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公开(公告)号：KR1020060032668A
公开(公告)日：2006-04-17
申请号：KR1020067006261
申请日：2002-08-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/4557 , C23C16/14 , C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/45521 , C23C16/45523 , C23C16/45565 , C23C16/45572 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877
Abstract: A gas treating device (1) comprises a treating vessel (2) for applying a treatment to a wafer (W) by using a treating gas, a mounting block (5) disposed in the treating vessel (2) and adapted to have the wafer (W) mounted thereon, a shower head (22) disposed in opposed relation to the wafer (W) on the mounting block (5) and adapted to deliver a treating gas to the treating vessel (2), and an exhaust means (132) for exhausting the treating vessel (2), the shower head (22) having first gas delivery holes(46) opposed to the wafer (W) mounted on the mounting block (5), and second gas delivery holes (47) formed around the first gas delivery holes (46) separately from the first gas delivery holes (46) and adapted to deliver the treating gas around the wafer (W) on the mounting block (5). And, the gas can be uniformly fed to a base plate to apply a uniform gas treatment.
Abstract translation: 气体处理装置（1）包括处理容器（2），用于通过使用处理气体对晶片（W）进行处理，设置在处理容器（2）中的安装块（5）并且适于具有晶片 （W），安装在所述安装块（5）上与所述晶片（W）相对的并适于将处理气体输送到所述处理容器（2）的淋浴头（22）和排气装置（132） ），用于排出处理容器（2）的喷淋头（22），具有与安装在安装块（5）上的晶片（W）相对的第一气体输送孔（46）的喷淋头（22）和形成在第一气体输送孔 所述第一气体输送孔（46）与所述第一气体输送孔（46）分开并且适于将处理气体输送到所述安装块（5）上的所述晶片（W）周围。 并且，可以将气体均匀地供给到基板以进行均匀的气体处理。
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公开(公告)号：KR1020050074506A
公开(公告)日：2005-07-18
申请号：KR1020057007348
申请日：2003-11-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
CPC classification number: G05D16/208
Abstract: A fluid treatment apparatus and a fluid treatment method, the apparatus comprising a treatment container (4) having a loading table (8) for loading a treated body (W) thereon, a gas introducing means (10) introducing treatment gas into the treatment container, treatment gas feed systems (14, 16, 18) feeding specified treatment gases, an inert gas feed system (12) feeding inert gas, a vacuum exhaust system (32) in which a pressure regulating valve (36) allowing a valve opening to be varied and a vacuum pump (38) are installed, and a pressure gauge (48), wherein when a treatment in which the partial pressure of the treatment gas is important is performed, the valve opening of the pressure regulating valve (36) is controlled based on the detected values on the pressure gauge (48) while the treatment gas flows at a specified rate and when a treatment in which the partial pressure of the treatment gas is not so important, the valve opening of the pressure regulating valve (36) is fixed to a specified value and, based on the detected values on the pressure gauge (48), the supplied amount of the inert gas is controlled, whereby even when a plurality of types of the treatments in which the ranges of treatment pressures are largely different from each other are performed, the pressure controls of the treatments can be properly performed.
Abstract translation: 一种流体处理装置和流体处理方法，该装置包括：处理容器（4），具有用于装载处理体（W）的装载台（8）;气体导入装置（10），将处理气体导入处理容器 ，供给特定处理气体的处理气体供给系统（14,16,18），供给惰性气体的惰性气体供给系统（12），真空排气系统（32），其中压力调节阀（36）允许阀打开 改变并安装真空泵38和压力计48，其中当处理气体的分压重要的处理被执行时，压力调节阀36的阀开度为 当处理气体以规定的速度流动时，基于压力计（48）上的检测值进行控制，并且当处理气体的分压不那么重要的处理时，压力调节阀（36）的开阀 ）被固定为a 规定值，并且基于压力计（48）上的检测值，控制惰性气体的供给量，由此即使处理压力范围大大不同的多种处理方式 可以适当地进行处理的压力控制。
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公开(公告)号：KR1020050050116A
公开(公告)日：2005-05-27
申请号：KR1020057005900
申请日：2003-10-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/02
CPC classification number: H01J37/3222 , H01J37/32192
Abstract: A plasma processing system comprising a chamber for containing a substrate being processed, a unit for supplying processing gas into the chamber, and a unit for introducing a microwave for generating plasma into the chamber. The microwave introducing unit comprises an oscillator delivering a plurality of microwaves having specified outputs, and an antenna section having a plurality of antennas transmitting the plurality of microwaves delivered from the microwave oscillator.
Abstract translation: 一种等离子体处理系统，包括用于容纳被处理的基板的室，用于将处理气体供应到所述室中的单元，以及用于将用于产生等离子体的微波引入所述室的单元。 微波引入单元包括：输出具有指定输出的多个微波的振荡器;以及具有多个天线的天线部分，所述多个天线发送从微波振荡器传送的多个微波。
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公开(公告)号：KR1020040017845A
公开(公告)日：2004-02-27
申请号：KR1020047001496
申请日：2002-08-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4557 , C23C16/14 , C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/45521 , C23C16/45523 , C23C16/45565 , C23C16/45572 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877
Abstract: 가스 처리 장치(1)는 처리 가스를 사용하여 웨이퍼(W)에 처리를 실시하는 처리 용기(2)와, 상기 처리 용기(2)내에 배치되어, 웨이퍼(W)가 재치되는 재치대(5)와, 상기 재치대(5)상의 웨이퍼(W)에 대응하여 설치되어, 상기 처리 용기(2)내로 처리 가스를 토출하는 샤워 헤드(shower head)(22)와, 상기 처리 용기(2)내를 배기하는 배기 수단(132)을 구비하고, 상기 샤워 헤드(22)는, 상기 재치대(5)에 재치된 웨이퍼(W)에 대응하여 설치된 제 1 가스 토출 구멍(46)과, 상기 제 1 가스 토출 구멍(46)과는 별개로, 상기 제 1 가스 토출 구멍(46)의 주위에 설치되어, 상기 재치대(5)상의 웨이퍼(W)의 주변부에 처리 가스를 토출하는 제 2 가스 토출 구멍(47)을 갖는다. 그리고, 기판에 대하여 가스를 균일하게 공급하여 균일한 가스 처리를 실시할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020030063479A
公开(公告)日：2003-07-28
申请号：KR1020037008717
申请日：2001-12-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4401 , C23C16/4411 , C23C16/4586 , H01L21/67098 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/68792
Abstract: 본 발명에 따른 처리 용기(102)내에 있어서 가열 수단(108)을 구비한 탑재대(104)에 탑재된 기판을 가열하는 기판 가열 장치는, 제 1 재료로 구성되고, 탑재대를 지지하는 지지부(202)와, 제 1 재료와 열 전도율이 상이한 제 2 재료로 구성되고, 지지부와 처리 용기를 밀봉하는 밀봉부(204)와, 지지부와 밀봉부를 기밀하게 접합하는 접합부(206)를 구비하고 있다. 이러한 구성에 의하면, 상이한 열 전도율을 갖는 제 1 재료와 제 2 재료를 적절하게 선택함으로써, 탑재대의 상부와 하부 사이의 열 구배를 작게 하는 것이 가능해져, 그 결과 탑재대의 지지 구조의 길이를 짧게 하는 것이 가능해진다.
Abstract translation: 本发明的基板加热装置在处理容器102内加热安装在具有加热装置108的安装台104上的基板，该基板加热装置包括由第一材料制成以支撑安装台的支撑部分202，密封部分204 由不同于第一材料的第二材料制成，以密封支撑部分和处理容器;以及接合部分206，用于以气密方式接合支撑部分和密封部分。 利用该构造，通过适当地选择具有不同导热率的第一材料和第二材料，可以减小安装台的顶部和安装台的底部之间的热梯度。 结果，可以缩短安装台的支撑结构的长度。 ＆lt;图像＆GT;
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100313631B1
公开(公告)日：2002-01-15
申请号：KR1019980036271
申请日：1998-09-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
Abstract: 본 발명의 진공 처리 장치는 소정의 진공 상태에서 대상물에 대하여 소정의 처리가 실시되는 처리실과, 처리실내에 설치되어 대상물이 탑재되는 탑재대와, 처리실의 하부에 설치되어, 광원으로서의 복수개의 램프를 갖고, 이들 램프로부터 탑재대를 향하여 조사되는 빛의 열에너지에 의해서 탑재대상의 대상물을 가열하는 램프 유닛과, 램프 유닛에 연결되어 램프 유닛을 회전시키는 회전축과, 회전축을 회전 가능하게 지지하는 축받이와, 회전축과 접촉하는 축받이의 접촉면에 설치되고, 회전축측의 열을 흡수하여 축받이측에 방열함으로써, 램프 유닛의 열을 회전축을 거쳐서 축받이에 이동시키는 서모모듈을 구비하고 있다.
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公开(公告)号：KR100310544B1
公开(公告)日：2001-12-15
申请号：KR1019970045587
申请日：1997-09-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G05D23/19
Abstract: 본 발명에 따른 자동제어장치는, 제어대상(2)의 제어량이 소정의 목표치로 되도록 제어대상(2)의 제어량을 최적 레귤레이터(4)에 의해 제어한다. 이 자동제어장치는, 이득을 설정하기 위한 이득설정부(48)와, 상기 목표치와 상기 제어대상의 제어량을 비교하기 위한 비교부(52) 및, 이 비교부에서 얻어진 차분이 상기 목표치의 소정의 비율의 범위내에 들어간 것에 응답하여 상기 이득설정부의 이득에 소정의 시간내에서 0∼1까지 증가하는 중량부가를 행하여 보정 조작량을 출력하기 위한 중량제어부(50)를 구비하여 구성되고, 이 보정 조작량을 상기 최적 레귤레이터에 의해 구한 조작량에 가산한다. 이에 따라, 한정된 범위내에서만 이득을 점차 크게 한 제어를 행하여 고속으로 고정밀도의 제어를 가능하게 한다.
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公开(公告)号：KR1019990029492A
公开(公告)日：1999-04-26
申请号：KR1019980036271
申请日：1998-09-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
Abstract: 본 발명의 진공 처리 장치는 소정의 진공 상태에서 대상물에 대하여 소정의 처리가 실시되는 처리실과, 처리실내에 설치되어 대상물이 탑재되는 탑재대와, 처리실의 하부에 설치되어, 광원으로서의 복수개의 램프를 갖고, 이들 램프로부터 탑재대를 향하여 조사되는 빛의 열에너지에 의해서 탑재대상의 대상물을 가열하는 램프 유닛과, 램프 유닛에 연결되어 램프 유닛을 회전시키는 회전축과, 회전축을 회전 가능하게 지지하는 축받이와, 회전축과 접촉하는 축받이의 접촉면에 설치되고, 회전축측의 열을 흡수하여 축받이측에 방열함으로써, 램프 유닛의 열을 회전축을 거쳐서 축받이에 이동시키는 서모모듈을 구비하고 있다.
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公开(公告)号：KR1020170051400A
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020170054842
申请日：2017-04-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/3222 , H01J37/32201
Abstract: 마이크로파의파워손실이나이상방전을억제하면서균일한플라즈마를형성할수 있는마이크로파방사안테나, 마이크로파플라즈마원및 플라즈마처리장치를제공한다. 마이크로파전송로를따라전송된마이크로파를챔버내에방사하고, 표면파플라즈마를생성하기위한마이크로파방사안테나(45)로서, 도전체로이루어지는안테나본체(121)와, 안테나본체(121)에각각형성된처리가스도입구(124), 가스확산공간(123) 및복수의가스토출구멍(125)과, 안테나본체(121)에가스확산공간(123) 및가스토출구멍(125)과는분리된상태에서, 마이크로파전송로에대응해서복수형성된슬롯(122)과, 안테나본체(121)의마이크로파방사면측에슬롯형성영역을포함하도록환형상으로설치된환형상유전체부재(126)를갖는다.
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公开(公告)号：KR1020140115978A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：KR1020140028350
申请日：2014-03-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/4401 , B05B1/005 , B05B1/14 , C23C16/452 , H01J37/32192 , H01J37/32293 , H01J37/3244
Abstract: A plasma processing apparatus has a shower plate for introducing gas into a treatment receptacle and generates surface wave plasma by a microwave, such that precursors are prohibited from being accumulated in a gas hole of the shower plate. The plasma processing apparatus includes a treatment receptacle (10) in which a plasma process is performed, and a plasma generating antenna (20) having the shower plate (100) for supplying the first gas and the second gas into the treatment receptacle (10). Thus, the plasma processing apparatus processes a substrate by forming plasma by the surface wave formed on a surface of the shower plate (100) by supplying a microwave. The shower plate (100) includes a plurality of gas holes (133) through which the first gas is supplied into the treatment receptacle (10), and a plurality of supply nozzles (160) located at a position different from that of the gas holes (133) and protruding downwardly from a low surface of the shower plate (100) in a direction perpendicular to the low surface of the shower plate (100) in order to supply the second gas into the treatment receptacle (10).
Abstract translation: 等离子体处理装置具有用于将气体引入处理容器并通过微波产生表面波等离子体的喷淋板，使得前体被禁止积聚在喷淋板的气孔中。 等离子体处理装置包括其中执行等离子体处理的处理容器（10）和具有用于将第一气体和第二气体供应到处理容器（10）中的喷淋板（100）的等离子体产生天线（20） 。 因此，等离子体处理装置通过通过提供微波在形成于淋浴板（100）的表面上的表面波形成等离子体来处理基板。 喷淋板（100）包括多个气体孔（133），第一气体通过该气体供应到处理容器（10）中，并且多个供应喷嘴（160）位于与气孔不同的位置 （133），并且从垂直于喷淋板（100）的低表面的方向从喷淋板（100）的低表面向下突出，以便将第二气体供应到处理容器（10）中。
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