公开(公告)号：WO02075819A3

公开(公告)日：2003-04-17

申请号：PCT/DE0200943

申请日：2002-03-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ULRICH JACOB ,  KRAEUTER GERTRUD ,  PLOESSL ANDREAS

Inventor： ULRICH JACOB ,  KRAEUTER GERTRUD ,  PLOESSL ANDREAS

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L33/54 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L33/54 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to a radiation-emitting semiconductor component comprising a layered structure (30) containing an active layer (32) which, when in operation, emits radiation of a spectral distribution (60), and electrical contacts (36,38,40,56) for impressing a current in the layered structure (30). Said component comprises an anti-reflection coating (34,44,54) which at least partially surrounds the active layer (32) and retains a short-wave part of the emitted radiation (60).

Abstract translation: 用含有用于施加电流到所述活性层（32）发射在操作辐射的光谱分布（60），以及电触点（36,38,40,56）的层结构（30）的辐射的半导体器件 层结构（30）具有的活性层（32）至少部分地包围涂层（34,44,54），其阻碍了所发射的辐射（60）的短波分量。

公开(公告)号：DE102011116752A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：DE102011116752

申请日：2011-10-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WINDISCH REINER ,  CUI HAILING ,  KRAEUTER GERTRUD ,  SCHNEIDER MARKUS

IPC: H01L33/50

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) umfasst dieses einen optoelektronischen Halbleiterchip (2). Das Halbleiterbauteil (1) beinhaltet ein Konversionselement (3), das dazu eingerichtet ist, mindestens einen Teil einer vom Halbleiterchip (2) emittierten Strahlung in eine Strahlung einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Das Konversionselement (3) weist mindestens einen Leuchtstoff und Streupartikel auf sowie zumindest ein Matrixmaterial. Die Streupartikel sind in das Matrixmaterial eingebettet. Ein Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial und einem Material der Streupartikel beträgt bei einer Temperatur von 300 K höchstens 0,15. Der Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial und dem Material der Streupartikel ist bei einer Temperatur von 380 K größer als bei einer Temperatur von 300 K.

公开(公告)号：DE102011100457A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：DE102011100457

申请日：2011-05-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KRAEUTER GERTRUD ,  PLOESL ANDREAS ,  RITZHAUPT-KLEISSL EBERHARD DR

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein elektronisches Bauteil angegeben. Das elektronische Bauteil weist ein Trägerelement (3), eine Verbindungsstruktur (6) auf dem Trägerelement (3) und einen Halbleiterchip (1) auf der Verbindungsstruktur (6) auf. Die Verbindungsstruktur (6) weist eine Metallfolie (2) mit einer vorderseitigen und einer rückseitigen Oberfläche (205, 206) auf. Gemäß einem Aspekt ist vorderseitige Oberfläche (205) derart geformt, dass sie stellenweise den Halbleiterchip (1) berührt und stellenweise von dem Halbleiterchip (1) beabstandet ist. Gemäß einem anderen Aspekt ist die rückseitige Oberfläche (206) derart geformt, dass sie stellenweise das Trägerelement (3) berührt und stellenweise von dem Trägerelement (3) beabstandet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zum Herstellen eines solchen elektronischen Bauteils angegeben.

公开(公告)号：DE102009058006A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：DE102009058006

申请日：2009-12-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KRAEUTER GERTRUD ,  BARCHMANN BERND ,  BERGENEK KRISTER ,  RAMCHEN JOHANN ,  ZITZLSPERGER MICHAEL

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/60

公开(公告)号：DE102009033287A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：DE102009033287

申请日：2009-07-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KRAEUTER GERTRUD

IPC: H01L33/60

Abstract: Es wird eine Leuchtdiode angegeben, mit - einem Träger (1), der eine Montagefläche (1a) aufweist, - wenigstens einem Leuchtdiodenchip (2, 2a, 2b, 2c), der an der Montagefläche (1a) befestigt ist, und - einem reflektierenden Element (3), das zur Reflexion von elektromagnetischer Strahlung (4) vorgesehen ist, wobei - das reflektierende Element (3) am Träger (1) befestigt ist und - das reflektierende Element (3) poröses Polytetrafluorethylen umfasst.

公开(公告)号：DE102008052751A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：DE102008052751

申请日：2008-10-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KRAEUTER GERTRUD

IPC: H01L33/00

Abstract: A method is provided for producing a luminescence conversion element (4), in particular for an optoelectronic component. In the method a raw material (1) is provided, which is intended for further processing to yield the ceramic material and which contains luminescent material particles and a binder material. A blank is molded by injecting the raw material (1) into a closed mold (3). The blank is released from the mold (3). The binder material is removed from the blank. The blank is sintered to yield the luminescence conversion element (4), wherein the luminescent material particles are bonded together and/or with further particles of the raw material to yield the ceramic material. A luminescence conversion element and an optoelectronic component are additionally provided.

公开(公告)号：DE502007002602D1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：DE502007002602

申请日：2007-08-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KRAEUTER GERTRUD

IPC: G02B1/10 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60

Abstract: The element has an optics body (2), which contains a plastic material such as thermoplastic material, where the optics body is encased completely by a protection layer (3), which contains silicon oxide. The protection layer exhibits a thickness, which is smaller than wavelength of electromagnetic radiation to which optical influence of the optics body is provided. The protection layer is provided as a diffusion barrier against penetration of humidity into the optics body. An independent claim is also included for an optoelectronic component with the optical element.

公开(公告)号：DE102005036520A1

公开(公告)日：2006-11-09

申请号：DE102005036520

申请日：2005-08-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KRAEUTER GERTRUD ,  PLOESL ANDREAS

IPC: G02B1/04 ,  B29D11/00 ,  G02B6/42 ,  H01L31/0232 ,  H01L33/48 ,  H01L33/58

Abstract: The invention relates to an optical element ( 1, 25 ) having a defined shape and comprising a thermoplastic material that has been further cross-linked during or following the shaping thereof. Such thermoplastic materials have an increased heat deflection temperature, distortion, but can be easily and economically shaped before the additional cross-linking as a result of the thermoplastic properties thereof.

公开(公告)号：DE10310844A1

公开(公告)日：2004-09-30

申请号：DE10310844

申请日：2003-03-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRUNNER HERBERT ,  ZEILER MARKUS ,  HOEFER THOMAS ,  KRAEUTER GERTRUD

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/057 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/00

公开(公告)号：DE10153259A1

公开(公告)日：2003-05-22

申请号：DE10153259

申请日：2001-10-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BOGNER GEORG ,  BRUNNER HERBERT ,  KRAEUTER GERTRUD ,  WAITL GUENTER

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/60 ,  H01L33/00

Abstract: Optoelectronic component, having a housing body (2), an optoelectronic semiconductor chip (3) arranged in a recess (6) of the housing body, and having electrical terminals (1A, 1B), the semiconductor chip being electrically conductively connected to the electrical terminals of the leadframe. The housing body (2) is formed from an encapsulation material, with a filler which has a high degree of reflection in a wavelength range from the UV range.