公开(公告)号：KR101123994B1

公开(公告)日：2012-03-23

申请号：KR1020060059168

申请日：2006-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카시마미키오 ,  츠다오사무 ,  가미카와유지

IPC: F28D7/10 ,  F28D7/02 ,  F28D7/00

CPC classification number: F24H1/101 ,  F24H1/162 ,  F28F2245/06

Abstract: 본 발명은 피가열 유체의 종류나 성질에 관계없이, 가열원인 광에너지를 효율적으로 열에너지로 변환하고, 간접적으로 피가열 유체에 열전도하여 유체의 가열 효율의 향상을 도모할 수 있도록 하는 것을 과제로 한다.
할로겐 램프(23)와, 이 할로겐 램프(23)를 포위하고, 일단에 피가열 유체인 세정액의 유입구(24)를 갖고, 타단에 세정액의 유출구(25)를 갖는 유로관(26)을 구비하는 유체 가열 장치에 있어서, 유로관(26)을 서로 근접 또는 접촉하는 복수의 직선형 관(26a)으로 형성하고, 직선형 관(26a)의 표면에서 적어도 할로겐 램프(23)와 대향하는 면에 복사광 흡수 도료인 흑색 도료(27)를 도포한다.

公开(公告)号：KR1020120006446A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：KR1020110063061

申请日：2011-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가미카와유지

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67051

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a computer-readable storage medium are provided to collect raw materials of a fluid in a liquid state with high temperature and high pressure which is supplied to a processing container, thereby reducing the consumption of the raw materials used for a drying process of a substrate to be processed. CONSTITUTION: A heater including a resistive heating body is installed in both up and down surfaces of a processing chamber(31). An upper plate(32) and a lower plate(33) for thermally insulating surrounding atmosphere of the heater are installed in the upper and lower surfaces of the processing chamber. A cooling pipe for cooling plates is arranged in the upper surface of the upper plate and the lower surface of the lower plate. A wafer holder(34) inputs or outputs a received wafer(W) to or from the inside of the processing chamber. A material supply pipe(411) supplies high temperature and high pressure fluids to the processing chamber.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，基板处理方法和计算机可读存储介质，用于收集供给处理容器的高温高压液态的流体的原料，从而降低消耗 用于待处理基材的干燥过程的原料。 构成：包括电阻加热体的加热器安装在处理室（31）的上下表面中。 在处理室的上表面和下表面上安装用于加热器周围环境的隔热的上板（32）和下板（33）。 用于冷却板的冷却管布置在上板的上表面和下板的下表面中。 晶片保持器（34）将接收的晶片（W）输入或输出到处理室的内部或从处理室的内部输出。 供料管（411）向处理室供应高温高压流体。

公开(公告)号：KR1020100044096A

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：KR1020090097794

申请日：2009-10-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/67051

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus and a substrate processing method are provided to remove the resist residue from the surface of a substrate using sulfuric acid. CONSTITUTION: A substrate processing apparatus includes a process bath(10), a process container(5), an elevation unit(31) and a mist supply unit(40). A first processing solution(1) and a second processing solution are prepared. The first processing solution includes sulfuric acid. The first processing solution with a higher temperature than a room temperature is contained in the process bath. A liquid phase film, which is composed of the first processing solution, is formed on a substrate in the process bath. The elevation unit elevates the substrate between the process bath and the process container. The second solution is water or includes peroxide. A mist supply unit supplies a mist type second solution on the liquid film.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置和基板处理方法，以使用硫酸从基板表面去除抗蚀剂残留物。 构成：基板处理装置包括处理槽（10），处理容器（5），升降单元（31）和雾供给单元（40）。 制备第一处理溶液（1）和第二处理溶液。 第一种处理方案包括硫酸。 处理浴中含有温度高于室温的第一种处理溶液。 在处理槽中的基板上形成由第一处理液构成的液相膜。 升降单元将基板升高到处理槽和处理容器之间。 第二种溶液是水或包括过氧化物。 雾供应单元在液膜上提供雾状第二溶液。

公开(公告)号：KR1020090105825A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：KR1020090025416

申请日：2009-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가미카와유지

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/02

CPC classification number: G05D7/0635 ,  H01L21/67253

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a recording medium are provided to supply the processing liquid with stable property. CONSTITUTION: A substrate processing apparatus(100) includes a plurality of processors(22-1 to 22-6), a processing liquid supply tube(210), and a flow controller(220). The plurality of processors processes the liquid on the substrate. The processing liquid supply tube supplies the processing liquid to the processors. The flow controller increases or decreases the flow of the processing liquid inside the processing liquid supply tube according to the number of the processors. The flux controller increases the flow of the processing liquid inside the processing liquid supply tube before the processor is operated.

Abstract translation: 目的：提供基板处理装置，基板处理方法和记录介质，以便为处理液提供稳定的性能。 构成：衬底处理装置（100）包括多个处理器（22-1至22-6），处理液供应管（210）和流量控制器（220）。 多个处理器处理基板上的液体。 处理液供给管将处理液供给处理器。 流量控制器根据处理器的数量增加或减少处理液体供给管内的处理液体的流动。 助焊剂控制器在操作处理器之前增加处理液体供给管内的处理液体的流动。

公开(公告)号：KR1020080035489A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：KR1020070105089

申请日：2007-10-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카히로시 ,  햐쿠타케히로노부 ,  가미카와유지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/677 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67057 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67757 ,  H01L21/68707 ,  Y10S414/141

Abstract: A liquid processing apparatus, a liquid processing method, and a storage medium having a liquid processing program stored are provided to reduce the time required for raising specific resistance of rinsing liquid up to a predetermined level by reducing a distance between a surface of the rinsing liquid and an upper side of an object to be processed. A liquid processing apparatus comprises a processing tank(49), a support(36), a chemical liquid supply unit, a rinsing liquid supply unit, a lifting mechanism, and a control unit. The support is installed within the processing tank to be lifted or lowered, to support an object to be processed(2). The chemical liquid supply part supplies chemical liquid into the processing tank. The rinsing liquid supply part supplies rinsing liquid into the processing tank. The lifting mechanism lifts and lowers the support. The control unit controls the lifting mechanism such that the control unit moves or holds the support after chemical liquid process is done by using the chemical liquid, and performs a rinsing process at a position where the object to be processed is lifted with respect to a liquid surface that the level set for the chemical liquid process.

Abstract translation: 提供液体处理装置，液体处理方法和存储有液体处理程序的存储介质，以通过减少冲洗液体的表面之间的距离来减少将冲洗液的比电阻提高到预定水平所需的时间 和待处理物体的上侧。 液体处理装置包括处理罐（49），支撑件（36），化学液体供应单元，冲洗液体供应单元，提升机构和控制单元。 支撑件安装在处理罐内以被提升或降低，以支撑待处理物体（2）。 化学液体供应部分将化学液体供应到处理罐中。 冲洗液供给部件将冲洗液供给到处理槽中。 提升机构提升和降低支撑。 控制单元控制提升机构，使得控制单元在通过使用化学液体进行化学液体处理之后移动或保持支撑件，并且在被处理物体相对于液体提升的位置处进行漂洗处理 表面为化学液体过程设定的水平。

公开(公告)号：KR1020080020988A

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：KR1020077025994

申请日：2006-06-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로시로고우키치 ,  가미카와유지 ,  도시마다카유키 ,  신도나오키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057

Abstract: Disclosed is a substrate processing apparatus for cleaning and drying a substrate such as a semiconductor wafer. This substrate processing apparatus comprises a liquid processing unit for processing a substrate by immersing the substrate in a stored purified water, a drying unit arranged above the liquid processing unit for drying the substrate, a substrate conveying system for conveying the substrate between the liquid processing unit and the drying unit, a fluid supply mechanism for supplying a fluid mixture composed of vapor or mist of purified water and vapor or mist of a volatile organic solvent into the drying unit, and a control unit for controlling supply of the fluid mixture. ® KIPO & WIPO 2008

Abstract translation: 公开了一种用于清洗和干燥诸如半导体晶片的衬底的衬底处理装置。 该基板处理装置包括：液体处理单元，用于通过将基板浸入存储的净化水中来处理基板;干燥单元，布置在用于干燥基板的液体处理单元的上方;基板输送系统，用于在液体处理单元 以及干燥单元，用于将由净化水的蒸汽或雾以及挥发性有机溶剂的蒸气或雾形成的流体混合物供给到干燥单元中的流体供给机构，以及用于控制流体混合物供给的控制单元。 ®KIPO＆WIPO 2008

公开(公告)号：KR100407869B1

公开(公告)日：2004-03-30

申请号：KR1019970049349

申请日：1997-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카시마사토시 ,  우에노긴야 ,  가미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67057 ,  B08B3/08 ,  H01L21/67051 ,  Y10S134/902

Abstract: A cleaning apparatus and a cleaning method for cleaning an object (W) are provided. In the cleaning apparatus, a drying chamber (42) and a cleaning bath (41) are separated from each other up and down, respectively. Thus, a space in the drying chamber (42) can be insulated from a space of the cleaning bath (41) through rotary doors (59a) and a slide door (72). In the cleaning method, a cleaning process in the cleaning bath (41) is carried out while sealing it by the rotary doors (59a). On the other hand, a drying process in the drying chamber (42) is accomplished while sealing and closing it by the slide door (72). Consequently, there is no possibility that, during the drying process, the object is subjected to a bad influence from a chemical treatment.

Abstract translation: 提供了用于清洁物体（W）的清洁设备和清洁方法。 在清洁设备中，干燥室（42）和清洁浴（41）分别上下相互分离。 由此，干燥室42内的空间能够通过旋转门59a和滑动门72而与清洁槽41的空间隔离。 在清洁方法中，清洁槽（41）中的清洁过程在由旋转门（59a）密封的同时进行。 另一方面，干燥室（42）中的干燥过程在由滑动门（72）密封和关闭的同时完成。 因此，在干燥过程中，物体不可能受到化学处理的不良影响。

公开(公告)号：KR100395997B1

公开(公告)日：2003-12-01

申请号：KR1019980011635

申请日：1998-04-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가미카와유지 ,  구로다오사무 ,  소에지마겐지 ,  노무라츠요시

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/67781 ,  Y10S134/902

Abstract: A drying unit is disposed above a cleaning tank containing a cleaning liquid for cleaning semiconductor wafers W. A wafer boat holding semiconductor wafers moves between the cleaning tank and the drying unit. The drying unit has a fixed base surrounding an opening formed in the cleaning tank, a liftable top cover placed on the fixed base, and an O ring interposed between the fixed base and the liftable top cover. The liftable top cover can be moved vertically by a first lifting means.

Abstract translation: 干燥单元设置在含有用于清洁半导体晶片W的清洁液的清洁箱上方。盛放半导体晶片的晶片舟在清洁箱和干燥单元之间移动。 干燥单元具有围绕清洁槽中形成的开口的固定基座，置于固定基座上的可提升顶盖，以及置于固定基座和可提升顶盖之间的O形环。 可升降的顶盖可以通过第一升降装置垂直移动。

公开(公告)号：KR1019980087401A

公开(公告)日：1998-12-05

申请号：KR1019980019186

申请日：1998-05-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다니야마히로키 ,  가미카와유지 ,  쓰루사키고타로

IPC: H01L21/304

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
세정건조 처리장치
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
워터마크가 생기는 일없이, 높은 스루풋으로 기판의 표면을 세정하여 린스하여 건조할 수가 있는 소형이며 간단한 구조의 세정건조처리장치 및 세정건조처리방법을 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
세정건조처리장치는, 피처리면이 위를 향하도록 기판을 유지하고, 이것을 회전시키는 스핀척(10)과, 이 스핀척에 의해 회전되는 기판의 피처리면에 대하여 복수종류의 프로세스유체중부터 1종 또는 2종이상을 선택적으로 공급하는 프로세스유체공급기구(30)와, 상기 프로세스유체공급기구는, 실온대기압의 조건하에서 액체의 상태에 있는 프로세스유체를 토출하기위한 토출구(40,41)를 갖는 제1노즐과, 실온대기압의 조건하에서 기체의 상태인 프로세스유체를 토출하기 위한 토출구(42,44)를 가지는 제2 노즐을 갖는 것과, 상기 스핀척에 유지된 기판의 위쪽에 상기 제1 및 제2 노즐을 동시에 이동시키는 이동기구(51)과, 상기 프로세스유체공급기구 및 상기 이동기구의 동작을 각각 제어하는 제어기(60)를 구비한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 웨이퍼나 LCD 용 유리기판같은 기판의 표면을 약액세정하고 린스하여, 건조시키는 세정건조처리장치및 세정건조처리방법에 사용됨.

公开(公告)号：KR1019980070919A

公开(公告)日：1998-10-26

申请号：KR1019980002510

申请日：1998-01-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네코사토시 ,  가미카와유지 ,  고구치아키라 ,  구로다오사무 ,  기타하라시게노리 ,  니시다다츠야

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명에 따른 기판이송 및 처리시스템은 일반적으로 피처리웨이퍼(W)가 수평상태로 수용되는 캐리어(1) 공급부와, 캐리어(1)의 반출부, 상기 캐리어(1)로부터 웨이퍼(W)를 인출하기 위한 웨이퍼인출암(14), 캐리어(1)로 웨이퍼를 적재하기 위한 웨이퍼적재암(16), 수평상태와 수직상태 사이에서 웨이퍼(W)의 자세를 변환하기 위한 자세변환수단(40), 웨이퍼(W)를 적절히 처리하기 위한 처리부(3) 및, 웨이퍼(W)를 자세변환유닛(40)과 처리부(3) 사이로 전달하고 웨이퍼(W)를 처리부에서 전달하기 위한 웨이퍼이송암(56)으로 이루어진다. 그러므로, 수평상태로 캐리어(1)에 수용된 웨이퍼가 인출되고 웨이퍼(W)의 자세가 수직상태로 변환된 후 적절한 처리가 수행되고, 이 처리 후 웨이퍼(W)의 자세가 수평상태로 변환되므로, 웨이퍼(W)는 캐리어(1)에 수용될 수 있다. 그러므로, 물체를 매끄럽게 세정하는 것이 가능하므로 반도체 디바이스의 생산에 있어서 그 생산 효율을 향상시킬 수 있다.