입자 포집 장치
    41.
    发明公开
    입자 포집 장치 有权
    收集颗粒的装置

    公开(公告)号:KR1020150115993A

    公开(公告)日:2015-10-15

    申请号:KR1020140039883

    申请日:2014-04-03

    Abstract: 본발명은입자포집장치에관한것으로서, 본발명에따른입자포집장치는검사구역내에서광과입자의충돌에의한광소멸량을통하여입자의정보를측정하는장치에설치되는입자포집장치에있어서, 진공상태로마련되어상기검사구역에연결되며, 측면의일영역에개구부가형성되고, 상기광과충돌된상기입자가이동하는배출관; 횡단면이다각형으로마련되어각 측면에는상기입자가부착되는시편이각각장착되며, 회전가능하도록마련되되어느하나의시편만노출되어상기배출관내의입자를포집하는입자포집부;를포함하는것을특징으로한다. 이에의하여, 횡단면이다각형으로마련되는회전부의측면에복수개의시편이각각장착되어단일의공정에서여러번의입자측정이가능하며, 배출관에는개구부를개폐하는게이트밸브가설치되어배출관내부의진공상태를유지할수 있는입자포집장치가제공된다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于收集颗粒的装置。 根据本发明的用于收集颗粒的装置安装在用于通过检查部分中的光与颗粒之间的碰撞的消光量来测量颗粒的信息的装置中。 用于收集颗粒的装置包括形成真空状态的放电管,连接到检查部分,并且在其侧面的一个区域上包括开口部分,并且其中与光线碰撞的颗粒移动;以及 具有多边形形状的横截面的颗粒收集单元旋转地安装其每个侧面上附着有颗粒的样本,并且只通过仅暴露一个样本来收集放电管中的颗粒。 因此,提供了一种用于收集能够保持放电管的真空状态的颗粒的装置,方法是通过安装在所述放电管中打开或关闭所述开口部分的闸阀,并且通过安装多个 在具有多边形形状的横截面的旋转单元的侧面上的样本。

    광학구체를 갖는 광섬유 변위센서 및 이를 이용한 변위 센싱 시스템
    42.
    发明授权
    광학구체를 갖는 광섬유 변위센서 및 이를 이용한 변위 센싱 시스템 有权
    具有光学球面和位置传感系统的光纤位置传感器使用传感器

    公开(公告)号:KR101536074B1

    公开(公告)日:2015-07-13

    申请号:KR1020140052495

    申请日:2014-04-30

    CPC classification number: G01B11/16 G01L1/242

    Abstract: 본발명은광섬유변위센서및 이를이용한변위센싱시스템에관한것으로, 본발명의변위센서는광섬유를포함하는변위센서로서광섬유는코어의일부분에코어의직경보다큰 직경을갖는하나이상의광학구체가형성되어있는것을특징으로한다. 이러한본 발명의변위센서는그 구성이단순하고단일파장광신호를이용하여입력광신호와출력광신호의세기비교만으로변위를측정할수 있어다양한분야에서변위센서로서활용될수 있는효과가있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种具有光学球面的光纤位移传感器和使用其的位移感测系统。 根据本发明,具有光纤的位移传感器具有一个或多个光学球体,该光学球体的直径大于芯部的直径,并形成在芯部的一部分中。 根据本发明,位移传感器具有简单的结构,并且能够通过将输入光信号的强度和使用单波长光信号的输出光信号的强度与各种领域中的位移传感器一起使用来测量位移 。

    그래핀 산화물 및 환원된 그래핀 산화물을 포함하는 광섬유, 및 이를 포함하는 가스 센서의 제조 방법
    44.
    发明授权
    그래핀 산화물 및 환원된 그래핀 산화물을 포함하는 광섬유, 및 이를 포함하는 가스 센서의 제조 방법 有权
    含有氧化烯和减少的氧化石墨的光纤,以及制造含有其的气体传感器的方法

    公开(公告)号:KR101327501B1

    公开(公告)日:2013-11-08

    申请号:KR1020130007072

    申请日:2013-01-22

    Abstract: The present invention relates to an optical fiber including graphene oxide and reduced graphen oxide, a method for manufacturing the optical fiber, and a method for manufacturing gas sensor including the same. According to the present invention includes a grapheme oxide (GO) layer and the reduced graphen oxide (rGO) layer. [Reference numerals] (AA) Optical fiber;(BB,LL) GO coating;(CC,HH,MM) Reflected light;(DD,II,NN) Transmitted light;(EE,JJ,OO) Steam;(FF,KK,QQ) Incident light;(GG,PP) rGO coating

    Abstract translation: 本发明涉及一种包括氧化石墨烯和氧化还原型石墨烯的光纤,一种制造该光纤的方法,以及一种包括该光纤的气体传感器的制造方法。 根据本发明,包括氧化刻字(GO)层和还原的石墨烯氧化物(rGO)层。 (AA)光纤;(BB,LL)GO涂层;(CC,HH,MM)反射光;(DD,II,NN)透射光;(EE,JJ,OO)蒸汽;(FF, KK,QQ)入射光;(GG,PP)rGO涂层

    실리카 반사방지막의 제조 방법 및 이를 이용한 실리콘 태양전지
    45.
    发明授权
    실리카 반사방지막의 제조 방법 및 이를 이용한 실리콘 태양전지 有权
    使用其制备二氧化硅抗反射涂层和硅太阳能电池的方法

    公开(公告)号:KR101133953B1

    公开(公告)日:2012-04-05

    申请号:KR1020100066574

    申请日:2010-07-09

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 본원은, 실리카 반사방지막의 제조 방법이 제공된다. 반도체 기판 상에 실리카(SiO
    2 ) 전구체 및 도펀트(dopant) 전구체를 함유하는 수성 도포액을 액상 도포하여 졸-젤 방법에 의하여 도펀트-함유 실리카 층을 형성하고; 상기 도펀트-함유 실리카 층을 공기 또는 산소-함유 가스 분위기에서 열처리함으로써 상기 도펀트의 확산에 의한 pn 접합 형성에 의한 에미터층을 형성하고 동시에 상기 반도체 기판 상에 구형 실리카 입자층을 동시에 형성하는 것을 포함하며, 상기 구형 실리카 입자층은 반사방지막으로 작용하며 동시에 표면 텍스쳐링 효과도 제공한다.

    금속성 탄소나노구조체 층이 형성된 프리즘을 포함하는 표면 플라즈몬 공명 센서 및 그의 제조 방법
    46.
    发明公开
    금속성 탄소나노구조체 층이 형성된 프리즘을 포함하는 표면 플라즈몬 공명 센서 및 그의 제조 방법 有权
    含有沉积金属碳纳米结构层的表面等离子体共振传感器及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020110138186A

    公开(公告)日:2011-12-26

    申请号:KR1020110058932

    申请日:2011-06-17

    Abstract: PURPOSE: A surface plasmon resonance sensor including a prism with a metallic carbon nano-structure layer and a manufacturing method thereof are provided to secure the operation of a surface plasmon resonance sensor with a fixed wavelength because a metallic graphene layer is evenly deposited on one side of a prism. CONSTITUTION: A surface plasmon resonance sensor comprises a light source part(10), a sensing part(20), and a light receiving part(30). The sensing part comprises a prism(200) in which a metallic carbon nano-structure layer(300) is formed on one side and collects the light reflected off the prism. The metallic carbon nano-structure layer is selected from the group consiting of graphene, graphite, carbon nano-tube, and their combination.

    Abstract translation: 目的:提供一种包括具有金属碳纳米结构层的棱镜的表面等离子体共振传感器及其制造方法,以确保具有固定波长的表面等离子体共振传感器的操作,因为金属石墨烯层均匀地沉积在一侧 的棱镜。 构成:表面等离子体共振传感器包括光源部分(10),感测部分(20)和光接收部分(30)。 感测部分包括棱镜(200),其中在一侧形成金属碳纳米结构层(300)并收集从棱镜反射的光。 金属碳纳米结构层选自石墨烯,石墨,碳纳米管及其组合。

    카운터-플로우 주입법을 이용한 이종 나노입자의 혼합방법
    47.
    发明授权
    카운터-플로우 주입법을 이용한 이종 나노입자의 혼합방법 有权
    使用逆流注射法混合异质纳米颗粒的方法

    公开(公告)号:KR101066372B1

    公开(公告)日:2011-09-20

    申请号:KR1020090013081

    申请日:2009-02-17

    Abstract: 본 발명은 카운터-플로우 주입법을 이용하여 이종 나노입자를 균일하게 혼합하는 것을 특징으로 하는 카운터-플로우 주입법을 이용한 이종 나노입자의 혼합방법을 제공한다. 본 발명에 따른 카운터-플로우 주입법을 이용한 이종 나노입자의 혼합방법은 분산력이 우수하고, 혼합 및 입자의 직경이 균일하며, 공정 중 반응 조성물들의 산화를 막을 수 있고, 실리콘 나노입자 제조 및 포집공정과 탄소재와의 혼합공정을 하나의 공정으로 포함시킬 수 있으며, 공정시간을 1시간 정도로 단축시킬 수 있고, 공정비용을 절감할 수 있는 공정이다. 또한, 본 발명에 따른 혼합방법에 의해 제조되는 실리콘-그래파이트 혼합물은 리튬-이온 전지용 음극 물질로 유용하게 이용될 수 있다.
    카운터-플로우 주입법, 실란 열분해, 건조 입자 혼합

    카운터-플로우 주입법을 이용한 이종 나노입자의 혼합방법
    48.
    发明公开
    카운터-플로우 주입법을 이용한 이종 나노입자의 혼합방법 有权
    使用反流注射法混合异构纳米颗粒的方法

    公开(公告)号:KR1020100093924A

    公开(公告)日:2010-08-26

    申请号:KR1020090013081

    申请日:2009-02-17

    CPC classification number: C08L101/10 B82B3/00 B82Y40/00 C01B32/15 C01B32/20

    Abstract: PURPOSE: A heterogeneous nanoparticle mixture method using a counter-flow injection method is provided to form the diameter of particles uniformly, and to prevent the oxidation of reaction compositions. CONSTITUTION: A heterogeneous nanoparticle mixture method using a counter-flow injection method uses the counter-flow injection method to uniformly mix heterogeneous nanoparticles. The heterogeneous nanoparticles are a silicon nano particle and graphite powder. The counter-flow injection method uses a mixing chamber and a critical orifice.

    Abstract translation: 目的:提供使用逆流注入法的异相纳米颗粒混合法,以均匀地形成颗粒的直径,并防止反应组合物的氧化。 构成:使用逆流注入法的异相纳米颗粒混合法使用逆流注入法均匀混合异质纳米粒子。 异质纳米颗粒是硅纳米颗粒和石墨粉末。 逆流注入法使用混合室和临界孔。

    양극산화를 이용한 멀티레이어 제조방법
    49.
    发明授权
    양극산화를 이용한 멀티레이어 제조방법 失效
    使用阳极化制作多层的方法

    公开(公告)号:KR100939273B1

    公开(公告)日:2010-01-29

    申请号:KR1020080029778

    申请日:2008-03-31

    Abstract: 본 발명은 반도체 패키징 또는 디스플레이 분야 등에 이용되는 멀티레이어에 관한 것으로, 보다 상세하게는 보다 간단한 공정 내지 적은 비용으로 멀티레이어를 제조할 수 있는, 양극산화를 이용한 멀티레이어 제조방법에 관한 것이다.
    본 발명에 의한 멀티레이어 제조방법은, 기판의 표면에 제1금속층을 형성하는 제1단계; 상기 제1금속층을 부분적으로 양극산화시킴으로써 제1부분산화영역 및 제1금속배선을 가지는 제1회로를 형성하는 제2단계; 상기 제1금속층 및 제1부분산화영역을 전면적으로 양극산화시킴으로써 층간절연층을 형성하는 제3단계; 상기 층간절연층을 부분적으로 에칭함으로써 하나 이상의 관통홀을 형성하는 제4단계; 상기 층간절연층의 표면 및 관통홀 내에 제2금속층을 형성하는 제5단계; 및 상기 제2금속층의 표면을 부분적으로 양극산화시킴으로서 제2부분산화영역 및 제2금속배선을 가지는 제2회로를 형성하는 제6단계를 포함한다.
    양극산화, 멀티레이어, 관통홀, 층간절연층

    전자파 차폐필터의 제조방법 및 전자파 차폐필터의 구조
    50.
    发明公开
    전자파 차폐필터의 제조방법 및 전자파 차폐필터의 구조 失效
    EMI屏蔽滤波器的制造方法和EMI屏蔽滤波器的结构

    公开(公告)号:KR1020090103535A

    公开(公告)日:2009-10-01

    申请号:KR1020080029203

    申请日:2008-03-28

    CPC classification number: H05K9/0086 H01J11/44 H01J2211/446 H05K9/0096

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an electrode for selective plating, a method for manufacturing an EMI shielding filter using the same, and an EMI shielding filter structure are provided to improve transparency and EMI shielding filtering effect by minimizing contamination, damage, or deterioration in a process. CONSTITUTION: A base substrate(100) with a mesh recess is formed in an upper part. The base substrate has an insulated transparent material. A first conductive layer is formed by depositing a first conductive material in the upper part of the base substrate. A dry etching process is performed while rotating the inclined base substrate. The first conductive layer of the remaining part except the bottom or the side of the recess is removed. An electroplating process is performed to fill a second conductive material in the recess using the first conductive layer remaining in the bottom of the recess as a seed layer.

    Abstract translation: 目的:制造用于选择性电镀的电极的方法,使用其的EMI屏蔽滤波器的制造方法和EMI屏蔽滤波器结构,以通过最小化污染,损坏或劣化来提高透明度和EMI屏蔽滤波效果 处理。 构成:在上部形成具有网孔的基底基板(100)。 基底具有绝缘的透明材料。 第一导电层通过在基底衬底的上部中沉积第一导电材料而形成。 在旋转倾斜的基底基板的同时进行干蚀刻处理。 除了凹部的底部或侧面之外的剩余部分的第一导电层被去除。 执行电镀工艺以使用残留在凹槽的底部中的第一导电层作为种子层填充凹部中的第二导电材料。

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