公开(公告)号：CN102299067A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110175740.5

申请日：2011-06-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 和田畅弘 ,  小林真 ,  辻本宏 ,  田村纯 ,  直井护 ,  大薮淳

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/04 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32568

Abstract: 本发明提供基板处理方法及基板处理装置。该基板处理方法能对基板实施均匀的等离子处理且能充分地响应一腔室多处理的要求。基板处理装置(10)具有：容纳晶圆(W)的腔室(11)、配置在腔室内、用于载置晶圆的基座(12)、与基座相对配置的上部电极(24)、与基座相连接的第2高频电源(16)，上部电极与接地构件(36)电连接，使上部电极能够相对于基座移动，在上部电极中埋入电介质(26)，将在处理空间(PS)中产生的等离子体与接地构件(36)之间的电位差分割为等离子体与电介质之间的电位差以及电介质与接地构件之间的电位差，而且，通过改变上部电极与基座之间的间隙(G)来改变上部电极与基座之间的等离子体密度。

公开(公告)号：CN100576415C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200610128503.2

申请日：2006-06-09

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 卢俓奉 ,  秦丞佑 ,  李民镛 ,  郑镛洙

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H01L21/425 ,  C30B31/22

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/04 ,  H01J37/3023 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/30483 ,  H01J2237/31703

Abstract: 一种离子注入装置，包括产生离子束的离子束源；布置在离子束路径上的注入能量控制器用于控制离子束的离子注入能量，从而为第一时间周期产生具有第一注入能量的离子束，为第二时间周期产生具有第二注入能量的离子束；加速离子束的束道；以及安装有衬底的终端站，由束道加速的离子束注入到衬底上。

公开(公告)号：CN101490789A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780027484.7

申请日：2007-07-12

Applicant: 阿维扎技术有限公司

Inventor： 加里·普劳德富特 ,  戈登·罗伯特·格林 ,  罗伯特·肯尼思·特罗韦尔

IPC: H01J27/18 ,  H01J37/08

CPC classification number: H01J27/18 ,  H01J27/024 ,  H01J37/04 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/04735 ,  H01J2237/083

Abstract: 本发明涉及离子枪(10)，所述离子枪包括由RF源(12)驱动的等离子发生器(11)、具有输出端(14)的等离子或源腔(13)，穿过输出端(14)安装有加速器格栅(15)。加速器格栅(15)包括四个独立的格栅。最靠近输出端(14)的第一格栅(16)由DC电源(16a)保持正电压，第二格栅(17)由DC电源(17a)保持在强负电压。第三格栅(18)由DC电源(18a)保持在负电压，所述负电压远低于第二格栅(17)，并且第四格栅(19)接地。也描述了安装这些格栅的装置。

公开(公告)号：CN100454145C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200410083264.4

申请日：2004-09-29

Applicant: 株式会社日立高新技术 ,  佳能株式会社

Inventor： 谷本明佳 ,  早田康成 ,  中山义则 ,  上村理 ,  依田晴夫 ,  细田真希

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01J37/3177 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/04 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明提供即便是归因于多射束形成元件的故障等在带电粒子中产生了不良的情况下，也可以进行描绘处理而无须交换多射束形成元件，且不会使描绘精度下降的带电粒子束描绘技术。具有：形成以规定的间隔排列起来的多个带电粒子束的装置，对于多个带电粒子束独立地发挥作用的多个消隐器；对全部上述带电粒子束发挥作用的公用消隐器；在已给公用消隐器施加上了信号的状态下使已借助于多个消隐器赋予了规定的偏转作用的带电粒子束到达被曝光物上边，用来对于样品遮断未借助于多个消隐器赋予规定的偏转作用的带电粒子束的光阑装置，对于样品遮断特性不良的射束，仅仅用特性良好的射束进行描绘。

公开(公告)号：CN101064234A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200610128503.2

申请日：2006-06-09

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 卢俓奉 ,  秦丞佑 ,  李民镛 ,  郑镛洙

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H01L21/425 ,  C30B31/22

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/04 ,  H01J37/3023 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/30483 ,  H01J2237/31703

Abstract: 一种离子注入装置，包括产生离子束的离子束源；布置在离子束路径上的注入能量控制器用于控制离子束的离子注入能量，从而为第一时间周期产生具有第一注入能量的离子束，为第二时间周期产生具有第二注入能量的离子束；加速离子束的束道；以及安装有衬底的终端站，由束道加速的离子束注入到衬底上。

公开(公告)号：CN1607640A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200410083264.4

申请日：2004-09-29

Applicant: 株式会社日立高新技术 ,  佳能株式会社

Inventor： 谷本明佳 ,  早田康成 ,  中山义则 ,  上村理 ,  依田晴夫 ,  细田真希

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01J37/3177 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/04 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明提供即便是归因于多射束形成元件的故障等在带电粒子中产生了不良的情况下，也可以进行描绘处理而无须交换多射束形成元件，且不会使描绘精度下降的带电粒子束描绘技术。具有：形成以规定的间隔排列起来的多个带电粒子束的装置，对于多个带电粒子束独立地发挥作用的多个消隐器；对全部上述带电粒子束发挥作用的公用消隐器；在已给公用消隐器施加上了信号的状态下使已借助于多个消隐器赋予了规定的偏转作用的带电粒子束到达被曝光物上边，用来对于样品遮断未借助于多个消隐器赋予规定的偏转作用的带电粒子束的光阑装置，对于样品遮断特性不良的射束，仅仅用特性良好的射束进行描绘。

公开(公告)号：CN105161393B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201510512550.6

申请日：2004-09-07

Applicant: 卡尔蔡司显微镜有限责任公司 ,  应用材料以色列公司

Inventor： 赖纳·克尼佩梅尔 ,  奥利弗·金茨勒 ,  托马斯·克门 ,  海科·米勒 ,  斯特凡·乌勒曼 ,  马克西米利安·海德尔 ,  安东尼奥·卡萨雷斯 ,  史蒂文·罗杰

IPC: H01J37/09 ,  H01J37/14 ,  H01J37/28 ,  H01J37/317 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01J37/04 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/09 ,  H01J37/10 ,  H01J37/14 ,  H01J37/153 ,  H01J37/28 ,  H01J37/3007 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/0435 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/047 ,  H01J2237/04735 ,  H01J2237/04756 ,  H01J2237/06 ,  H01J2237/14 ,  H01J2237/2817 ,  H01J2237/31774

Abstract: 本发明涉及电子光学排布结构、多电子分束检验系统和方法。该电子光学排布结构提供一次和二次电子束路径，一次束路径用于从一次电子源指向可定位在该排布结构的物面中的物体的一次电子束，二次束路径用于源自物体的二次电子，该结构包括磁体排布结构，其具有：第一磁场区，由一次和二次电子束路径穿过，用于将一次和二次电子束路径相互分开；第二磁场区，布置在第一磁场区的上游的一次电子束路径中，二次电子束路径不穿过第二磁场区，第一和第二磁场区沿基本上相反的方向使一次电子束路径偏转；第三磁场区，布置在第一磁场区的下游的二次电子束路径中，一次电子束路径不穿过第三磁场区，第一和第三磁场区沿基本上相同的方向使二次电子束路径偏转。

公开(公告)号：CN104008943B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201410066714.2

申请日：2014-02-26

Applicant: FEI ,  公司

Inventor： M.马佐斯

IPC: H01J37/21 ,  H01J37/147 ,  H01J37/28 ,  H01J37/10

CPC classification number: H01J37/07 ,  H01J3/026 ,  H01J37/04 ,  H01J37/06 ,  H01J37/10 ,  H01J37/1477 ,  H01J37/21 ,  H01J37/248 ,  H01J37/3056 ,  H01J37/3178 ,  H01J2237/0473 ,  H01J2237/04735 ,  H01J2237/04756 ,  H01J2237/1518 ,  H01J2237/1534 ,  H01J2237/28 ,  H01J2237/31749

Abstract: 本发明提供了一种带电粒子束系统，其中，聚焦离子束柱的中间段被偏置到高负电压，该电压允许该束在比该柱的那个区段内的最终束能量更高的电势下移动。在低kV电势下，减少了色差和库仑相互作用，这使斑点尺寸产生显著改进。

公开(公告)号：CN107134399A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710220775.3

申请日：2017-04-06

Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所

Inventor： 钟新华 ,  孙雪平 ,  胡振东 ,  彭立波 ,  袁卫华

IPC: H01J37/04 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/04

Abstract: 本发明公开了一种用于高能离子注入机的射频加速调谐装置，包括射频电源、调谐控制器、调谐筒和调谐电机，调谐控制器包括调谐控制单元、调谐电机控制单元和谐振状态检测单元，调谐控制单元分别与调谐电机控制单元和谐振状态检测单元相连，调谐电机与调谐电机控制单元相连。本发明的调谐控制方法包括S01、谐振状态检测单元用于检测射频电源的输出信号并发送至调谐控制单元；S02、调谐控制单元用于根据射频电源的输出信号输出控制信号至调谐电机控制单元；S03、调谐电机控制单元根据控制信号控制调谐电机的谐振以使调谐筒处于谐振状态。本发明的用于高能离子注入机的射频加速调谐装置及控制方法均具有操作简便、控制精准等优点。

公开(公告)号：CN106653536A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610584326.2

申请日：2016-07-22

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 王允愈 ,  J·布鲁利

IPC: H01J37/26 ,  H01J37/04

CPC classification number: G01N23/04 ,  G01N2223/03 ,  G01N2223/607 ,  H01J37/26 ,  H01J37/04 ,  H01J2237/0492 ,  H01J2237/1514 ,  H01J2237/2614

Abstract: 本发明公开由暗场电子全像以高解析度产生不失真暗场应变图的方法，具体涉及一种用于测量半导体材料或其它晶体材料的应变的线内暗场全像方法，其使用具有用于使电子射束穿过应变及无应变样本的电子枪的穿透式电子显微镜。于磁倾斜线圈与该样本之间的聚光迷你‑透镜在穿过该对样本之前以一角度增加该射束的偏斜。第一物镜透镜形成各该样本的虚拟影像，而第二物镜透镜将各该样本的该虚拟影像聚焦在中介影像平面，以形成各该样本的中介影像。双棱镜在该样本之间产生形成于该影像平面的干涉图案，接着可观察该干涉图案以判断该应变样本的应变程度，并提供具有最小光学失真的无慧星像差的应变图。