公开(公告)号：DE102009008504B4

公开(公告)日：2014-07-10

申请号：DE102009008504

申请日：2009-02-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SMORODIN TOBIAS ,  STECHER MATTHIAS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L23/482 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: Halbleiterbauelement (100), das folgende Merkmale aufweist: eine aktive Region (30) in einem Halbleitersubstrat (32), die eine erste Anschlussregion und eine zweite Anschlussregion aufweist, wobei die aktive Region (30) durch eine inaktive Region (34) unterbrochen ist, wobei eine Dissipation elektrischer Leistung in der inaktiven Region (34) null beträgt oder geringer als eine Dissipation elektrischer Leistung in der aktiven Region (30) ist; und eine Metallisierungsschicht (10), die bezüglich einer aktiven Region (30) an einer Oberfläche des Halbleiterbauelements (100) angeordnet ist und den aktiven Bereich (30) zumindest zum Teil überlappt, wobei die Metallisierungsschicht (10) in einen ersten Teil, der sich in elektrischem Kontakt mit der ersten Anschlussregion befindet, und einen zweiten Teil unterteilt ist, der sich in elektrischem Kontakt mit der zweiten Anschlussregion befindet, wobei der erste und der zweite Teil durch einen Zwischenraum (9) getrennt sind; und wobei der Zwischenraum (9) und die inaktive Region (34) zueinander so angeordnet sind, dass eine Dissipation elektrischer Leistung unterhalb des Zwischenraums (9) verglichen mit einer Dissipation elektrischer Leistung unterhalb des ersten Teils und des zweiten Teils der Metallisierungsschicht (10) verringert ist.

公开(公告)号：DE102012109164A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：DE102012109164

申请日：2012-09-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KERBER MARTIN ,  STECHER MATTHIAS

IPC: H01L23/528 ,  H01F27/00 ,  H01L21/768

Abstract: Eine oder mehrere Ausführungsformen betreffen eine Halbleiterstruktur, die aufweist: ein leitfähiges Merkmal; einen äußeren Schutzring; und einen inneren Schutzring zwischen dem äußeren Schutzring und dem leitfähigen Merkmal, wobei der innere Schutzring mit dem leitfähigen Merkmal elektrisch verbunden ist.

公开(公告)号：DE102006044691A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：DE102006044691

申请日：2006-09-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOSSEINI KHALIL ,  STECHER MATTHIAS

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/482

Abstract: An electronic device and method for production is disclosed. One embodiment provides an integrated component having a first layer which is composed of copper or a copper alloy or which contains copper or a copper alloy, and having an electrically conductive second layer, whose material differs from the material of the first layer, and a connection apparatus which is arranged on the first layer and on the second layer.

公开(公告)号：DE102006033319A1

公开(公告)日：2008-01-24

申请号：DE102006033319

申请日：2006-07-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  HOEGLAUER JOSEF ,  STECHER MATTHIAS

IPC: H01L23/58 ,  H01L21/50 ,  H01L23/04 ,  H01L23/36 ,  H01L23/552

Abstract: A semiconductor component of semiconductor chip size includes a semiconductor chip. The semiconductor chip has a metallic coating that completely covers the side edges, the rear side and the top side, on which surface-mountable external contacts are arranged. One embodiment includes power semiconductor components, wherein the metallic coating connects a rear side electrode to one of the surface-mountable external contacts on the top side of a power semiconductor chip.

公开(公告)号：DE10360513A1

公开(公告)日：2005-07-28

申请号：DE10360513

申请日：2003-12-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STECHER MATTHIAS

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/367 ,  H01L23/522 ,  H01L27/085 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

Abstract: An integrated semiconductor circuit chip comprises at least one DMOS power transistor whose electrodes pass vertically to contact thick conductive metal rails (6,7) on the surface and comprise metallization planes giving thick high-current heat-conductive, HS-WL, layers (10-12) with large surface contact regions (A1-A3).

公开(公告)号：DE10014659C2

公开(公告)日：2002-08-01

申请号：DE10014659

申请日：2000-03-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： VIETZKE DIRK ,  STECHER MATTHIAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  PERI HERMANN ,  NELLE PETER ,  PLOSS REINHARD ,  KANERT WERNER

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/088 ,  H01L29/32 ,  H01L29/78 ,  H01L27/08 ,  H01L23/58 ,  H01L29/06

公开(公告)号：DE102020110001A1

公开(公告)日：2021-10-14

申请号：DE102020110001

申请日：2020-04-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STECHER MATTHIAS ,  GRUBER HERMANN ,  HINDERER THORSTEN

IPC: H01L23/58 ,  G01R31/26 ,  H01L27/06

Abstract: Es wird eine Vorrichtung mit einer ersten Spannungsdomäne und einer zweiten Spannungsdomäne bereitgestellt, die durch eine Isolationsbarriere getrennt sind. Zudem umfasst die Vorrichtung eine Kratzerdetektionsschaltung, die eine erste und eine zweite Elektrode in einem Abstand kleiner als 2 µm umfasst.

公开(公告)号：DE102006033319B4

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：DE102006033319

申请日：2006-07-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  HOEGLAUER JOSEF ,  STECHER MATTHIAS

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78 ,  H01L23/36 ,  H01L23/58

公开(公告)号：DE102008046388A1

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：DE102008046388

申请日：2008-09-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STECHER MATTHIAS

IPC: H01L29/732 ,  H01L21/331

Abstract: The vertical bipolar transistor has a collecting region (400), and a collector connecting trench (430) for fixing the collecting region. The collector connecting trench is filled with an electrically conductive filling material (431). A doping region (432) is partly formed within a region of a side wall of the collector connecting trench. An independent claim is included for a method for manufacturing a PNP transistor.

公开(公告)号：DE102007015295A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：DE102007015295

申请日：2007-03-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEYERS JOACHIM ,  STECHER MATTHIAS

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/62 ,  H01L25/18