生电压差。 当读取信息时，金属薄膜（2）反射激光束。 在通过将细电极（6）移动到记录空间来馈送临界电压的电压时，仅在定位微细电极（5）的位单元中产生极化。 通过给细电极和金属层赋予电压差，将信息记录在每个位单元中。 记录的信息由光学拾取器读取。
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公开(公告)号：KR1020010010348A
公开(公告)日：2001-02-05
申请号：KR1019990029172
申请日：1999-07-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A resonant tunneling transistor having carbon nano tubes as source/drain is provided to allow a switching operation at room temperature. CONSTITUTION: A resonant tunneling transistor includes the first carbon nano tube(1) acting as a source, the second carbon nano tube(2) acting as a drain, a C60 molecule(4) forming an electron overlap region, and an insulative metal compound(3) connecting the first and the second carbon nano tubes(1,2) to the C60 molecule(4), respectively, and acting as a tunneling barrier to electron. The first carbon nano tube(1) is shorter in length than the second carbon nano tube(2), and thereby a switching operation can be possible. In addition, the carbon nano tubes(1,2) have no need of doping, and further, have a nanometer size in all directions as well as an electron flow direction. Moreover, since one-directional tunneling is made in a molecule level, a switching operation at room temperature can be possible.
Abstract translation: 目的：提供具有碳纳米管作为源极/漏极的谐振隧穿晶体管，以允许在室温下的开关操作。 构成：谐振隧道晶体管包括用作源的第一碳纳米管（1），用作漏极的第二碳纳米管（2），形成电子重叠区的C60分子（4）和绝缘金属化合物 （3）分别将第一和第二碳纳米管（1,2）连接到C60分子（4），并且作为电子的隧道势垒。 第一碳纳米管（1）的长度比第二碳纳米管（2）短，从而可以进行切换操作。 此外，碳纳米管（1,2）不需要掺杂，并且还具有在所有方向上的纳米尺寸以及电子流动方向。 此外，由于在分子水平上进行单向隧穿，因此在室温下的切换操作是可能的。
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