Abblätterungsverfahren mit Randausschluss zur Verbesserung der Substrat-Wiederverwendbarkeit

    公开(公告)号:DE102012210227A1

    公开(公告)日:2013-01-03

    申请号:DE102012210227

    申请日:2012-06-18

    Applicant: IBM

    Abstract: Es wird ein Verfahren bereitgestellt, um den randbezogenen Substratbruch beim Abblättern mithilfe eines Randausschlussbereichs zu minimieren, wo die spannungserzeugende Schicht entweder nicht vorhanden ist (bei der Beschichtung ausgeschlossen oder danach entfernt wurde) oder zwar vorhanden ist, aber im Ausschlussbereich nicht erheblich an der Substratfläche haftet. In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren das Formen eines Randausschlussmaterials auf einer Oberseite und in der Nähe eines Rands eines Grundsubstrats. Eine spannungserzeugende Schicht wird dann auf freiliegenden Abschnitten der Oberseite des Grundsubstrats und über dem Randausschlussmaterial geformt. Dann wird ein Teil des Grundsubstrats, der unter der spannungserzeugenden Schicht liegt und nicht vom Randausschlussmaterial bedeckt wird, abgeblättert.

    SPALLING FOR A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

    公开(公告)号:CA2783380A1

    公开(公告)日:2011-09-01

    申请号:CA2783380

    申请日:2011-02-16

    Applicant: IBM

    Abstract: A method for spalling a layer from an ingot of a semiconductor substrate includes forming a metal layer on the ingot of the semiconductor substrate, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the ingot; and removing the layer from the ingot at the fracture. A system for spalling a layer from an ingot of a semiconductor substrate includes a metal layer formed on the ingot of the semiconductor substrate, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the ingot, and wherein the layer is configured to be removed from the ingot at the fracture.

    43.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE602004007940D1

    公开(公告)日:2007-09-13

    申请号:DE602004007940

    申请日:2004-09-10

    Applicant: IBM

    Abstract: A simple and direct method of forming a SiGe-on-insulator that relies on the oxidation of a porous silicon layer (or region) that is created beneath a Ge-containing layer is provided. The method includes the steps of providing a structure comprising a Si-containing substrate having a hole-rich region formed therein and a Ge-containing layer atop the Si-containing substrate; converting the hole-rich region into a porous region; and annealing the structure including the porous region to provide a substantially relaxed SiGe-on-insulator material.

    Verfahren zur gesteuerten Schichtübertragung

    公开(公告)号:DE102012209708B4

    公开(公告)日:2016-03-31

    申请号:DE102012209708

    申请日:2012-06-11

    Applicant: IBM

    Abstract: Verfahren zur gesteuerten Schichtübertragung, das folgende Schritte umfasst: Bereitstellen einer Zugspannungsschicht auf einem Basissubstrat mit einer oberen Oberfläche und einer unteren Oberfläche und Seitenwandrändern, wobei die Zugspannungsschicht einen Zugspannungsschichtteil, der oberhalb einer oberen Oberfläche des Basissubstrats angeordnet ist, und einen selbsthaftenden Zugspannungsschichtteil aufweist, der vertikal an den Seitenwandrändern des Basissubstrats anliegt; Aufbringen eines Abspalthemmers oberhalb des Zugspannungsschichtteils der Zugspannungsschicht; Trennen des selbsthaftenden Zugspannungsschichtteils der Zugspannungsschicht von dem Zugspannungsschichtteil; Abspalten eines Teils des Basissubstrats unterhalb des Zugspannungsschichtteils, wobei das Abspalten das Verschieben des Abspalthemmers über die Oberseite des Zugspannungsschichtteils beinhaltet; und Entfernen des Zugspannungsschichtteils von der Oberseite eines abgespaltenen Teils des Basissubstrats.

    Gesteuertes Abspalten von Gruppe-III-Nitriden, die eine eingebettete Abspalt-Ablösungsebene enthalten

    公开(公告)号:DE102014116231A1

    公开(公告)日:2015-06-25

    申请号:DE102014116231

    申请日:2014-11-07

    Applicant: IBM

    Abstract: Eine Abspalt-Ablösungsebene wird in eine Gruppe-III-Nitrid-Materialschicht eingebettet gebildet. Die Abspalt-Ablösungsebene umfasst ein Material, welches eine andere Spannung, eine andere Struktur und eine andere Zusammensetzung als die Abschnitte der Gruppe-III-Nitrid-Materialschicht aufweist, welche die Gruppe-III-Nitrid-Materialschicht bereitstellen und die Abspalt-Ablösungsebene einbetten. Die Abspalt-Ablösungsebene stellt eine Region einer geschwächten Materialebene innerhalb der Gruppe-III-Nitrid-Materialschicht bereit, welche während eines anschließend durchgeführten Abspaltverfahrens verwendet werden kann, um einen der Abschnitte des Gruppe-III-Nitridmaterials von der ursprünglichen Gruppe-III-Nitrid-Materialschicht abzulösen. Speziell tritt während des Abspaltverfahrens innerhalb der Abspalt-Ablösungsebene, die in die ursprüngliche Gruppe-III-Nitrid-Materialschicht eingebettet ist, ein Beginn und eine Fortpflanzung von Rissen auf.

    Photovoltaikeinheit mit mehreren Grenzschichten und Verfahren zu dessen Herstellung

    公开(公告)号:DE102012212447A1

    公开(公告)日:2013-01-31

    申请号:DE102012212447

    申请日:2012-07-17

    Applicant: IBM

    Abstract: Ein Verfahren zur Bildung einer Photovoltaikeinheit beinhaltet das Verbinden eines Substrate mit einer germaniumhaltigen Halbleiterschicht mittels einer Zugspannungsschicht, wobei die Zugspannungsschicht die germaniumhaltige Halbleiterschicht spaltet. Auf einer Spaltfläche der germaniumhaltigen Halbleiterschicht wird mindestens eine Halbleiterschicht gebildet, deren Leitungstyp dem Zeitungstyp der germaniumhaltigen Halbleiterschicht entgegengesetzt ist, um eine erste Solarzelle bereitzustellen. Die erste Solarzelle absorbiert einen ersten Wellenlängenbereich. Auf der ersten Solarzelle wird mindestens eine zweite Solarzelle gebildet, wobei die mindestens eine zweite Solarzelle aus mindestens einem Halbleitermaterial besteht, um einen zweiten Wellenlängenbereich zu absorbieren, der von dem durch die erste Solarzelle absorbierten ersten Wellenlängenbereich verschieden ist.

    Abplatzverfahren zur Bildung einer Mehrfach-Photovoltaikstruktur

    公开(公告)号:DE102012209887A1

    公开(公告)日:2012-12-20

    申请号:DE102012209887

    申请日:2012-06-13

    Applicant: IBM

    Abstract: Ein Verfahren zum Spalten eines Halbleitermaterials, welches das Bereitstellen eines Germaniumsubstrats mit einer darin vorliegenden Germanium- und Zinnlegierungsschicht umfasst. Eine eine mechanische Spannung erzeugende Schicht wird auf einer Oberfläche des Germaniumsubstrats abgeschieden. Eine mechanische Spannung aus der eine mechanische Spannung erzeugenden Schicht wird an das Germaniumsubstrat angelegt, wobei die mechanische Spannung das Germaniumsubstrat spaltet, um eine Spaltoberfläche bereitzustellen. Die Spaltoberfläche des Germaniumsubstrats wird dann selektiv bis zur Germanium- und Zinnlegierungsschicht des Germaniumsubstrats entfernt. In einer weiteren Ausführungsform kann die Germanium- und Zinnlegierungsschicht während eines Abplatzverfahrens als eine Bruchebene fungieren.

    50.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE602004007940T2

    公开(公告)日:2008-04-24

    申请号:DE602004007940

    申请日:2004-09-10

    Applicant: IBM

    Abstract: A simple and direct method of forming a SiGe-on-insulator that relies on the oxidation of a porous silicon layer (or region) that is created beneath a Ge-containing layer is provided. The method includes the steps of providing a structure comprising a Si-containing substrate having a hole-rich region formed therein and a Ge-containing layer atop the Si-containing substrate; converting the hole-rich region into a porous region; and annealing the structure including the porous region to provide a substantially relaxed SiGe-on-insulator material.

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