公开(公告)号：DE102012210227A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：DE102012210227

申请日：2012-06-18

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  CORTES NORMA EDITH SOSA

IPC: H01L21/304

Abstract: Es wird ein Verfahren bereitgestellt, um den randbezogenen Substratbruch beim Abblättern mithilfe eines Randausschlussbereichs zu minimieren, wo die spannungserzeugende Schicht entweder nicht vorhanden ist (bei der Beschichtung ausgeschlossen oder danach entfernt wurde) oder zwar vorhanden ist, aber im Ausschlussbereich nicht erheblich an der Substratfläche haftet. In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren das Formen eines Randausschlussmaterials auf einer Oberseite und in der Nähe eines Rands eines Grundsubstrats. Eine spannungserzeugende Schicht wird dann auf freiliegenden Abschnitten der Oberseite des Grundsubstrats und über dem Randausschlussmaterial geformt. Dann wird ein Teil des Grundsubstrats, der unter der spannungserzeugenden Schicht liegt und nicht vom Randausschlussmaterial bedeckt wird, abgeblättert.

公开(公告)号：CA2783380A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：CA2783380

申请日：2011-02-16

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L21/304 ,  B28D5/00

Abstract: A method for spalling a layer from an ingot of a semiconductor substrate includes forming a metal layer on the ingot of the semiconductor substrate, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the ingot; and removing the layer from the ingot at the fracture. A system for spalling a layer from an ingot of a semiconductor substrate includes a metal layer formed on the ingot of the semiconductor substrate, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the ingot, and wherein the layer is configured to be removed from the ingot at the fracture.

公开(公告)号：DE602004007940D1

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：DE602004007940

申请日：2004-09-10

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  CHOE KWANG SU ,  FOGEL KEITH F ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/00 ,  C22F1/10 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762

Abstract: A simple and direct method of forming a SiGe-on-insulator that relies on the oxidation of a porous silicon layer (or region) that is created beneath a Ge-containing layer is provided. The method includes the steps of providing a structure comprising a Si-containing substrate having a hole-rich region formed therein and a Ge-containing layer atop the Si-containing substrate; converting the hole-rich region into a porous region; and annealing the structure including the porous region to provide a substantially relaxed SiGe-on-insulator material.

公开(公告)号：DE102012025774B3

公开(公告)日：2022-04-07

申请号：DE102012025774

申请日：2012-07-12

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/072

Abstract: Verfahren, das Folgendes umfasst:Erzeugen einer dotierten Gruppe-III/V-Substratschicht;Bilden einer intrinsischen hydrierten epitaxialen Halbleiterschicht auf der Substratschicht, die SixGe1-xumfasst, wobei x zwischen 0 und 1 liegt, durch plasmagestützte chemische Gasphasenabscheidung bei einer Temperatur von weniger als 400 °C;Bilden einer intrinsischen amorphen Halbleiterschicht, die Six'Ge1-x':H umfasst, wobei x' zwischen 0 und 1 liegt, auf der intrinsischen epitaxialen Halbleiterschicht, undBilden einer Emitterschicht auf der intrinsischen amorphen Halbleiterschicht.

公开(公告)号：DE102012209708B4

公开(公告)日：2016-03-31

申请号：DE102012209708

申请日：2012-06-11

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/304 ,  H01L31/18

Abstract: Verfahren zur gesteuerten Schichtübertragung, das folgende Schritte umfasst: Bereitstellen einer Zugspannungsschicht auf einem Basissubstrat mit einer oberen Oberfläche und einer unteren Oberfläche und Seitenwandrändern, wobei die Zugspannungsschicht einen Zugspannungsschichtteil, der oberhalb einer oberen Oberfläche des Basissubstrats angeordnet ist, und einen selbsthaftenden Zugspannungsschichtteil aufweist, der vertikal an den Seitenwandrändern des Basissubstrats anliegt; Aufbringen eines Abspalthemmers oberhalb des Zugspannungsschichtteils der Zugspannungsschicht; Trennen des selbsthaftenden Zugspannungsschichtteils der Zugspannungsschicht von dem Zugspannungsschichtteil; Abspalten eines Teils des Basissubstrats unterhalb des Zugspannungsschichtteils, wobei das Abspalten das Verschieben des Abspalthemmers über die Oberseite des Zugspannungsschichtteils beinhaltet; und Entfernen des Zugspannungsschichtteils von der Oberseite eines abgespaltenen Teils des Basissubstrats.

公开(公告)号：DE102014116231A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：DE102014116231

申请日：2014-11-07

Applicant: IBM

Inventor： BAYRAM CAN ,  BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  OTT JOHN A ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/30

Abstract: Eine Abspalt-Ablösungsebene wird in eine Gruppe-III-Nitrid-Materialschicht eingebettet gebildet. Die Abspalt-Ablösungsebene umfasst ein Material, welches eine andere Spannung, eine andere Struktur und eine andere Zusammensetzung als die Abschnitte der Gruppe-III-Nitrid-Materialschicht aufweist, welche die Gruppe-III-Nitrid-Materialschicht bereitstellen und die Abspalt-Ablösungsebene einbetten. Die Abspalt-Ablösungsebene stellt eine Region einer geschwächten Materialebene innerhalb der Gruppe-III-Nitrid-Materialschicht bereit, welche während eines anschließend durchgeführten Abspaltverfahrens verwendet werden kann, um einen der Abschnitte des Gruppe-III-Nitridmaterials von der ursprünglichen Gruppe-III-Nitrid-Materialschicht abzulösen. Speziell tritt während des Abspaltverfahrens innerhalb der Abspalt-Ablösungsebene, die in die ursprüngliche Gruppe-III-Nitrid-Materialschicht eingebettet ist, ein Beginn und eine Fortpflanzung von Rissen auf.

公开(公告)号：DE102012212447A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：DE102012212447

申请日：2012-07-17

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  HEKMATSHOAR-TABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/302 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0687

Abstract: Ein Verfahren zur Bildung einer Photovoltaikeinheit beinhaltet das Verbinden eines Substrate mit einer germaniumhaltigen Halbleiterschicht mittels einer Zugspannungsschicht, wobei die Zugspannungsschicht die germaniumhaltige Halbleiterschicht spaltet. Auf einer Spaltfläche der germaniumhaltigen Halbleiterschicht wird mindestens eine Halbleiterschicht gebildet, deren Leitungstyp dem Zeitungstyp der germaniumhaltigen Halbleiterschicht entgegengesetzt ist, um eine erste Solarzelle bereitzustellen. Die erste Solarzelle absorbiert einen ersten Wellenlängenbereich. Auf der ersten Solarzelle wird mindestens eine zweite Solarzelle gebildet, wobei die mindestens eine zweite Solarzelle aus mindestens einem Halbleitermaterial besteht, um einen zweiten Wellenlängenbereich zu absorbieren, der von dem durch die erste Solarzelle absorbierten ersten Wellenlängenbereich verschieden ist.

公开(公告)号：DE102012211296A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：DE102012211296

申请日：2012-06-29

Applicant: IBM

Inventor： SHAHRJERDI DAVOOD ,  BEDELL STEPHEN W ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  HEKMATSHOAR-TABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0747

Abstract: Es wird eine InxGa1-xAs-Zwischenschicht zwischen einer III/V-Basis und einer eigenleitenden amorphen Halbleiterschicht einer III/V-Heteroübergangs-Solarzellenstruktur bereitgestellt. Durch den Einbau der Zwischenschicht in die Struktur kann eine verbesserte Oberflächenpassivierung und Leerlautspannung erhalten werden.

公开(公告)号：DE102012209887A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：DE102012209887

申请日：2012-06-13

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L31/18

Abstract: Ein Verfahren zum Spalten eines Halbleitermaterials, welches das Bereitstellen eines Germaniumsubstrats mit einer darin vorliegenden Germanium- und Zinnlegierungsschicht umfasst. Eine eine mechanische Spannung erzeugende Schicht wird auf einer Oberfläche des Germaniumsubstrats abgeschieden. Eine mechanische Spannung aus der eine mechanische Spannung erzeugenden Schicht wird an das Germaniumsubstrat angelegt, wobei die mechanische Spannung das Germaniumsubstrat spaltet, um eine Spaltoberfläche bereitzustellen. Die Spaltoberfläche des Germaniumsubstrats wird dann selektiv bis zur Germanium- und Zinnlegierungsschicht des Germaniumsubstrats entfernt. In einer weiteren Ausführungsform kann die Germanium- und Zinnlegierungsschicht während eines Abplatzverfahrens als eine Bruchebene fungieren.

公开(公告)号：DE602004007940T2

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：DE602004007940

申请日：2004-09-10

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  CHOE KWANG SU ,  FOGEL KEITH F ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/00 ,  C22F1/10 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762

Abstract: A simple and direct method of forming a SiGe-on-insulator that relies on the oxidation of a porous silicon layer (or region) that is created beneath a Ge-containing layer is provided. The method includes the steps of providing a structure comprising a Si-containing substrate having a hole-rich region formed therein and a Ge-containing layer atop the Si-containing substrate; converting the hole-rich region into a porous region; and annealing the structure including the porous region to provide a substantially relaxed SiGe-on-insulator material.