公开(公告)号：KR101472799B1

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：KR1020080054863

申请日：2008-06-11

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 정지심 ,  이우철 ,  권장연 ,  박현상 ,  한상면 ,  류명관 ,  김태상 ,  박경배 ,  유병욱 ,  손경석 ,  한민구

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/32 ,  G09G3/20 ,  H01L51/50

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G3/2037 ,  G09G3/2081 ,  G09G2300/0842

Abstract: 디스플레이장치는 OLED(Organic Light Emitting Diode), 화상신호에의해상기 OLED에대한전류공급을스위칭하는드라이빙트랜지스터, 상기 OLED에대한전류의량을제어하는복수의전류제어트랜지스터를포함하는전류제어부;를구비한다. 이러한구조에따르면종래비해높은해상도와깊은색감표현이가능한디스플레이의구현이가능하다.

公开(公告)号：KR1020140139668A

公开(公告)日：2014-12-08

申请号：KR1020130059709

申请日：2013-05-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이광희 ,  임동석 ,  김규식 ,  박경배

IPC: H01L51/30 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L51/0072 ,  H01L27/307 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/008 ,  H01L51/4253

Abstract: 서로 마주하는 애노드와 캐소드, 그리고 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 위치하는 활성층을 포함하고, 상기 활성층은 화학식 1 또는 화학식 2로 표현되는 화합물, 그리고 화학식 3으로 표현되는 화합물을 포함하는 유기 광전 소자 및 이를 포함하는 이미지 센서에 관한 것이다.
화학식 1 내지 3은 명세서에 기재한 바와 같다.

Abstract translation: 本发明涉及一种有机光电器件，其包括彼此面对的阳极和阴极以及位于阳极和阴极之间的有源层以及包括该阳极和阴极的图像传感器。 活性层包括由化学式1或化学式2表示的化合物和由化学式3表示的化合物。化学式1至化学式3如说明书中所述。

公开(公告)号：KR1020140046596A

公开(公告)日：2014-04-21

申请号：KR1020120111356

申请日：2012-10-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이광희 ,  김규식 ,  박경배 ,  임동석 ,  임선정

IPC: C09K11/06 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L51/008 ,  H01L51/0069 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/4253

Abstract: The present invention relates to an organic photoelectric device comprising anode and cathode facing each other, and an activating layer located between the anode and the cathode, and having the activating layer comprising a compound represented by chemical formula 1 and a compound represented chemical formula 2, and an image sensor comprising the organic photoelectric device. The chemical formula 1 and the chemical formula 2 are described in the specification.

Abstract translation: 本发明涉及一种包括阳极和阴极彼此面对的有机光电器件，以及位于阳极和阴极之间的激活层，并且具有由化学式1表示的化合物和化学式2表示的化合物的活化层， 以及包含有机光电装置的图像传感器。 化学式1和化学式2在说明书中描述。

公开(公告)号：KR101375834B1

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：KR1020070118827

申请日：2007-11-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  윤선미 ,  이상윤 ,  최재영 ,  신현진 ,  류명관 ,  김태상 ,  권장연 ,  손경석 ,  정지심

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/66765 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/778

Abstract: 다결정 실리콘 박막 및 이를 적용하는 박막 트랜지스터의 제조방법이 개시된다. 개시된 다결정 실리콘 박막의 제조방법은 기판 상에 비정질 실리콘으로 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층에 금 나노로드를 도포하는 단계; 상기 금 나노로드에 적외선 영역의 광을 조사하여 상기 활성층을 결정화 시키는 단계;를 포함한다.

公开(公告)号：KR101345378B1

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：KR1020070048310

申请日：2007-05-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류명관 ,  김준성 ,  이상윤 ,  황억채 ,  김태상 ,  권장연 ,  박경배 ,  손경석 ,  정지심

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: ZnO 계박막트랜지스터및 제조방법에관해개시된다. ZnO 계박막트랜지스터는채널층에플라즈마에대해 ZnO에비해높은분자결합력을갖는 ZnCl 성분이포함된다. ZnCl 성분은채널층 전체뿐 아니라채널의표면가까운영역에형성된다. ZnCl 은플라즈마충격에강하며, 플라즈마에노출되었을때 잘분해되지않으며따라서캐리어농도증가가억제된다. ZnCl 성분은채널층 재료에포함되어채널층 전체에분포될수 도있고, 또는채널층 패터닝시플라즈마가스에 Cl 성분을포함시켜채널층 에칭과정에서채널층의표면영역에함유될수 있다.

Abstract translation: 公开了一种ZnO基薄膜晶体管及其制造方法。 ZnO基薄膜晶体管包括ZnCl组分，该组分对沟道层中的ZnO与等离子体具有高分子结合力。 ZnCl组分不仅形成在整个沟道层上，而且形成在沟道表面附近。 ZnCl 2抗等离子体冲击并且在暴露于等离子体时不会很好地分解，因此抑制了载流子浓度的增加。 ZnCl组分可以被包括在沟道层材料中并且遍布沟道层分布，或者可以在沟道层刻蚀工艺期间通过在沟道层图案化期间将Cl组分包括在等离子体气体中而包含在沟道层的表面区域中。

公开(公告)号：KR101334177B1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：KR1020070016033

申请日：2007-02-15

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 정지심 ,  류명관 ,  권장연 ,  박경배 ,  한민구 ,  이상윤 ,  박중현 ,  한상면 ,  김선재

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L29/42384 ,  H01L2029/7863

Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 하부 구조체; 상기 하부 구조체 상에 다수의 도핑 영역을 포함하여 형성된 반도체층; 상기 반도체층 상에 형성된 이격되어 형성된 제 1절연층 및 제 2절연층; 상기 제 1절연층 및 상기 제 2절연층 상에 형성된 제 3절연층; 및 상기 제 3절연층의 상기 제 1절연층 및 상기 제 2절연층에 대응되는 영역 사이에 형성된 게이트 전극층;을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020130082289A

公开(公告)日：2013-07-19

申请号：KR1020120003419

申请日：2012-01-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김규식 ,  이광희 ,  임동석 ,  박경배 ,  임선정

IPC: H01L51/30 ,  C07D487/04 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/5044 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0072 ,  Y02E10/549

Abstract: PURPOSE: An organic semiconductor, a photoactive layer including the same, and a photoelectric conversion device are provided to improve photoelectric conversion efficiency by efficiently transmitting holes and electrons to an electrode after excitons are separated into the holes and the electrons. CONSTITUTION: A front electrode (150) faces a rear electrode (110). The rear electrode includes metal or transparent conductive materials. A photoactive layer (130) is located between the front electrode and the rear electrode. The photoactive layer includes an i-type layer. The i-type layer is formed with a bulk heterojunction structure including an organic semiconductor. The i-type layer is located near the front electrode and the rear electrode.

Abstract translation: 目的：提供有机半导体，包含该有机半导体的光活性层和光电转换装置，以通过在将激子分离成空穴和电子之后将空穴和电子高效地传输到电极来提高光电转换效率。 构成：前电极（150）面向后电极（110）。 后电极包括金属或透明导电材料。 光电活性层（130）位于前电极和后电极之间。 光活性层包括i型层。 i型层由包括有机半导体的本体异质结结构形成。 i型层位于前电极和后电极附近。

公开(公告)号：KR101281167B1

公开(公告)日：2013-07-02

申请号：KR1020060116057

申请日：2006-11-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  권장연 ,  이상윤 ,  정지심

IPC: H05B33/02 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/1251 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78696

Abstract: 적은 공정수와 간단하고 쉬운 공정으로 제조될 수 있도록 그 구조가 개선된 유기발광 디스플레이의 단위 화소부 구동소자가 개시된다. 본 발명에 따른 유기발광 디스플레이의 단위 화소부 구동소자는, 기판 상에 형성된 상호 연결된 한 조의 스위칭용 트랜지스터와 구동용 트랜지스터를 포함하고, 상기 스위칭용 트랜지스터는 순차적층된 제1 비정질 실리콘층과 제1 다결정 실리콘층을 포함하는 제1 듀얼채널층; 및 상기 제1 듀얼채널층의 하부에 형성되어 상기 제1 비정질 실리콘층과 마주하는 제1 게이트 전극;을 구비하는 하부 게이트 구조로 형성되고, 상기 구동용 트랜지스터는 순차적층된 제2 비정질 실리콘층과 제2 다결정 실리콘층을 포함하는 제2 듀얼채널층: 및 상기 제2 듀얼채널층의 상부에 형성되어 상기 제2 다결정 실리콘층과 마주하는 제2 게이트 전극;을 구비하는 상부 게이트 구조로 형성된다.

公开(公告)号：KR1020130047367A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：KR1020110112341

申请日：2011-10-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임동석 ,  김규식 ,  박경배 ,  이광희 ,  임선정

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L51/4246 ,  H01L51/4273 ,  Y02E10/549

Abstract: PURPOSE: A photodiode is provided to reduce a dark current by locating a buffer layer between a photoelectric conversion layer and an anode. CONSTITUTION: A photoelectric conversion layer(110) is located between an anode(120) and a cathode(130). The photoelectric conversion layer includes an intrinsic layer. A buffer layer(140) is located between the photoelectric conversion layer and the anode. The buffer layer includes a dual layer structure of an organic layer and an inorganic layer. The organic layer is closer to the anode in comparison to the inorganic layer.

Abstract translation: 目的：提供光电二极管，通过在光电转换层和阳极之间设置缓冲层来减少暗电流。 构成：光电转换层（110）位于阳极（120）和阴极（130）之间。 光电转换层包括本征层。 缓冲层（140）位于光电转换层和阳极之间。 缓冲层包括有机层和无机层的双层结构。 与无机层相比，有机层更靠近阳极。

公开(公告)号：KR1020130028488A

公开(公告)日：2013-03-19

申请号：KR1020110092085

申请日：2011-09-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  김규식 ,  진용완 ,  이광희 ,  임동석 ,  임선정

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L51/4253 ,  H01L51/426 ,  Y02E10/549

Abstract: PURPOSE: A photo diode is provided to improve photoreaction by using a hole barrier layer positioned between an intrinsic layer and a cathode. CONSTITUTION: An intrinsic layer(110) is positioned between an anode(120) and a cathode(130). The intrinsic layer includes a P-type semiconductor and an N-type semiconductor. The composition ratio of the P-type semiconductor and the N-type semiconductor is changed according to the position of the intrinsic layer.

Abstract translation: 目的：提供光电二极管以通过使用位于本征层和阴极之间的空穴阻挡层来改善光反应。 构成：本征层（110）位于阳极（120）和阴极（130）之间。 本征层包括P型半导体和N型半导体。 P型半导体和N型半导体的组成比根据本征层的位置而改变。