公开(公告)号：DE102004005775B4

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：DE102004005775

申请日：2004-02-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  FALCK ELMAR ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHMIDT GERHARD ,  HIRLER FRANZ

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE50012821D1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：DE50012821

申请日：2000-02-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD

IPC: H04M9/08

Abstract: Device and method for noise suppression in telephone equipment, in particular with hands-free equipment, having a level discriminator, an additional filter with a group propagation time of less than 2 ms being inserted into the transmission and receiving paths of the telephone equipment.

公开(公告)号：DE102015110439B4

公开(公告)日：2021-10-14

申请号：DE102015110439

申请日：2015-06-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD

IPC: H01L29/167 ,  H01L21/265 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:einen einkristallinen Halbleiterkörper (100) mit einer ersten Oberfläche (101) und einer zweiten Oberfläche (102) parallel zu der ersten Oberfläche (101), wobei der Halbleiterkörper (100) Chalkogenatome und eine Hintergrunddotierung von Pnictogenatomen enthält, wobei eine Konzentration der Chalkogenatome wenigstens 1E12 cm-3beträgt und ein Verhältnis der Chalkogenatome zu den Pnictogenatomen der Hintergrunddotierung in einem Bereich von 1:9 bis 9:1 liegt,wobei der Halbleiterkörper (10) eine Driftzone (121) aufweist, wobei sich die Driftzone (121) parallel zu der ersten Oberfläche (101) erstreckt und beabstandet von beiden ersten und zweiten Oberflächen (101, 102) ist, und wobei eine effektive Dotierstoffkonzentration in der Driftzone (121) definiert ist durch das Verhältnis der Chalkogenatome zu den Pnictogenatomen der Hintergrunddotierung in einem Bereich von 1:9 bis 9:1.

公开(公告)号：DE102018121897A1

公开(公告)日：2020-03-12

申请号：DE102018121897

申请日：2018-09-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAHN MARKUS ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  MAIER CHRISTIAN ,  KOCH PHILIPP SEBASTIAN ,  HUMBEL OLIVER ,  KOPROWSKI ANGELIKA ,  SCHMIDT GERHARD

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/302 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/76 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst einen Halbleiterkörper (100) und einen ersten Bereich (410), der Silizium und Stickstoff enthält. Der erste Bereich (410) ist mit dem Halbleiterkörper (100) in direktem Kontakt. Ein zweiter Bereich (420), der Silizium und Stickstoff enthält, ist mit dem ersten Bereich (410) in direktem Kontakt. Der erste Bereich (410) liegt zwischen dem Halbleiterkörper (100) und dem zweiten Bereich (420). Ein durchschnittlicher Siliziumgehalt im ersten Bereich (410) ist höher als im zweiten Bereich (420).

公开(公告)号：DE102015111997A1

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：DE102015111997

申请日：2015-07-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FALCK ELMAR ,  BUCHHOLZ KARIN ,  DAINESE MATTEO ,  SCHMIDT GERHARD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  UMBACH FRANK

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/739 ,  H01L29/772 ,  H01L29/861

Abstract: Ein Halbleiterbauelement besitzt einen Halbleiterkörper (100), der entgegengesetzte Unterseiten (102) und Oberseiten (101) aufweist, eine Oberfläche (103), die den Halbleiterkörper (100) umgibt, ein aktives Halbleitergebiet (101), das in dem Halbleiterkörper (100) ausgebildet ist, ein Randgebiet, das das aktive Halbleitergebiet (110) umgibt, eine erste Halbleiterzone (121) von einem ersten Leitungstyp (n), das in dem Randgebiet (120) ausgebildet ist, und eine Randabschlussstruktur (20), die in dem Randgebiet (120) an der Oberseite (101) ausgebildet ist, und eine Abschirmstruktur (40, 50), die auf der der Unterseite (102) abgewandten Seite der Randabschlussstruktur (20) angeordnet ist. Die Abschirmstruktur (40, 50) besitzt eine Anzahl von N1 ≥ 2 ersten Segmenten (40), und eine Anzahl von N2 ≥ 1 zweiten Segmenten (50). Ein jedes der ersten Segmente (40) ist mit jedem der anderen ersten Segmente (40) und mit jedem der zweiten Segmente (50) elektrisch verbunden, und jedes der zweiten Segmente (50) besitzt einen spezifischen elektrischen Widerstand, der höher ist, als ein spezifischer elektrischer Widerstand eines jeden der ersten Segmente (40).

公开(公告)号：DE102013217225A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：DE102013217225

申请日：2013-08-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOPROWSKI ANGELIKA ,  MONAYAKUL SIRINPA ,  SCHMIDT GERHARD ,  BAUER JOSEF-GEORG ,  SCHAEFFER CARSTEN ,  HUMBEL OLIVER

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/283 ,  H01L23/485 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Beschrieben wird ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements. Das Halbleiterbauelement umfasst: einen Halbleiterkörper (100), der eine erste Oberfläche (101) aufweist; eine Kontaktelektrode (21), die auf der ersten Oberfläche (101) angeordnet ist; und eine Passivierungsschicht (30) auf der ersten Oberfläche benachbart zu der Kontaktelektrode (21), wobei die Passivierungsschicht (30) einen Schichtstapel mit einer amorphen semi-isolierenden Schicht (31) auf der ersten Oberfläche (101), eine erste Nitridschicht (32) auf der amorphen semi-isolierenden Schicht (31) und eine zweite Nitridschicht (34) auf der ersten Nitridschicht (32) aufweist.

公开(公告)号：DE102005004355B4

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：DE102005004355

申请日：2005-01-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/328 ,  H01L21/336 ,  H01L29/73 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: The device has a semiconductor material region and a transition region which is arranged between the edge region and the active region of the material region. A p-type transition doping region (40,VLD) is provided in the transition region. The doping in the transient doping region of the device or a part of the device, is compensated while doping in the compensation doping region near the surface of the device. An independent claim is also included for a method for manufacturing a semiconductor device.

公开(公告)号：DE102005038260B3

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：DE102005038260

申请日：2005-08-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739

Abstract: A semiconductor component comprises a doped body (23) with a cell field (35) and edge (36) regions between front and rear contacts (21,22), an oppositely doped emitter zone (24), blocking pn junction and edge zone (37) so oppositely doped as to give a breakthrough place outside the edge zone. The edge zone is spaced from the emitter and divided into at least two sub-zones (38,39), and there is a passivation layer (42) of semi-insulating material on the edge zone. An independent claim is also included for a production process for the above.

公开(公告)号：DE102005047105B3

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：DE102005047105

申请日：2005-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD ,  SCHIFFER THORSTEN T ,  TRATTER EDGAR

IPC: H01L21/66 ,  G01N21/21 ,  H01L23/29

Abstract: Determining the dopant content of a doped amorphous semiconductor layer (10) on a carrier (1) comprises preparing a reference Tauc curve relating dopant concentration to the slope (b) of the linear region. The square root of the product of absorption coefficient (alpha ) and photon energy (E) (y axis) is plotted against photon energy and the slope (b) equals delta y/delta (E -Et) where Et is the band gap. The plot is repeated for the dopant layer to be tested using spectral ellipsometry, the slope (b) is found and thus the dopant concentration.

公开(公告)号：DE102019110330A1

公开(公告)日：2020-10-22

申请号：DE102019110330

申请日：2019-04-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD ,  FALCK ELMAR

IPC: H01L29/06 ,  H01L23/29 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Halbleiterbauelement wird beschrieben. Das Halbleiterbauelement umfasst: einen Halbleiterkörper (100) mit einer ersten Hauptoberfläche (101) einer Randoberfläche (103), einem Innengebiet (110) und einem Randgebiet (120), das zwischen dem Innengebiet (110) und dem Randgebiet (103) angeordnet ist; ein erstes Halbleitergebiet (11) eines ersten Dotierungstyps, das in dem Innengebiet (110) angeordnet ist, und ein zweites Halbleitergebiet (12) eines zweiten Dotierungstyps, das in dem Innengebiet (110) und dem Randgebiet (120) angeordnet ist, wobei ein pn-Übergang (12) zwischen dem ersten Halbleitergebiet (11) und dem zweiten Halbleitergebiet (21) gebildet ist; und eine Randabschlussstruktur (30). Die Randabschlussstruktur umfasst ein drittes Halbleitergebiet (31) des ersten Dotierungstyps, das in dem Randgebiet (120) angeordnet ist und an das erste Halbleitergebiet (11) angrenzt, wobei eine Dotierungsdosis des dritten Halbleitergebiets (31) in Richtung der Randoberfläche (103) abnimmt; einen Oberflächenabschnitt (33) des zweiten Halbleitergebiets (21), der an die erste Hauptoberfläche (101) angrenzt; und eine amorphe Passivierungsschicht (32) mit einem spezifischen Widerstand höher als 109Ωcm, das auf der ersten Hauptoberfläche (101) gebildet ist und das an das dritte Halbleitergebiet (31) und den Oberflächenabschnitt (33) des zweiten Halbleitergebiets (21) angrenzt. Die Randabschlussstruktur (30) hat eine Breite (w30) in dem Halbleiterkörper (100) in der lateralen Richtung, und eine elektrisch aktive Dotierungsdosis des dritten Halbleitergebiets (31) an einer lateralen Position (x1), die um 50% der Breite (w30) der Randabschlussstruktur (30) von dem ersten Halbleitergebiet (11) beabstandet ist, ist wenigstens QBR/q, wobei QBRdie Durchbruchsladung des Halbleitermaterials des Halbleiterkörpers (100) ist und q die Elementarladung ist.