公开(公告)号：KR100212473B1

公开(公告)日：1999-08-02

申请号：KR1019960069420

申请日：1996-12-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김은규 ,  민석기

IPC: H01L33/00 ,  B82Y20/00

Abstract: 본 발명은 간접천이형 에너지 밴드갭 구조를 가진 실리콘 반도체를 미세결정 구조화함으로써 직접천이형 반도체 재료에서와 같은 고효율의 광특성을 갖게 하여 가시광 영역의 광소자에 응용할 수 있도록 한 실리콘 미세결정 제조방법에 관한 것으로, 특히 전기화학부식법 및 후열처리 공정에 의한 실리콘의 나노(nano) 결정립을 제작함에 있어 실리콘 웨이퍼 및 비정질 실리콘 박막으로부터 상온에서 아주 안정되고 강한 적색발광(파장 680 )과 황색발광(파장 543 )을 얻도록 하였다.
즉, 본 발명은 간접천이형 에너지 밴드갭 구조를 갖는 반도체 재료로부터 발광 특성을 나타내는 미세결정 구조를 제작하는 방법을 제공함으로써 실리콘 광소자의 가능성을 제공하는 것이다.

公开(公告)号：KR1019990024426A

公开(公告)日：1999-04-06

申请号：KR1019970045523

申请日：1997-09-02

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성일 ,  김용 ,  김은규 ,  민석기 ,  박영균 ,  손창식

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 양자세선 제조방법에 관한 것으로, 종래의 양자세선 제조방법은 기판에 형성한 V자 또는 U자 홈의 크기와 모양에 따라 그 크기가 결정되는 양자세선을 형성하여, 특정소자에 적용시 양자세선의 크기를 조절할 수가 없어 그 양자세선을 포함하는 광전소자에 적용편이성이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 기판에 형성한 홈의 모양과 크기에 관계없이 갈륨비소 에피층 형성시 CCl
4 또는 CBr
4 를 특정공정조건에서 주입하여, CCl
4 또는 CBr
4 농도와, 성장온도 및 Ⅴ/Ⅲ의 비를 조절하여 그 양자세선의 크기를 제어함으로써, 그 양자세선을 포함하는 광전소자의 제품적용성을 향상시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100181254B1

公开(公告)日：1999-03-20

申请号：KR1019960015768

申请日：1996-05-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김은규 ,  황성우

IPC: H01L29/72

Abstract: 본 발명은 게이트의 미세구조 패시베이션에 의한 전계효과트랜지스터의 성능 개선방법에 관한 것으로, 게이트금속의 아래에 미세패턴을 가진 유전체 패시베이션층을 삽입함으로써 MOSFET 및 MODFET와 같은 전계효과트랜지스터의 성능을 개선할 수 있도록 한 것인데, 이는 게이트와 채널사이에 정전용량 커플링이 있는 모든 전계효과트랜지스터 소자에 적용될 수 있으며 게이트 패시베이션을 위해 안티돝 미세패턴을 사용하여 문턱전압 및 트랜스컨덕턴스의 값을 독립적으로 조절할 수 있음을 제시하였다.
또한, 본 발명은 FET 증폭기 설계시, 사용하기 편한 게이트 바이어스전압 영역내에서 트랜스컨덕턴스가 최대치를 중심으로 한 좁은 영역으로 사용이 한정되는 어려움을 극복할 수 있는 방법을 제공하도록 한 것이다.

公开(公告)号：KR1019980050585A

公开(公告)日：1998-09-15

申请号：KR1019960069420

申请日：1996-12-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김은규 ,  민석기

IPC: H01L33/00 ,  B82Y20/00

Abstract: 본 발명은 간접천이형 에너지 밴드갭 구조를 가진 실리콘 반도체를 미세결정 구조화함으로써 직접천이형 반도체 재료에서와 같은 고효율의 광특성을 갖게 하여 가시광 영역의 광소자에 응용할 수 있도록 한 실리콘 미세결정 제조방법에 관한 것으로, 특히 전기화학부식법 및 후열처리 공정에 의한 실리콘의 나노(nano) 결정립을 제작함에 있어 실리콘 웨이퍼 및 비정질 실리콘 박막으로부터 상온에서 아주 안정되고 강한 적색발광(파장 680nm)과 황색발광(파장 543nm)을 얻도록 하였다.
즉, 본 발명은 간접천이형 에너지 밴드갭 구조를 갖는 실리콘 반도체 재료로부터 발광특성을 나타내는 미세결정 구조를 제작하는 방법을 제공함으로써 실리콘 광소자의 가능성을 제공하는 것이다.

公开(公告)号：KR1019970077723A

公开(公告)日：1997-12-12

申请号：KR1019960015768

申请日：1996-05-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김은규 ,  황성우

IPC: H01L29/72

Abstract: 본 발명은 게이트의 미세구조 패시베이션에 의한 전계효과트랜지스터의 성능 개선방법에 관한 것으로, 게이트금속의 아래에 미세패턴을 가진 유전체 패시베이션층을 삽입함으로써 MOSFET 및 MODFET와 같은 전계효과트랜지스터의 성능을 개선할 수 있도록 한 것인데, 이는 게이트와 채널 사이에 정전용량 커플링이 있는 모든 전계효과트랜지스터 소자에 적용될 수 있으며 게이트 패시베이션을 위해 안티돝 미세패턴을 사용하여 문턱전압 및 트랜스컨덕턴스의 값을 독립적으로 조절할 수 있음을 제시하였다.
또한, 본 발명은 FET 증폭기 설계시, 사용하기 편한 게이트 바이어스전압 영역내에서 트랜스컨덕턴스가 최대치를 중심으로 한 좁은 영역으로 사용이 한정되는 어려움을 극복할 수 있는 방법을 제공하도록 한 것이다.

公开(公告)号：KR1019960014423A

公开(公告)日：1996-05-22

申请号：KR1019940025242

申请日：1994-10-01

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  박용주 ,  김은규

IPC: C30B29/42

Abstract: 본 발명은 갈륨비소 단결정 성장방법에 관한 것으로, 갈륨비소내에의 인듐원자는 전위생성을 억제하는 불순물로써 잘 알려져 왔으나 인듐의 농도가 액상봉입쵸크랄스키(liquid encapsulated Czochralski)법의 경우 약 5×10
19 ㎝
-3 이상의 인듐첨가에 의해 그 효과가 나타난다.
그러나 이같은 양의 인듐을 갈륨비소내에 첨가하게 되면 저결함의 특성을 얻을 수는 있지만 급속열처리에 의한 인듐의 외부확산효과가 크기 때문에 전기적, 광학적특성의 변화를 야기시킬 수 있다. 즉, 열처리에 따른 인듐의 외부확산 정도에 따라서 갈륨비소내의 깊은준위 이엘투(EL2)의 농도가 급격하게 변화되므로 기판의 적기적 특성이 열처리과정에 따라서 달라지게 되는 문제점이 있었다.
따라서 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 적은 열응력만을 유발시키는 수직온도구배냉각법 또는 축방향자기장을 인가할 수 있는 수직온도구배냉각법으로 갈륨비소 단결정을 성장하고, 등전자수 첨가물인 인듐(In)을 2∼5×10
18 ㎝
-3 첨가하여 열처리에 의한 깊은준위 이엘투(EL2)의 농도변화를 최소화 시킴으로서 전기적, 광학적 특성의 안정성을 향상시키도록 하는 갈륨비소 단결정 성장방법을 제공함에 목적이 있다.

公开(公告)号：KR100502884B1

公开(公告)日：2005-07-25

申请号：KR1020010088867

申请日：2001-12-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원준 ,  한일기 ,  박용주 ,  조운조 ,  김은규 ,  이정일 ,  이정호

IPC: H01L29/15

Abstract: 본 발명은 InGaAs/GaAs 양자점 에너지 밴드갭을 조정하는 방법에 관한 것으로서, InGaAs/GaAs 양자점 기판을 성장하는 단계와, InGaAs/GaAs 양자점 기판에 2중 유전체 덮개층을 성장하는 단계와, 2중 유전체 덮개층이 성장된 InGaAs/GaAs 양자점 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 InGaAs/GaAs 양자점 에너지 밴드갭 조정 방법을 제공한다. InGaAs/GaAs 양자점 기판에 유전체 덮개층으로 SiN
x 와 SiO
2 를 성장하고, 700℃에서 1 내지 4분간 열처리한 결과, InGaAs/GaAs 양자점 기판에 국부적으로 다른 에너지 밴드갭이 형성되었고 공정 조건에 의존하여 에너지 밴드갭의 이동량이 변화하는 것을 관찰하며, 이와 함께 반치폭 값의 감소 현상과 스펙트럼 강도의 증가 현상을 관찰한다.

公开(公告)号：KR100440731B1

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：KR1020010064353

申请日：2001-10-18

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김광윤 ,  최원준 ,  김은규

IPC: H01L43/02

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a magnetoresistive thin film of a magnetoresistive spin valve by using a difference of coercive force is provided to form a spin valve structure that expresses high magnetoresistivity and high magnetic sensitivity in a low magnetic field, by controlling the spin of a CoFe layer and a NiFe layer while using a coercive force. CONSTITUTION: The CoFe layer is formed as the first ferromagnetic layer by a thickness of 20-100 angstrom in a condition that sputtering power is 20-100 watt and the partial pressure of Ar is 1-10 milliTorr so that the CoFe layer has high coercive force. The NiFe layer is formed as the second ferromagnetic layer by a thickness of 20-100 angstrom in a condition that sputtering power is 30-100 watt and the partial pressure of Ar is 1-15 milliTorr so that the NiFe layer has low coercive force.

Abstract translation: 目的：提供一种通过使用矫顽力差来制造磁阻自旋阀的磁阻薄膜的方法，以形成在低磁场中表现高磁阻率和高磁灵敏度的自旋阀结构，其通过控制 CoFe层和NiFe层，同时使用矫顽力。 构成：在溅射功率为20-100瓦，Ar分压为1-10毫乇的条件下，CoFe层形成为第一铁磁层，厚度为20-100埃，因此CoFe层具有高矫顽力 力。 在溅射功率为30-100瓦，Ar分压为1-15毫乇的条件下，NiFe层以20-100埃的厚度形成为第二铁磁层，使得NiFe层具有低矫顽力。

公开(公告)号：KR1020030082030A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：KR1020020020532

申请日：2002-04-16

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김은규 ,  박용주 ,  김태환 ,  강승언 ,  추동철 ,  오현주 ,  현정우

IPC: H01J27/26

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a coil type liquid metal ion source including a liquid metal supply path is provided to generate stably ion beams by controlling the supply of the liquid metal. CONSTITUTION: An emitter(3) is etched by performing an electrochemical etching process. The emitter(3) including a liquid metal supply path is fabricated by etching the emitter(3). A coil type liquid metal storage tank(7) is provided. The liquid metal is transferred from a high vacuum chamber to the coil type liquid metal storage tank(7). The coil type liquid metal is formed with Gallium. The coil type liquid metal storage tank(7) is fabricated by tungsten filament. The emitter(3) is fabricated by tungsten wire. The electrochemical etching process includes a preliminary etching process, a pointing etching process, and a blunting etching process.

Abstract translation: 目的：提供一种制造包括液态金属供应路径的线圈型液态金属离子源的方法，以通过控制液态金属的供应来产生稳定的离子束。 构成：通过进行电化学蚀刻工艺来蚀刻发射体（3）。 通过蚀刻发射体（3）制造包括液态金属供给路径的发射体（3）。 提供一种线圈型液态金属储罐（7）。 液体金属从高真空室转移到线圈型液态金属储罐（7）。 线圈型液态金属由镓形成。 线圈型液态金属储罐（7）由钨丝制成。 发射极（3）由钨丝制成。 电化学蚀刻工艺包括初步蚀刻工艺，指向蚀刻工艺和钝化蚀刻工艺。

公开(公告)号：KR1020030058419A

公开(公告)日：2003-07-07

申请号：KR1020010088868

申请日：2001-12-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 한일기 ,  최원준 ,  박용주 ,  조운조 ,  김은규 ,  이정일 ,  허두창

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: A method is provided which increase light output of a laser diode using a heavily doped p-InP insertion layer in an InP-based laser diode technique. CONSTITUTION: According to the method for forming an InGaAsP/InGaAs laser diode structure based on InP, a heavily doped p-InP layer is inserted, and the above p-InP layer is adjacent to a quantum well. The heavily doped p-InP layer is used in a ridge type laser diode, a large area laser diode, a taper type laser diode and a superluminescent laser diode. While inserting the heavily doped p-InP layer, Be and Zn are used as a p-doping impurity.

Abstract translation: 目的：提供一种使用InP基激光二极管技术中使用重掺杂p-InP插入层增加激光二极管的光输出的方法。 构成：根据用于形成基于InP的InGaAsP / InGaAs激光二极管结构的方法，插入重掺杂的p-InP层，并且上述p-InP层与量子阱相邻。 重掺杂的p-InP层用于脊型激光二极管，大面积激光二极管，锥形激光二极管和超发光激光二极管。 当插入重掺杂的p-InP层时，使用Be和Zn作为p掺杂杂质。