公开(公告)号：DE102012212184B4

公开(公告)日：2021-12-09

申请号：DE102012212184

申请日：2012-07-12

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/074

Abstract: Verfahren, das Folgendes umfasst:Erzeugen einer dotierten p-leitenden Gruppe-III/V-Substratschicht (12);Abscheiden einer amorphen hydrierten n+-leitenden Siliciumschicht (72) auf der Substratschicht, undTempern der Substratschicht und der amorphen hydrierten n+-leitenden Siliciumschicht und dadurch Bilden einer Emitterschicht, die in der Substratschicht einen n+leitenden Bereich (74) umfasst, und einer an die Emitterschicht angrenzenden epitaxialen n+-leitenden Schicht (76).

公开(公告)号：CA2871871A1

公开(公告)日：2015-06-19

申请号：CA2871871

申请日：2014-11-19

Applicant: IBM

Inventor： BAYRAM CAN ,  SADANA DEVENDRA ,  BEDELL STEPHEN W ,  OTT JOHN A ,  FOGEL KEITH E

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  H01L33/32

Abstract: A spall releasing plane is formed embedded within a Group III nitride material layer. The spall releasing plane includes a material that has a different strain, a different structure and a different composition compared with the Group III nitride material portions that provide the Group III nitride material layer and embed the spall releasing plane. The spall releasing plane provides a weakened material plane region within the Group III nitride material layer which during a subsequently performed spalling process can be used to release one of the portions of Group III nitride material from the original Group III nitride material layer. In particular, during the spalling process crack initiation and propagation occurs within the spall releasing plane embedded within the original Group III nitride material layer.

公开(公告)号：DE102013209513A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：DE102013209513

申请日：2013-05-22

Applicant: IBM ,  KING ABDULAZIZ CITY SCI & TECH

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA K ,  ALHOMOUDI IBRAHIM ,  LI NING

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/20 ,  H01L29/04

Abstract: Verfahren zum Abtrennen lokaler Gebiete eines Basissubstrats unter Verwendung von wenigstens einem Teilbereich einer Stressorschicht, der sich auf einem Teilbereich einer obersten Oberfläche eines Basissubstrats befindet, jedoch nicht auf der gesamten. Das Verfahren beinhaltet das Bereitstellen eines Basissubstrats mit einer gleichmäßigen Dicke und einer planaren obersten Oberfläche, die sich über eine Gesamtheit des Basissubstrats hinweg erstreckt. Wenigstens ein Teilbereich der Stressorschicht, der eine Form aufweist, wird auf wenigstens einem Teilbereich der obersten Oberfläche des Basissubstrats gebildet, jedoch nicht auf der gesamten. Es wird ein Abtrennen durchgeführt, das einen Teilbereich einer Materialschicht von dem Basissubstrat entfernt und einen verbleibenden Teilbereich des Basissubstrats bereitstellt. Der Teilbereich der Materialschicht weist die Form des wenigstens einen Teilbereichs der Stressorschicht auf, während der verbleibende Teilbereich des Basissubstrats wenigstens eine darin befindliche Öffnung aufweist, die mit der Form der wenigstens einen Stressorschicht korreliert.

公开(公告)号：GB2495166A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：GB201209218

申请日：2011-02-16

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  CORTES NORMA SOSA ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  WACASER BRENT A

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

Abstract: A method for forming a single-junction photovoltaic cell includes forming a dopant layer on a surface of a semiconductor substrate; diffusing the dopant layer into the semiconductor substrate to form a doped layer of the semiconductor substrate; forming a metal layer over the doped layer, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the semiconductor substrate; removing a semiconductor layer from the semiconductor substrate at the fracture; and forming the single-junction photovoltaic cell using the semiconductor layer. A single-junction photovoltaic cell includes a doped layer comprising a dopant diffused into a semiconductor substrate; a patterned conducting layer formed on the doped layer; a semiconductor layer comprising the semiconductor substrate located on the doped layer on a surface of the doped layer opposite the patterned conducting layer; and an ohmic contact layer formed on the semiconductor layer.

公开(公告)号：DE112011100102T5

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：DE112011100102

申请日：2011-02-16

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  SOSA CORTES NORMA E ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  WACASER BRENT A

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/074

Abstract: Ein Verfahren zum Ausbilden einer Photovoltaikzelle mit einem Übergang beinhaltet Ausbilden einer Dotierstoffschicht auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats; Diffundieren der Dotierstoffschicht in das Halbleitersubstrat, um eine dotierte Schicht des Halbleitersubstrats auszubilden; Ausbilden einer Metallschicht über der dotierten Schicht, wobei eine Zugspannung in der Metallschicht so eingerichtet wird, dass ein Bruch in dem Halbleitersubstrat verursacht wird; Entfernen einer Halbleiterschicht von dem Halbleitersubstrat an dem Bruch; und Ausbilden der Photovoltaikzelle mit einem Übergang mithilfe der Halbleiterschicht. Eine Photovoltaikzelle mit einem Übergang beinhaltet eine dotierte Schicht, die einen Dotierstoff umfasst, der in ein Halbleitersubstrat diffundiert ist; eine strukturierte, leitende Schicht, die auf der dotierten Schicht ausgebildet ist; eine Halbleiterschicht, die das Halbleitersubstrat umfasst, das sich auf der dotierten Schicht auf einer Oberfläche der dotierten Schicht gegenüber der strukturierten, leitenden Schicht befindet; und eine ohmsche Kontaktschicht, die auf der Halbleiterschicht ausgebildet ist.

公开(公告)号：GB2503851B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：GB201318741

申请日：2012-05-08

Applicant: IBM ,  KING ABDULAZIZ CITY SCI & TECH

Inventor： KHAYYAT MAHA M ,  CORTES NORMA E SOSA ,  SAENGER KATHERINE L ,  BEDELL STEPHEN W ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/30

公开(公告)号：DE102012218265A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：DE102012218265

申请日：2012-10-08

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  HEKMATSHOAR-TABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L31/0725 ,  H01L31/18

Abstract: Es wird eine Mehrfachübergang-III-V-Photovoltaikeinheit bereitgestellt, die wenigstens eine obere Zelle, die aus wenigstens einem III-V-Verbindungs-Halbleitermaterial besteht und eine untere Zelle in Kontakt mit einer Oberfläche der wenigstens einen oberen Zelle aufweist. Die untere Zelle weist eine Germanium-enthaltende Schicht in Kontakt mit der wenigstens einen oberen Zelle, wenigstens eine intrinsische hydrierte Silicium-enthaltende Schicht in Kontakt mit einer Oberfläche der Germanium-enthaltenden Schicht und wenigstens eine dotierte hydrierte Silicium-enthaltende Schicht in Kontakt mit einer Oberfläche der wenigstens einen intrinsischen hydrierten Silicium-enthaltenden Schicht auf. Die intrinsischen und dotierten Silicium-enthaltenden Schichten können amorph, nano/mikrokristallin, polykristallin oder einkristallin sein.

公开(公告)号：DE102012210227A8

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：DE102012210227

申请日：2012-06-18

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  CORTES NORMA EDITH SOSA

IPC: H01L21/304

公开(公告)号：DE102012213649A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：DE102012213649

申请日：2012-08-02

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  LIU XIAO HU ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12

Abstract: Ein Ablösungsverfahren umfasst das Aufbringen einer Stressorschicht auf die Oberfläche eines Basissubstrats und das Kontaktieren der Stressorschicht mit einer planaren Übertragungsoberfläche. Die planare Übertragungsoberfläche wird anschließend entlang einer Ebene bewegt, die parallel zu der oberen Oberfläche des Basissubstrats ist und gegenüber dieser einen vertikalen Versatz aufweist. Die planare Übertragungsoberfläche wird in einer Richtung von einem ersten Rand des Basissubstrats zu einem gegenüberliegenden zweiten Rand des Basissubstrats bewegt, um das Basissubstrat zu spalten und einen abgelösten Teil des Basissubstrats auf die planare Übertragungsoberfläche zu übertragen. Der vertikale Versatz zwischen der Ebene, entlang der die planare Übertragungsoberfläche bewegt wird, und der oberen Oberfläche des Basissubstrats ist ein feststehender Abstand. Der feststehende Abstand des vertikalen Versatzes sorgt für eine einheitliche Ablösekraft. Ein Ablösungsverfahren, das eine Übertragungswalze enthält, wird ebenfalls beschrieben.

公开(公告)号：DE102012212184A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：DE102012212184

申请日：2012-07-12

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/072

Abstract: Es werden Solarzellenstrukturen bereitgestellt, die durch epitaxiales Wachstum von Silicium auf einer Gruppe-III/V-Substratschicht bei niedrigen Temperaturen einen höheren Wirkungsgrad beim Sammeln von Ladungsträgern aufweisen. Außerdem beinhaltet eine Solarzellenstruktur mit einer verbesserten Leerlaufspannung eine Gruppe-III/V-Emitterschicht mit dünner Grenzschicht, die durch epitaxiale Beschichtung oder Diffusion gebildet wird und auf die anschließend durch epitaxiale Beschichtung SixGe1-x absiviert wird.