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公开(公告)号：KR1020040088954A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：KR1020030023403
申请日：2003-04-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0296
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing an HgCdTe photodiode is provided to improve remarkably the performance of the photodiode by forming a single crystal CdTe epitaxial layer on an HgCdTe thin film without exposure of the thin film to the atmosphere. CONSTITUTION: A P type HgCdTe thin film(17) is grown on a substrate(16). A CdTe or Cd1-zZnzTe(0
Abstract translation: 目的：提供一种制造HgCdTe光电二极管的方法，通过在HgCdTe薄膜上形成单晶CdTe外延层，不会将薄膜暴露在大气中，从而显着提高光电二极管的性能。 构成：在基板（16）上生长P型HgCdTe薄膜（17）。 在HgCdTe薄膜上依次生长CdTe或Cd1-zZnzTe（0
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公开(公告)号：KR102049806B1
公开(公告)日：2020-01-22
申请号：KR1020180047899
申请日：2018-04-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/3105 , H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/67
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公开(公告)号：KR1020140083630A
公开(公告)日：2014-07-04
申请号：KR1020120153588
申请日：2012-12-26
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: The present invention discloses a wire saw and an apparatus for cutting an ingot using the same. According to an embodiment of the present invention, the wire saw for cutting an ingot includes a hollow tube though which a liquid abrasive is supplied; one or more sawteeth located on one side of the tube; and an abrasive injection hole formed between the sawteeth on a surface of the tube.
Abstract translation: 本发明公开了一种线锯和使用其的切割锭的装置。 根据本发明的实施例，用于切割锭的线锯包括中空管，通过该中空管提供液体磨料; 位于管一侧的一个或多个锯齿; 以及形成在管的表面上的锯齿之间的研磨注入孔。
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公开(公告)号：KR1020130099589A
公开(公告)日：2013-09-06
申请号：KR1020120021214
申请日：2012-02-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L45/16 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675 , H01L45/143
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a phase change random access memory using laser interference lithography is provided to manufacture a uniform nanostructure by applying the laser interference lithography when a cell array structure of the phase change random access memory is manufactured. CONSTITUTION: An insulation layer (30), a first electrode layer (50), a phase change material layer (20), and a transfer material layer (40) are successively deposited on a substrate (10). An array pattern is formed on the transfer material layer by using a laser interference lithography process. A metal layer (60) is formed on the transfer material layer with the array pattern. A second electrode layer is formed by removing the transfer material layer. A phase change layer (90) is formed by etching the phase change material layer using the second electrode layer as a mask.
Abstract translation: 目的：提供使用激光干涉光刻制造相变随机存取存储器的方法，以便在制造相变随机存取存储器的单元阵列结构时，通过应用激光干涉光刻来制造均匀的纳米结构。 构成：在衬底（10）上依次沉积绝缘层（30），第一电极层（50），相变材料层（20）和转移材料层（40）。 通过使用激光干涉光刻工艺在转印材料层上形成阵列图案。 金属层（60）以阵列图案形成在转印材料层上。 通过去除转印材料层形成第二电极层。 通过使用第二电极层作为掩模蚀刻相变材料层来形成相变层（90）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130076983A
公开(公告)日：2013-07-09
申请号：KR1020110145438
申请日：2011-12-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B08B1/04 , B08B11/04 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: PURPOSE: A self-cleaning device for a panel is provided to efficiently clean the panel with reduced personnel costs and energy consumption. CONSTITUTION: A self-cleaning device for a panel comprises a transparent film (11), a first roll (13), a second roll (17), and a control device. The transparent panel covers the front side of the panel. The first roller is formed in one of the panel and winds the transparent film. The control device controls to automatically replace the transparent film by rotating the first roll. The second roll is formed in the other side of the panel to collect the replaced transparent film.
Abstract translation: 目的：提供面板自清洁装置，以有效清洁面板，降低人员成本和能源消耗。 构成：用于面板的自清洁装置包括透明膜（11），第一辊（13），第二辊（17）和控制装置。 透明面板覆盖面板的前侧。 第一辊形成在面板中的一个中并卷绕透明膜。 控制装置控制通过旋转第一辊来自动地替换透明膜。 第二辊形成在面板的另一侧以收集替换的透明膜。
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公开(公告)号：KR101101374B1
公开(公告)日：2012-01-02
申请号：KR1020090072760
申请日：2009-08-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 반사율을 저감시키는 표면 구조를 가지는 태양 전지 및 그 제조 방법을 제공한다. 태양 전지는 실리콘 기판을 포함한다. 실리콘 기판은, i) 광이 입사되는 제1 표면, 및 ii) 제1 표면과 반대 방향을 향하는 제2 표면을 포함한다. 제1 표면에는 제2 표면을 향하여 뻗은 하나 이상의 개구부가 형성되고, 제1 개구부가 뻗은 방향은 제1 표면에 대해 경사진다.
태양 전지, 에칭, 결함, 광반사 방지막, 실리콘 기판-
公开(公告)号：KR100625230B1
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：KR1020040118313
申请日：2004-12-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/8247 , B82Y10/00
Abstract: 본 발명은, 스페이서 패터닝을 이용하여 전극의 선폭을 수 nm 범위까지 극소화시키고, 상기 극소화된 선폭을 갖는 전극의 측면에 상변화 물질을 증착시킴으로써, 전극과 상변화 물질 간의 접촉 면적을 극소화시킬 수 있는 상변화 메모리의 제조 방법, 및 전극의 증착 두께와 스페이서 패턴닝을 통하여 형성된 수 nm 범위의 선폭에 의하여 결정되는 극소화된 전극과 상변화 물질 간의 접촉 면적을 갖는 저전력, 초고집적 상변화 메모리에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明通过使用间隔体图案化将电极的线宽度最小化到几纳米范围来使电极和相变材料之间的接触面积最小化，并将相变材料沉积在具有最小线宽的电极侧上 制造相变存储器，和一个低功耗，超高密度的相变具有电极的沉积厚度和间隔图案的电极和最小化的相变材料，其可以通过由纳米范围内的线宽涉及确定的紧固形成之间的接触面积存储器的方法 。
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公开(公告)号：KR1020060079563A
公开(公告)日：2006-07-06
申请号：KR1020040118313
申请日：2004-12-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/8247 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L45/1691 , H01L45/126
Abstract: 본 발명은, 스페이서 패터닝을 이용하여 전극의 선폭을 수 nm 범위까지 극소화시키고, 상기 극소화된 선폭을 갖는 전극의 측면에 상변화 물질을 증착시킴으로써, 전극과 상변화 물질 간의 접촉 면적을 극소화시킬 수 있는 상변화 메모리의 제조 방법, 및 전극의 증착 두께와 스페이서 패턴닝을 통하여 형성된 수 nm 범위의 선폭에 의하여 결정되는 극소화된 전극과 상변화 물질 간의 접촉 면적을 갖는 저전력, 초고집적 상변화 메모리에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020050122342A
公开(公告)日：2005-12-29
申请号：KR1020040047423
申请日：2004-06-24
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01J1/02
Abstract: 본 발명은 HgCdTe 반도체를 사용하여 광전압형 적외선 감지 소자를 제작할 때 ZnS, CdS 등 황(S) 원소를 포함하는 물질로 표면 보호막을 형성할 때 기판의 표면 처리를 통하여 양질의 전기적 특성을 갖는 표면 보호막을 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 표면 보호막 형성 방법은 HgCdTe 반도체 표면을 습식 식각하여 반도체 표면 상의 자연 산화막을 제거하는 단계, 습식 식각 처리된 HgCdTe 반도체 표면을 황 함유 용액으로 표면 처리하여 표면에 황화물질층을 형성하는 단계 및 상기 황화물질층이 형성된 표면 상에 ZnS 또는 CdS를 증착시켜 표면 보호막을 형성시키는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면, HgCdTe를 이용한 광전압형 소자의 제작시 표면 누설전류를 크게 줄일 수 있는 양질의 표면 보호막을 얻을 수 있다.
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