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公开(公告)号：KR1020140025270A
公开(公告)日：2014-03-04
申请号：KR1020130061169
申请日：2013-05-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/028 , H01L31/035209 , H01L31/035236 , H01L31/1808
Abstract: The present invention applies a relatively low voltage to a semiconductor photo detector and provides a silicon-substrate-based Ge semiconductor photo detector which has high gain, increase receiving sensitivity, high speed characteristic. A Ge based amplification layer, that is a single Ge layer or Ge/Si supper lattice layer is formed on the silicon substrate. A Ge charge layer is formed on it. A Ge light absorption layer is formed on the charge layer. A polysilicon second contact layer is formed on the light absorption layer. Also, the light absorption layer may be formed as a Ga quantum dot/ quantum line layer.
Abstract translation: 本发明对半导体光电检测器施加相对较低的电压，并提供具有高增益，增加接收灵敏度和高速特性的基于硅衬底的Ge半导体光电检测器。 在硅衬底上形成Ge基放大层，即单个Ge层或Ge / Si超晶格层。 在其上形成Ge电荷层。 在电荷层上形成Ge光吸收层。 在光吸收层上形成多晶硅第二接触层。 此外，光吸收层可以形成为Ga量子点/量子线层。
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公开(公告)号：KR101296833B1
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：KR1020090121080
申请日：2009-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/43 , G02B6/262 , G02B6/4292
Abstract: 발광 소자로부터 열적으로 분리된 실리콘 포토닉스 칩이 제공된다. 이 실리콘 포토닉스 칩은 실리콘 기판 상에 집적된 광전 소자들을 포함하고, 광전 소자들은, 신호광 생성 장치로부터 입사되는 적어도 하나의 신호광을 광학적으로 가이드하여 실리콘 포토닉스 칩 내부로 전송해 주는 광연결 장치를 포함할 수 있다. 이때, 신호광 생성 장치는 광전 소자들로부터 열적으로는 분리되고 광학적으로는 연결되도록 구성될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130069116A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：KR1020110136674
申请日：2011-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/10
CPC classification number: H01S5/021 , H01S3/0637 , H01S5/0205 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/1032 , H01S5/125 , H01S5/2272 , H01S5/3027
Abstract: PURPOSE: A semiconductor laser and a manufacturing method thereof are provided to grow a laser gain medium on a semiconductor substrate by a selective epitaxy method, thereby manufacturing the semiconductor laser without cutting or polishing both sides of a Fabry-Perot cavity. CONSTITUTION: A germanium monocrystal Fabry-Perot cavity is grown on a substrate by a selective epitaxy method. A spacer(31) is separated from one side of the Fabry-Perot cavity. An optical coupler(33) is separated from the other end of the Fabry-Perot cavity. The height of the top surface of the Fabry-Perot cavity is different from the height of the spacer or the optical coupler.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体激光器及其制造方法，以通过选择性外延法在半导体衬底上生长激光增益介质，从而制造半导体激光器而不切割或抛光法布里 - 珀罗腔的两侧。 构成：通过选择性外延法在基底上生长锗单晶法布里 - 珀罗腔。 间隔物（31）从法布里 - 珀罗腔的一侧分离。 光耦合器（33）与法布里 - 珀罗腔的另一端分离。 法布里 - 珀罗腔的上表面的高度不同于间隔物或光耦合器的高度。
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公开(公告)号：KR101278611B1
公开(公告)日：2013-06-25
申请号：KR1020090121653
申请日：2009-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/7624 , H01L21/76243 , H01L21/76264 , H01L29/0657
Abstract: 반도체 장치 및 그 형성 방법을 제공한다. 이 방법에 따르면, 반도체 기판 내에 제1 매몰 산화막을 형성하고, 제1 매몰 산화막 상의 반도체층을 패터닝하여 코어 반도체 패턴 및 코어 반도체 패턴의 일측벽에 접촉된 서포트 반도체 패턴을 형성한다. 이어서, 코어 반도체 패턴 아래에 위치한 제1 매몰 산화막을 제거한다. 이어서, 코어 반도체 패턴 및 반도체 기판 사이를 채우는 제2 매몰 산화막을 형성한다.
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公开(公告)号：KR1020120065809A
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：KR1020100127118
申请日：2010-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/2581
CPC classification number: H04J14/028 , G02B6/12007 , H01S5/026 , H01S5/1032 , H01S5/4087 , H04J14/02 , H04J14/0201
Abstract: PURPOSE: An optical network structure of a multicore central processing apparatus is provided to develop a CPU chip comprising hundreds of or thousands of cores. CONSTITUTION: An optical network structure of a multicore central processing apparatus comprises: ring resonator WDM(wavelength division multiplexing) filters corresponding to a plurality cores(CR1-CR12); one or more control units(CU) for receiving optical signal transformed to a waveguide and transmistting the optical signal to the waveguide.
Abstract translation: 目的：提供多核心处理装置的光网络结构，以开发包含数百或数千个核心的CPU芯片。 构成：多芯中央处理装置的光网络结构包括：对应于多个核（CR1-CR12）的环形谐振器WDM（波分复用）滤波器; 一个或多个控制单元（CU），用于接收转换到波导的光信号，并将光信号传输到波导。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090064930A
公开(公告)日：2009-06-22
申请号：KR1020070132315
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01N21/3504 , G01J3/443 , G01N21/62 , G01N2201/10
Abstract: A gas detector and a method for detecting gas using the same are provided to perform detection of the gas in a detection chamber by using laser light efficiently. A gas detector includes a detection chamber(100), a light supplying part(200), a light detection part(300), a gas supplying part(400), and a control part(500). The light supplying part and the light detection part are arranged in both sides of the detection chamber. The gas supplying part supplies the gas into the detection chamber. The control part controls the light supplying part and the light detection part. The light supplying part includes a laser(230) and a light scanner(210). The control part includes a phase-sensitive detector(510) electrically connected to the light detection part.
Abstract translation: 提供气体检测器和使用其的气体检测方法，以通过有效地使用激光来检测检测室中的气体。 气体检测器包括检测室（100），光供给部（200），光检测部（300），气体供给部（400）和控制部（500）。 光供给部和光检测部配置在检测室的两侧。 气体供给部将气体供给到检测室。 控制部控制供光部和光检测部。 光供给部包括激光器（230）和光扫描器（210）。 控制部分包括电连接到光检测部分的相敏检测器（510）。
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公开(公告)号：KR100818632B1
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：KR1020050067857
申请日：2005-07-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/3402 , B82Y20/00
Abstract: 본 발명은 부밴드 천이 반도체 레이저(intersubband transition semiconductor laser)에 관한 것으로, 부밴드 간의 방사천이(radiative transition)가 일어나는 활성영역층들 사이의 에너지 완화 영역에 캐리어(carrier) 증배가 일어나는 PIN 형의 증배층(miltiplication layer)을 포함하는 아발란치 이득구조층과 증배된 캐리어들을 인접한 활성영역층의 천이 레벨로 주입시키는 캐리어 가이드층(carrier guide layer)이 포함된다. 캐리어 증배 구조를 포함시켜 레이저 발진-준위로 주입되는 캐리어 수를 높여 단순 구조에서 고출력을 가능케 하는 구조로, 레이저 발진-준위로의 캐리어 주입 효율을 높여 활성영역층의 레이저 천이 준위들 간의 고밀도 반전이 이루어지도록 함으로써 기존의 양자 캐스케이드 레이저에서와 같이 고출력을 얻기 위해 많은 적층(stacking)이 필요하지 않으며, 단순한 컴팩트(compact) 구조로 고출력을 얻을 수 있다.
반도체 레이저, 부밴드 천이, 캐리어 증배, 캐리어 가이드, 활성영역-
公开(公告)号：KR1020020049159A
公开(公告)日：2002-06-26
申请号：KR1020000078261
申请日：2000-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/107
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L27/15 , H01L31/02165 , H01L31/035236 , H01L31/107
Abstract: PURPOSE: An avalanche light detector is provided to compensate for a low light absorption rate and to decrease a breakdown voltage, by using an avalanche gain structure layer at least two times and by using a low voltage. CONSTITUTION: The avalanche light detector has an emitter light absorption layer structure between a collector layer and an emitter layer which are stacked on a substrate(S). The avalanche gain structure layer composed of a charge layer(103), a charge multiplication layer(104) and an electrode contact layer(105) is formed between the light absorption layer and the collector layer.
Abstract translation: 目的：通过使用雪崩增益结构层至少两次并通过使用低电压，提供雪崩光检测器来补偿低的光吸收率和降低击穿电压。 构成：雪崩光检测器在堆叠在基板（S）上的集电极层和发射极层之间具有发射光吸收层结构。 在光吸收层和集电体层之间形成由电荷层（103），电荷倍增层（104）和电极接触层（105）组成的雪崩增益结构层。
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公开(公告)号：KR1020170141575A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：KR1020160153585
申请日：2016-11-17
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은전극제조방법에관한것으로, 산화그래핀을포함하는조성물을준비하는것, 기판상에상기조성물을도포하여산화그래핀박막을형성하는것, 및상기산화그래핀박막에광을조사하는것을포함하되, 상기산화그래핀박막에광을조사하는것에의하여상기산화그래핀이환원되고, 상기산화그래핀박막내에기공이형성되는것을포함하는전극제조방법이제공된다.
Abstract translation: 本发明包括上，氧化是haneungeot制备组合物，其包括销，以涂覆在基片haneungeot该组合物形成氧化物石墨烯薄膜照射光，并且是根据电极的制造方法的氧化销薄膜 其中用光照射氧化石墨烯薄膜，使氧化石墨烯减少，并在氧化石墨烯薄膜中形成孔隙。
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公开(公告)号：KR1020150062231A
公开(公告)日：2015-06-08
申请号：KR1020130146375
申请日：2013-11-28
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/1021 , G02B6/12 , G02B6/122 , G02B6/1228 , G02B6/136 , G02B2006/12061 , G02B2006/12147 , H01S5/021 , H01S5/026 , H01S5/2086 , H01S5/2272 , H01S5/3223 , H01S2301/176 , H01S2304/00
Abstract: 반도체레이저의제조방법이제공된다. 반도체레이저의제조방법은, 제1 영역및 제2 영역을포함하는반도체기판을제공하는것, 상기반도체기판의상기제2 영역에선택적에피택시얼성장공정을이용하여실리콘단결정막을형성하는것, 상기실리콘단결정막을이용하여광 결합기를형성하는것, 및상기반도체기판의상기제1 영역에선택적에피택시얼성장공정을이용하여게르마늄단결정막을포함하는레이저코어구조체를형성하는것을포함한다.
Abstract translation: 提供半导体激光器制造方法。 半导体激光器制造方法包括：提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底的步骤; 通过使用选择性外延生长工艺在半导体衬底的第二区域上形成硅单晶层的步骤; 通过使用硅单晶层形成光电耦合器的步骤; 以及通过使用选择性外延生长工艺在半导体衬底的第一区域上形成具有锗单晶层的激光芯结构的步骤。
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