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公开(公告)号：KR100692916B1
公开(公告)日：2007-03-12
申请号：KR1020050057443
申请日：2005-06-30
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 쉽게 패터닝이 가능한 네가티브 포토레지스트인 SU-8 을 탄소 나노튜브 트랜지스터의 전극부분에 코팅하여 탄소 나노튜브 트랜지스터에 안정적인 p 도핑을 유도하고, 바이오센서로 이용하기 위해 전극을 절연시킬 수 있도록 한 변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은 탄소나노튜브의 양단부에 각각 전기적으로 접촉되는 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 탄소나노튜브 트랜지스터에 있어서,
상기 전극에 포토레지스트, 저분자 자기조립막 및 기타 폴리머 중 어느 하나가 코팅되는 것을 특징으로 하는 변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터를 제공한다.
SU-8 네가티브 포토레지스트, 탄소 나노튜브, 트랜지스터, 저분자 자기조립막, 폴리머-
公开(公告)号：KR100620121B1
公开(公告)日：2006-09-19
申请号：KR1020040068606
申请日：2004-08-30
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 소수성 기판의 표면개질에 의한 잉크젯용 고농도 수계 금속 나노 졸의 미세라인 형성방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 양이온 고분자 전해질 또는 비이온성 계면활성제를 사용한 적층기법(layer-by-layer)에 의하여 소수성 기판을 개질하여 친수화 시킴으로써 금속염 수용액에 고분자 전해질을 첨가하여 고분자-금속염 착체를 형성시킨 후 이를 환원제 처리하여 제조한 100 ㎚ 이하 크기의 고농도 수계 금속나노 졸을 이용하여 직접 잉크젯 기법으로 기판상에 미세라인을 형성할 수 있도록 한 소수성 기판의 표면개질에 의한 잉크젯용 고농도 수계 금속 나노 졸의 미세라인 형성방법에 관한 것이다.
고분자 전해질, 금속 나노 졸, 표면개질제, 소수성 기판-
公开(公告)号：KR100577355B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020040027592
申请日：2004-04-21
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C08J3/12
Abstract: 본 발명은 구상 성형체의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 세라믹 또는 금속 분말이 유기 라디칼 모노머 용액 중에 분산된 고농도의 수계 슬러리(slurry)를 제조하고, 상기 수계 슬러리를 오일상에 균일하게 분산시켜 구형의 액적을 제조하여 겔화(gelation)시켜서 강도를 부여하고, 이를 하소 및 소결하는 공정으로 이루어진 구상 성형체의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면 구의 직경의 조절이 용이하여 직경이 1 ㎜ 이하인 구상 성형체를 제조할 수 있고, 오일상에 분산 후 겔화에 의하여 고화시키므로 찌그러짐이나 응집이 없는 진구에 가깝고 직경 분포가 좁은 구 형태로 성형할 수 있으며, 상기 겔화에 의하여 강도가 부여된 구를 하소 및 소결을 거쳐 밀도 및 강도가 높은 구상 성형체를 용이하게 대량으로 제조할 수 있다.
구상 성형체, 수계 슬러리, 겔화, 고화-
公开(公告)号：KR100576801B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020040027593
申请日：2004-04-21
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C08J3/16
Abstract: 본 발명은 구상 성형체의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 세라믹 또는 금속 분말이 유기 라디칼 모노머 용액 중에 분산된 고농도의 수계 슬러리(slurry)를 제조하고, 상기 수계 슬러리를 중합개시제와 계면활성제를 포함하는 오일상에 균일하게 분산시켜 구형의 액적을 제조하여 겔화(gelation)시켜서 강도를 부여하고, 이를 하소 및 소결하는 공정으로 이루어진 구상 성형체의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면 기존과는 달리 수계 슬러리가 아닌 오일상에 중합개시제와 계면활성제를 주입한 후 수계 슬러리를 분산시킴으로써, 오일상에 분산시키기 전 수계 슬러리의 저장시간이 길어져서 제조공정 중 불안요인이 제거되며, 상기 수계 슬러리의 겔화 방지를 위한 저온 제어장치가 필요없어 공정설비의 단순화를 달성할 수 있고, 전체적인 공정의 제어가 용이하면서, 제조된 구가 찌그러짐이나 응집이 없는 진구에 가깝고 직경 분포가 좁은 구 형태로 단시간에 성형할 수 있는 효과가 있다.
구상 성형체, 수계 슬러리, 겔화Abstract translation: 本发明涉及一种生产球形模制品，和更具体地说，涉及一种陶瓷或金属粉末的方法包括将所述含水浆料（浆料）聚合引发剂和在制造表面活性剂，和水浆的高浓度分散在有机基团的单体溶液 通过将球状液滴均匀地分散在油相上而产生球状液滴，通过凝胶化而赋予强度，煅烧并烧结球状液滴，从而制造球状液滴的工序。
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公开(公告)号：KR1020050039016A
公开(公告)日：2005-04-29
申请号：KR1020030074363
申请日：2003-10-23
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 팔라듐이 코팅된 탄소 나노튜브 수소센서에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 수소를 선택적으로 흡착하여 해리시키는 촉매 금속인 팔라듐을 탄소 나노튜브 표면에 코팅하고 이를 수소센서의 전극 사이에 위치시킨 것으로써, 팔라듐이 수소분자를 수소원자로 해리시키고, 이때 해리된 수소원자가 탄소 나노튜브 표면에 흡착되면서 전자가 수소에서 탄소 나노튜브로 이동되어 탄소 나노튜브의 정공 (hole) 농도를 감소시키고 동시에 탄소 나노튜브의 전기전도도를 감소시켜 효과적이면서 고감도로 수소가스를 검출할 수 있는 팔라듐이 코팅된 탄소 나노튜브 수소센서에 관한 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101888597B1
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：KR1020160173528
申请日：2016-12-19
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은알칼리금속으로도핑된칼코지나이드계은나노입자, 이의제조방법및 이를이용한광센서에관한것으로, 본발명에따른알칼리금속이도핑된칼코지나이드계은나노입자는기존의칼코지나이드계나노입자와비교하여화학적결합과결정성이증가되고, 밴드갭에변화를주어광흡수가증가됨에따라광전류와광반응성이향상된효과가있다. 또한, 무독성인금속염을원료물질로하여초음파조사를통해제조되므로친환경적으로균일한크기의나노입자를대량생산할수 있는장점을가지며, 자외선부터가시광선및 근적외선범위의전영역을흡수하고근적외선의에너지를받아적외선영역의특정파장을발광하는특징을나타내므로이를광센서에응용할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR101790541B1
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：KR1020160014561
申请日：2016-02-05
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은자외선또는청색의여기원에의해여기되어적색계파장을발광하는, 주석(Sn) 또는비스무트(Bi)가도핑된 금속질화물적색형광체및 이형광체를발광소자로응용하는것에관한것이다. 본발명의금속질화물형광체는발광다이오드, 레이저다이오드, 면발광레이저다이오드, 무기일렉트로루미네센스소자, 유기일렉트로루미네센스소자와같은발광소자에유용하게적용될 수있다.
Abstract translation: 本发明涉及施加到锡（Sn），或铋（Bi）的金属氮化物的红色荧光体，以及光通过发光元件壳体释放平，发射红光波长通过紫外线或蓝色的激发源激发。 本发明的金属氮化物荧光体，可以有效地应用于发光元件，如发光二极管，激光二极管，表面发光激光二极管，无机电致发光元件，有机电致发光元件。
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公开(公告)号：KR1020170093322A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：KR1020160014561
申请日：2016-02-05
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은자외선또는청색의여기원에의해여기되어적색계파장을발광하는, 주석(Sn) 또는비스무트(Bi)가도핑된 금속질화물적색형광체및 이형광체를발광소자로응용하는것에관한것이다. 본발명의금속질화물형광체는발광다이오드, 레이저다이오드, 면발광레이저다이오드, 무기일렉트로루미네센스소자, 유기일렉트로루미네센스소자와같은발광소자에유용하게적용될 수있다.
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公开(公告)号：KR101653547B1
公开(公告)日：2016-09-02
申请号：KR1020150034669
申请日：2015-03-12
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L51/42 , H01L31/0256
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은복합페로브스카이트계소재및 이를포함하는전자소자에관한것으로, 상세하게, 본발명에따른복합페로브스카이트계소재는유기양이온, 2종이상의금속양이온및 할로겐음이온을포함한다.
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公开(公告)号：KR101485520B1
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：KR1020130046349
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 텅스텐 전구체에 관한 것으로, 상기 텅스텐 전구체는 열적으로 안정하며 휘발성이 높다는 장점이 있고 이를 이용하여 양질의 황화텅스텐 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, R
6 는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)
[화학식 2]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택되며, X는 Cl, Br 또는 I이다.)Abstract translation: 本发明涉及由式1或2的方法，其中所述钨前体是热稳定的并且具有高的挥发性的优点可通过使用此形成硫化钨的高品质的薄膜，所表示的钨前体。
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