公开(公告)号：KR1020050004762A

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：KR1020047000768

申请日：2003-05-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45574 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/5096

Abstract: 본 발명은, 피처리체에 대하여 소정의 처리를 실시하기 위한 처리 공간을 갖는 처리 용기와, 원료 가스 또는 환원 가스가 공급되는 동시에 공급된 가스를 확산시켜서 상기 처리 공간내에 공급하는 분리 구획된 복수의 확산실을 갖는 샤워 헤드부를 구비한 처리 장치로의 가스 도입 방법이다. 본 방법은, 상기 원료 가스 및 상기 환원 가스와 상기 복수의 확산실의 조합 중, 상기 환원 가스가 공급되는 확산실의 압력과 상기 원료 가스가 공급되는 확산실의 압력의 차압이 보다 커지는 조합을 선택하는 선택 공정과, 상기 선택 공정에 있어서 선택된 조합에 기초하여, 상기 각 가스를 각각의 확산실로 공급하는 공급 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR100355321B1

公开(公告)日：2002-11-18

申请号：KR1019980017960

申请日：1998-05-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  데즈카요시히로 ,  하야시가즈이치

IPC: H01L21/28

Abstract: 티탄늄을 함유하는 제 1 사전-피복 성막 가스가 웨이퍼를 지지하는 서셉터가 배치된 처리 챔버로 공급되고 동시에 서셉터를 가열함으로써 서셉터상에, 주성분으로서 티탄늄을 함유하는 제 1 사전-피복 막이 형성되며, 그 다음에 티탄늄과 질소를 함유하는 제 2 사전-피복 성막 가스가 처리 챔버로 제공되어 사전-피복 제 1 막상에, 주성분으로서 질화 티탄늄을 함유하는 제 2 사전-피복막을 형성한다. 웨이퍼는 제 2 사전-피복막 서셉터의 일부상에 장착된다. 티탄늄을 함유하는 제 1 성막 가스가 처리 챔버로 공급되고 동시에 서셉터를 가열함으로써 웨이퍼상에 주성분으로서 티탄윰을 함유하는 제 1 막을 형성하고, 그 다음에 질화 티탄늄을 함유하는 성막 가스를 처리 챔버로 공급하여 웨이퍼상의 제 1 막상에 주성분으로서 TiN을 함유하는 제 2 막을 형성한다.

公开(公告)号：KR1019990007278A

公开(公告)日：1999-01-25

申请号：KR1019980023861

申请日：1998-06-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  와카바야시사토시

IPC: H01L21/31

Abstract: 본 발명에 따른 금속막 성막 방법이 개시되는데, 이 방법에 있어서는 실리콘 반도체 웨이퍼상에 형성된 회로 소자의 확산층(전극 등)상에 금속 배선이 형성될 때, 원료 가스로서 TiCl
4 가스 및 H
2 가스를 사용한 플라즈마 CVD에 의해 피처리체의 표면상에 Ti 막이 성막된다. 상기 원료 가스에 N
2 가스를 첨가함으로써 상기 확산층의 표면상에 Ti-Si-N 막이 성막되며, 이어서 상기 Ti-Si-N 막상에 Ti 막이 성막된다. 이 Ti-Si-N 막은 반도에 웨이퍼측으로부터 실리콘이 확산되는 것을 억제한다.

公开(公告)号：KR1020140119776A

公开(公告)日：2014-10-10

申请号：KR1020147023965

申请日：2013-01-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와도시오 ,  다다구니히로 ,  야마사키히데아키 ,  오메아라데이빗엘 ,  루싱크게릿제이

IPC: H01L21/24 ,  H01L21/205 ,  H01L21/8242 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/76898 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45538 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28562 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66181

Abstract: 기판 상에 금속 실리사이드 층을 형성하기 위한 방법이 제공된다. 일 실시예에 따라, 이 방법은 프로세스 챔버에 기판을 제공하는 단계, 금속 전구체(metal precursor)를 포함하는 증착 가스로부터 생성된 플라즈마에 제 1 기판 온도로 상기 기판을 노출시키는 단계를 포함하며, 여기서 상기 플라즈마 노출은 자기-제한적 프로세스(self-limiting process)에서 기판 상에 컨포멀한 금속-함유 층(conformal metal-containing layer)을 형성한다. 이 방법은 또한 플라즈마 없이 환원성 가스에 제 2 기판 온도로 금속-함유층을 노출시키는 단계를 포함하고, 여기서 상기 노출시키는 단계들은 금속 실리사이드 층을 형성하기 위해 적어도 한번 교번적으로 수행되고, 상기 증착 가스는 환원성 가스를 포함하지 않는다. 이 방법은 또한 높은 종횡비들을 갖는 딥 트랜치들내의 컨포멀한 금속 실리사이드 형성을 제공한다.

公开(公告)号：KR101024449B1

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：KR1020077029779

申请日：1999-12-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠키하야시 ,  다다구니히로 ,  마츠세기미히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23C16/45514 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76871 ,  H01L23/485 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: TiSiN막은 Cu의 확산을 방지하기 위해 반도체장치에 있어서 배리어 금속층으로서 이용된다. TiSiN막은 플라즈마 CVD 또는 열CVD에 의해 성막된다. TiCl
4 가스, 수소화 규소가스 및 NH
3 가스는 열CVD에 의해 TiSiN막을 성막하는 경우에 성막가스로서 이용된다. TiCl
4 가스, 수소화 규소가스, H
2 가스 및 N
2 가스는 플라즈마 CVD에 의해 TiSiN막을 성막하는 경우에 성막가스로서 이용된다.

公开(公告)号：KR100983165B1

公开(公告)日：2010-09-20

申请号：KR1020097008625

申请日：1999-12-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠키하야시 ,  다다구니히로 ,  마츠세기미히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23C16/45514 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76871 ,  H01L23/485 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: TiSiN막은 Cu의 확산을 방지하기 위해 반도체장치에 있어서 배리어 금속층으로서 이용된다. TiSiN막은 플라즈마 CVD 또는 열CVD에 의해 성막된다. TiCl
4 가스, 수소화 규소가스 및 NH
3 가스는 열CVD에 의해 TiSiN막을 성막하는 경우에 성막가스로서 이용된다. TiCl
4 가스, 수소화 규소가스, H
2 가스 및 N
2 가스는 플라즈마 CVD에 의해 TiSiN막을 성막하는 경우에 성막가스로서 이용된다.

公开(公告)号：KR100960162B1

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：KR1020087015988

申请日：2003-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와카바야시사토시 ,  오카베신야 ,  무라카미세이시 ,  모리시마마사토 ,  다다구니히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/46 ,  H01L21/28556

Abstract: 반도체 처리용의 성막 처리 용기(4)내에 재치대 장치가 배설된다. 재치대 장치는 피처리 기판(W)을 재치하는 상면 및 상면으로부터 하강하는 측면을 갖는 재치대(16)와, 재치대(16)내에 배설되고, 또한 그 상면을 거쳐서 기판(W)을 가열하는 히터(18)를 포함한다. 재치대(16)의 상면 및 측면을 CVD 프리코트층(28)이 피복한다. 프리코트층(28)은 히터(18)의 가열에 유래하는 재치대(16)의 상면 및 측면으로부터의 복사열량을 실질적으로 포화시키는 두께 이상의 두께를 갖는다.

Abstract translation: 沉积装置设置在用于半导体处理的成膜处理容器（4）中。 台具有台16，其具有用于放置基板W的上表面和用于从台W的上表面下降的下表面以及设置在台16内用于加热基板W的台16 还有一个加热器（18）。 CVD预涂层28覆盖台16的上表面和侧表面。 由于加热器18的加热，预涂层28具有不小于使来自台16的顶表面和侧表面的辐射热量基本饱和的厚度。

公开(公告)号：KR1020080109100A

公开(公告)日：2008-12-16

申请号：KR1020087029222

申请日：2003-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와카바야시사토시 ,  오카베신야 ,  무라카미세이시 ,  모리시마마사토 ,  다다구니히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/46 ,  H01L21/28556

Abstract: A susceptor device is provided in a film- forming vessel (4) for semiconductor processing. The susceptor device includes a susceptor (16) having a top surface on which a wafer (W) to be processed is placed and a side surface extending downward from the top surface and a heater (18) provided in the susceptor (16) and serving to heat the wafer (W) through the top surface. The top and side surfaces of the susceptor (16) is coated with a CVD pre-coat layer (28). The pre-coat layer (28) has a thickness great enough to substantially saturate the amount of heat originated from the heater (18) and radiated from the top and side surfaces of the susceptor (16). ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 在用于半导体处理的成膜容器（4）中设置感受器装置。 所述基座装置包括：基座（16），其具有顶面，待处理的晶片（W）被放置在所述上​​表面上;从所述顶面向下延伸的侧面和设置在所述基座中的加热器， 以通过顶表面来加热晶片（W）。 基座（16）的顶表面和侧表面涂覆有CVD预涂层（28）。 预涂层（28）的厚度足够大以使来自加热器（18）的热量基本饱和并从基座（16）的顶表面和侧表面辐射。 ®KIPO＆WIPO 2009

公开(公告)号：KR1020080108390A

公开(公告)日：2008-12-15

申请号：KR1020080116392

申请日：2008-11-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  와카바야시사토시 ,  다다구니히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C8/36 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/56

Abstract: A manufacturing method of Ti system film and a storage medium are provided to suppress the formation of the NiTi layer even in case of using the shower head after restoring and cleaning the new product shower head or the chemistry by forming the passivation film. A manufacturing method of Ti system film comprises the following processes. The Ti system film is deposited on the surface of the processed article arranged on the main chuck within the chamber by discharging the process gas including the TiCl4 gas from the gas discharge member in which the surface is made of the Ni containing material in the chamber(31). The temperature of the main chuck is between 300‹C and 450‹C. The temperature of the gas discharge member is between 300‹C and 450‹C. The Ti system film is deposited on the processed article by making the TiCl4 gas flow rate to 1~12mL/min(sccm), and TiCl4 gas tension to 0.1~2.5Pa. The chamber is cleaned by introducing the cleaning gas of the fluoride group into the chamber.

Abstract translation: 提供Ti系膜和存储介质的制造方法，即使在通过形成钝化膜恢复和清洁新产品喷头或化学品之后使用淋浴头的情况下也能抑制NiTi层的形成。 Ti系膜的制造方法包括以下工序。 通过从气体排出构件中排出包含TiCl 4气体的工艺气体，在该室内将含有Ni的材料制成的Ti体系膜沉积在设置在室内的主卡盘的被处理物的表面上 31）。 主卡盘的温度在300℃到450℃之间。 气体排出构件的温度在300℃和450℃之间。 通过使TiCl4气体流速为1〜12mL / min（sccm），TiCl4气体张力为0.1〜2.5Pa，将Ti系膜沉积在加工制品上。 通过将氟化物基团的清洁气体引入腔室来清洁腔室。

公开(公告)号：KR100788061B1

公开(公告)日：2007-12-21

申请号：KR1020067014884

申请日：2003-12-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  요코이히로아키 ,  와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/50 ,  H01L21/28562

Abstract: 플라즈마 CVD를 이용하여 피처리 기판(W) 상에 소정 박막을 형성하는 성막 방법은 제 1 및 제 2 단계를 교대로 1회 이상씩 실시한다. 제 1 단계에서는 기판(W)을 수납하는 처리 챔버(51) 내에 박막의 성분을 포함하는 화합물 가스와 환원 가스를 공급하면서, 처리 챔버(51) 내에 제 1 플라즈마를 생성한다. 제 2 단계에서는 제 1 단계에 이어서, 처리 챔버(51) 내에 상기 환원 가스를 공급하면서, 처리 챔버(51) 내에 제 2 플라즈마를 생성한다.