公开(公告)号：CA2783380A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：CA2783380

申请日：2011-02-16

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L21/304 ,  B28D5/00

Abstract: A method for spalling a layer from an ingot of a semiconductor substrate includes forming a metal layer on the ingot of the semiconductor substrate, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the ingot; and removing the layer from the ingot at the fracture. A system for spalling a layer from an ingot of a semiconductor substrate includes a metal layer formed on the ingot of the semiconductor substrate, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the ingot, and wherein the layer is configured to be removed from the ingot at the fracture.

公开(公告)号：DE102016204362B4

公开(公告)日：2021-04-15

申请号：DE102016204362

申请日：2016-03-16

Applicant: IBM

Inventor： FOGEL KEITH E ,  KIM JEEHWAN ,  LI NING ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/54

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Einheit, das aufweist:Bereitstellen einer Struktur einer lichtemittierenden Diode (LED) (5), die sich auf einem lichtdurchlässigen Substrat (10) befindet;Bilden einer metallhaltigen Schicht (15) auf einer Oberfläche des lichtdurchlässigen Substrats;Tempern der metallhaltigen Schicht, um eine Mehrzahl von Metallpartikeln (P1, 20) bereitzustellen;Ätzen freiliegender Teile des lichtdurchlässigen Substrats unter Verwendung der Mehrzahl von Metallpartikeln als Ätzmaske, um eine strukturierte Oberfläche mit einer Mehrzahl von Merkmalen (30) zu bilden, die in der Abmessung vergleichbar sind mit einer Wellenlänge von Licht, das von der LED-Struktur erzeugt wird; undEntfernen der Mehrzahl von Metallpartikeln,wobei die LED-Struktur ein lichtemittierendes aktives Element einer organischen lichtemittierenden Diode (OLED) aufweist,wobei das lichtemittierende aktive Element der OLED aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus Polyacetylenen (PA), Polyanilinen (PANI), Polypyrrolen (PPy), Polythiophenen (PT), Poly-para-phenylenen (PPP), Poly-para-phenylen-vinylenen (PPV), Oligoacenen, Oligothiophenen, Triarylaminen, Oligo-para-phenylenen, N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidin (C44H32N2) (NPB), 2-TNATA,4,4',4"-Tris-(N-naphthylen-2-yl)-N-phenylamin)triphenylamin (C66H48N4) (TNATA), Tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amin (C54H36N4) (TCTA), 1,3,5-tris[4-(diphenylamino)phenyl]-benzen (TDAPB), TDATA, Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium (Al(C9H6NO)3), (Alq3), Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminium (C32H25AlN2O3) (Balq), 4,4'-Bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl (C36H24N2) (CBP) und Kombinationen davon besteht, undwobei die metallhaltige Schicht Sn, Pb, Sb, Bi oder Kombinationen davon aufweist.

公开(公告)号：DE102012210875B4

公开(公告)日：2019-01-03

申请号：DE102012210875

申请日：2012-06-26

Applicant: IBM

Inventor： FOGEL KEITH E ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Photovoltaikeinheit, das umfasst:Bilden (204) einer Mehrzahl von Säulenstrukturen (104) in einem Substrat (102);Bilden (206) einer ersten Elektrodenschicht (106) auf den Säulenstrukturen (104);Bilden (208) eines durchgehenden Photovoltaikstapels (108) einschließlich einer n-leitenden Schicht, einer p-leitenden Schicht und einer intrinsischen Schicht auf der ersten Elektrodenschicht (106);Abscheiden (212) einer zweiten Elektrodenschicht (110) über dem Photovoltaikstapel (108), so dass in der zweiten Elektrodenschicht (110) zwischen den Säulenstrukturen (104) Lücken oder Spalten (112) auftreten; undNassätzen (216) der zweiten Elektrodenschicht (110) um die Lücken oder Spalten (112) zu öffnen und die zweite Elektrodenschicht (110) zu reduzieren, um eine dreidimensionale Elektrode mit gleichmäßiger Dicke über dem Photovoltaikstapel (108) zu bilden.

公开(公告)号：DE102012209708B4

公开(公告)日：2016-03-31

申请号：DE102012209708

申请日：2012-06-11

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/304 ,  H01L31/18

Abstract: Verfahren zur gesteuerten Schichtübertragung, das folgende Schritte umfasst: Bereitstellen einer Zugspannungsschicht auf einem Basissubstrat mit einer oberen Oberfläche und einer unteren Oberfläche und Seitenwandrändern, wobei die Zugspannungsschicht einen Zugspannungsschichtteil, der oberhalb einer oberen Oberfläche des Basissubstrats angeordnet ist, und einen selbsthaftenden Zugspannungsschichtteil aufweist, der vertikal an den Seitenwandrändern des Basissubstrats anliegt; Aufbringen eines Abspalthemmers oberhalb des Zugspannungsschichtteils der Zugspannungsschicht; Trennen des selbsthaftenden Zugspannungsschichtteils der Zugspannungsschicht von dem Zugspannungsschichtteil; Abspalten eines Teils des Basissubstrats unterhalb des Zugspannungsschichtteils, wobei das Abspalten das Verschieben des Abspalthemmers über die Oberseite des Zugspannungsschichtteils beinhaltet; und Entfernen des Zugspannungsschichtteils von der Oberseite eines abgespaltenen Teils des Basissubstrats.

公开(公告)号：DE102014116231A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：DE102014116231

申请日：2014-11-07

Applicant: IBM

Inventor： BAYRAM CAN ,  BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  OTT JOHN A ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/30

Abstract: Eine Abspalt-Ablösungsebene wird in eine Gruppe-III-Nitrid-Materialschicht eingebettet gebildet. Die Abspalt-Ablösungsebene umfasst ein Material, welches eine andere Spannung, eine andere Struktur und eine andere Zusammensetzung als die Abschnitte der Gruppe-III-Nitrid-Materialschicht aufweist, welche die Gruppe-III-Nitrid-Materialschicht bereitstellen und die Abspalt-Ablösungsebene einbetten. Die Abspalt-Ablösungsebene stellt eine Region einer geschwächten Materialebene innerhalb der Gruppe-III-Nitrid-Materialschicht bereit, welche während eines anschließend durchgeführten Abspaltverfahrens verwendet werden kann, um einen der Abschnitte des Gruppe-III-Nitridmaterials von der ursprünglichen Gruppe-III-Nitrid-Materialschicht abzulösen. Speziell tritt während des Abspaltverfahrens innerhalb der Abspalt-Ablösungsebene, die in die ursprüngliche Gruppe-III-Nitrid-Materialschicht eingebettet ist, ein Beginn und eine Fortpflanzung von Rissen auf.

公开(公告)号：GB2504430A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：GB201320003

申请日：2012-06-05

Applicant: IBM

Inventor： ABOU-KANDIL AHMED ,  FOGEL KEITH E ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/077 ,  H01L31/18

Abstract: A photovoltaic device and method for fabricating a photovoltaic device include forming a light-absorbing semiconductor structure on a transmissive substrate including a first doped layer (406) and forming an intrinsic layer (410) on the first doped layer, wherein the intrinsic layer includes an amorphous material. The intrinsic layer is treated (412) with a plasma to form seed sites. A first tunnel junction layer is formed (414) on the intrinsic layer by growing microcrystals from the seed sites.

公开(公告)号：DE102012212447A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：DE102012212447

申请日：2012-07-17

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  HEKMATSHOAR-TABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/302 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0687

Abstract: Ein Verfahren zur Bildung einer Photovoltaikeinheit beinhaltet das Verbinden eines Substrate mit einer germaniumhaltigen Halbleiterschicht mittels einer Zugspannungsschicht, wobei die Zugspannungsschicht die germaniumhaltige Halbleiterschicht spaltet. Auf einer Spaltfläche der germaniumhaltigen Halbleiterschicht wird mindestens eine Halbleiterschicht gebildet, deren Leitungstyp dem Zeitungstyp der germaniumhaltigen Halbleiterschicht entgegengesetzt ist, um eine erste Solarzelle bereitzustellen. Die erste Solarzelle absorbiert einen ersten Wellenlängenbereich. Auf der ersten Solarzelle wird mindestens eine zweite Solarzelle gebildet, wobei die mindestens eine zweite Solarzelle aus mindestens einem Halbleitermaterial besteht, um einen zweiten Wellenlängenbereich zu absorbieren, der von dem durch die erste Solarzelle absorbierten ersten Wellenlängenbereich verschieden ist.

公开(公告)号：DE102016204362A1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：DE102016204362

申请日：2016-03-16

Applicant: IBM

Inventor： FOGEL KEITH E ,  KIM JEEHWAN ,  LI NING ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L51/56 ,  H01L33/22 ,  H01L51/54

Abstract: Eine Einheit mit einer lichtemittierenden Diode (LED), die eine Struktur einer lichtemittierenden Diode (LED) beinhaltet, sowie ein lichtdurchlässiges Substrat, das mit der LED-Struktur in Kontakt steht. Das lichtdurchlässige Substrat weist eine Strukturoberfläche auf, die so angepasst wird, dass sie Elemente mit Abmessungen beinhaltet, die größer als eine Wellenlänge von Licht sind, das von der LED-Struktur erzeugt wird. Bei einigen Ausführungsformen verbessert eine Erhöhung der Elementgröße der Struktur, um vergleichbar mit der Wellenlänge von Licht zu sein, das von der LED erzeugt wird, die Lichtauskopplung aus der LED im Vergleich zu dem Fall, in dem die Elementgröße der Struktur wesentlich kleiner oder wesentlich größer als die Lichtwellenlänge ist.

公开(公告)号：GB2490606B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：GB201208994

申请日：2011-02-16

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18

Abstract: A method for spalling a layer from an ingot of a semiconductor substrate includes forming a metal layer on the ingot of the semiconductor substrate, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the ingot; and removing the layer from the ingot at the fracture. A system for spalling a layer from an ingot of a semiconductor substrate includes a metal layer formed on the ingot of the semiconductor substrate, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the ingot, and wherein the layer is configured to be removed from the ingot at the fracture.

公开(公告)号：GB2504430B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：GB201320003

申请日：2012-06-05

Applicant: IBM

Inventor： ABOU-KANDIL AHMED ,  FOGEL KEITH E ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/077 ,  H01L31/18

Abstract: A photovoltaic device and method for fabricating a photovoltaic device include forming a light-absorbing semiconductor structure on a transmissive substrate including a first doped layer and forming an intrinsic layer on the first doped layer, wherein the intrinsic layer includes an amorphous material. The intrinsic layer is treated with a plasma to form seed sites. A first tunnel junction layer is formed on the intrinsic layer by growing microcrystals from the seed sites.