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    Integrierte Halbleitereinheiten mit einkristallinem Träger, Verfahren zur Herstellung und Entwurfsstruktur
    43.
    发明专利
    Integrierte Halbleitereinheiten mit einkristallinem Träger, Verfahren zur Herstellung und Entwurfsstruktur 未知

    公开(公告)号：DE112012004719T5

    公开(公告)日：2014-08-07

    申请号：DE112012004719

    申请日：2012-08-14

    Applicant: IBM

    Inventor： HARAME DAVID L ,  STAMPER ANTHONY K

    IPC: H03H9/54

    Abstract: Es werden akustische Bulk-Wellen-Filter und/oder akustische Bulk-Resonatoren, die mit CMOS-Einheiten kombiniert sind, Verfahren zur Herstellung sowie eine Entwurfsstruktur bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet ein Bilden eines einkristallinen Trägers (18) aus einer Siliciumschicht (14) auf einem Isolator (12). Das Verfahren beinhaltet des Weiteren ein Bereitstellen einer Beschichtung aus einem Isolatormaterial (22) über dem einkristallinen Träger. Das Verfahren beinhaltet des Weiteren ein Bilden eines Durchkontakts (34a) durch das Isolatormaterial hindurch, wobei ein Wafer (10) freigelegt wird, der unter dem Isolator liegt. Das Isolatormaterial verbleibt über dem einkristallinen Träger. Das Verfahren beinhaltet des Weiteren ein Bereitstellen eines Opfermaterials (36) in dem Durchkontakt und über dem Isolatormaterial. Das Verfahren beinhaltet des Weiteren ein Bereitstellen einer Kappe (38) auf dem Opfermaterial. Das Verfahren beinhaltet des Weiteren ein Abführen des Opfermaterials und eines Anteils des Wafers unter dem einkristallinen Träger durch die Kappe hindurch, um einen oberen Hohlraum (42a) oberhalb des einkristallinen Trägers und einen unteren Hohlraum (42b) in dem Wafer unterhalb des einkristallinen Trägers zu bilden.

    Planar cavity MEMS and related structures, methods of manufacture and design structures
    44.
    发明专利
    Planar cavity MEMS and related structures, methods of manufacture and design structures 未知

    公开(公告)号：GB2494360B

    公开(公告)日：2013-09-18

    申请号：GB201300091

    申请日：2011-06-08

    Applicant: IBM

    Inventor： DUNBAR GEORGE A ,  HE ZHONG-XIANG ,  MURPHY WILLIAM J ,  STAMPER ANTHONY K ,  MALING JEFFREY C

    IPC: B81C1/00

    Abstract: A method of forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) includes patterning a wiring layer to form at least one fixed plate and forming a sacrificial material on the wiring layer. The method further includes forming an insulator layer of one or more films over the at least one fixed plate and exposed portions of an underlying substrate to prevent formation of a reaction product between the wiring layer and a sacrificial material. The method further includes forming at least one MEMS beam that is moveable over the at least one fixed plate. The method further includes venting or stripping of the sacrificial material to form at least a first cavity.

    A switchable interdigital transducer in a SAW filter
    45.
    发明专利
    A switchable interdigital transducer in a SAW filter 未知

    公开(公告)号：GB2499308A

    公开(公告)日：2013-08-14

    申请号：GB201300243

    申请日：2013-01-08

    Applicant: IBM

    Inventor： JAFFE MARK DAVID ,  ADKISSON JAMES WILLIAM ,  STAMPER ANTHONY K ,  WOLF RANDY LEE ,  CANDRA PANGLIJEN ,  GAMBINO JEFFERY P ,  DUNBAR THOMAS J

    IPC: H03H9/64 ,  H03H3/08 ,  H03H9/145

    Abstract: The fingers 22 of a movable electrode of an interdigital transducer (IDT) lie in a cavity above the piezoelectric layer 12 and are moved down to contact the layer 12, between the fingers 14 of a fixed electrode, by applying voltages to electrostatic actuator electrodes 16 or 24. Alternatively, the movable fingers 22 may be formed just above the layer 12 and the actuators used to move the fingers away from the layer 12 or to apply a downward pull-in contact force. The technique allows the switching into circuit of SAW filters without incurring the insertion loss caused by FET switches, or a reduction in Q factor. A SAW filter arrangement may be set to a desired frequency by activating or deactivating selected SAW filters.

    MEMS-Strukturen mit planarem Hohlraum und verwandte Strukturen, Herstellungsverfahren und Design-Strukturen
    47.
    发明专利
    MEMS-Strukturen mit planarem Hohlraum und verwandte Strukturen, Herstellungsverfahren und Design-Strukturen 未知

    公开(公告)号：DE112011102134T5

    公开(公告)日：2013-04-04

    申请号：DE112011102134

    申请日：2011-06-08

    Applicant: IBM

    Inventor： HERRIN RUSSELL T ,  JAHNES CHRISTOPHER V ,  STAMPER ANTHONY K ,  WHITE ERIC J

    IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  H01H59/00

    Abstract: Ein Verfahren zum Bilden mindestens eines Hohlraums (60b) eines mikroelektromechanischen Systems (MEMS) weist das Bilden einer ersten Hohlraum-Opferschicht (18) über einer Verdrahtungsschicht (14) und einem Substrat (10) auf. Das Verfahren weist ferner das Bilden einer Isolatorschicht (40) über der ersten Hohlraum-Opferschicht auf. Das Verfahren weist ferner das Durchführen eines reversen Damaszener-Rückätzverfahrens auf der Isolatorschicht auf. Das Verfahren weist ferner das Planarisieren der Isolatorschicht und der ersten Hohlraum-Opferschicht auf. Das Verfahren weist ferner das Austreiben oder Ablösen der ersten Hohlraum-Opferschicht zu einer planaren Fläche für einen ersten Hohlraum (60b) des MEMS auf.

    Micro-electro-mechanical system
    48.
    发明专利
    Micro-electro-mechanical system 未知

    公开(公告)号：GB2494824A

    公开(公告)日：2013-03-20

    申请号：GB201300040

    申请日：2011-06-15

    Applicant: IBM

    Inventor： STAMPER ANTHONY K ,  JAHNES CHRISTOPHER VINCENT

    IPC: B81C1/00 ,  H01H1/00 ,  H01H59/00

    Abstract: A method of forming a Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) includes forming a lower electrode on a first insulator layer within a cavity of the MEMS. The method further includes forming an upper electrode over another insulator material on top of the lower electrode which is at least partially in contact with the lower electrode. The forming of the lower electrode and the upper electrode includes adjusting a metal volume of the lower electrode and the upper electrode to modify beam bending.

    Schalter in integrierten Schaltkreisen, Entwicklungsstruktur und Herstellungsverfahren
    49.
    发明专利
    Schalter in integrierten Schaltkreisen, Entwicklungsstruktur und Herstellungsverfahren 未知

    公开(公告)号：DE112010003412T5

    公开(公告)日：2012-08-16

    申请号：DE112010003412

    申请日：2010-08-12

    Applicant: IBM

    Inventor： STAMPER ANTHONY K ,  ANDERSON FELIX P ,  MCDEVITT THOMAS L

    IPC: B81C1/00

    Abstract: Integrierte MEMS-Schalter, Entwicklungsstrukturen und Verfahren zum Herstellen solcher Schalter werden bereitgestellt. Zu dem Verfahren gehört das Bilden wenigstens eines Vorsprungs (32a) von Opfermaterial (36) auf einer Seite einer Schalteinheit (34), die von dem Opfermaterial umgeben ist. Das Verfahren enthält ferner das Entfernen des Opfermaterials durch wenigstens eine Öffnung (40), die auf delteinheit gebildet wird, und das Verschließen der wenigstens einen Öffnung mit einem Deckmaterial (42).

    THROUGH SUBSTRATE ANNULAR VIA INCLUDING PLUG FILLER
    50.
    发明专利
    THROUGH SUBSTRATE ANNULAR VIA INCLUDING PLUG FILLER 未知

    公开(公告)号：CA2708207A1

    公开(公告)日：2009-08-20

    申请号：CA2708207

    申请日：2009-02-11

    Applicant: IBM

    Inventor： LINDGREN PETER J ,  SPROGIS EDMUND J ,  STAMPER ANTHONY K ,  STEIN KENNETH J

    IPC: H01L23/48

    Abstract: A through substrate (10) via includes an annular conductor layer at a periphery of a through substrate (10) aperture, and a plug layer (24) surrounded by the annular conductor layer. A method for fabricating the through substrate (10) via includes forming a blind aperture within a substrate (10) and successively forming and subsequently planarizing within the blind aperture a conformal conductor layer (20) that does not fill the aperture and plug layer (24) that does fill the aperture. The backside of the substrate (10) may then be planarized to expose at least the planarized conformal conductor layer. (20)

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